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公开(公告)号：CN1056137A
公开(公告)日：1991-11-13
申请号：CN91102924.9
申请日：1991-04-27
Applicant: 日本钢管株式会社
CPC classification number: C30B15/12 , C30B29/06 , Y10T117/1052
Abstract: 一种单晶硅生产设备，用以按照坩埚旋转的切克劳斯基法高速提拉大直径单晶硅。该设计的特点在于，分隔件是坩埚式的，熔融硅表面上方分隔件的厚度不小于3毫米，且不大于熔融硅表面下方分隔件厚度的80％，分隔件的底部部分紧固在坩埚底部部分上，且分隔件支撑在圆柱形石英件上。
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公开(公告)号：CN1056135A
公开(公告)日：1991-11-13
申请号：CN91102532.4
申请日：1991-04-13
Applicant: 日本钢管株式会社
Abstract: 一种大直径单晶硅生产设备，具有一旋转式石英坩埚、一电阻式加热器、一具有连通孔的石英分隔件、一保温盖等。开在分隔件上的连通孔其横截面的总面积A，当原料进料速度在30与50克/分子之间时在80与100平方毫米之间，当原料进料速度在50至80克/分的范围时不小于130平方毫米，但不大于1200平方毫米，当原料进料速度在80至130克/分的范围时不小于220平方毫米，但不大于1600平方毫米。
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公开(公告)号：CN1041011A
公开(公告)日：1990-04-04
申请号：CN89106560.1
申请日：1989-07-07
Applicant: 日本钢管株式会社
Abstract: 一种硅单晶制造方法和设备，能够定量且稳定地馈送掺杂剂。按硅单晶的重量或者馈入的硅原料的重量，计算出熔硅中掺杂的浓度，预计添加掺杂剂(10)的时间与数量。掺杂剂采用同样浓度与重量，定量极准的掺杂片形式，连续或间歇地由圆筒(91)、活塞(92)和活塞操纵装置(93)组成的掺杂剂供给装置馈送。
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公开(公告)号：CN1020481C
公开(公告)日：1993-05-05
申请号：CN88108387
申请日：1988-12-08
Applicant: 日本钢管株式会社
CPC classification number: C30B15/02 , C30B15/14 , Y10S117/90 , Y10T117/1052
Abstract: 按照本发明，用一个隔板环将放有熔化原料的坩埚的内部隔开，从而使被提拉的单晶被包围并且使熔化原料可以流动，颗粒状硅加到隔板环的外侧，从而使外侧的熔化液体成为一个颗粒状硅的可溶区域，以保持隔板环内侧的熔化液面几乎保持恒定，并且用一块保温板覆盖隔板环及其外侧的熔化液面，使隔板环外侧的熔化液体温度至少比其内部的温度高出10℃，或更高些。
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公开(公告)号：CN1048900A
公开(公告)日：1991-01-30
申请号：CN90102475.9
申请日：1990-03-30
Applicant: 日本钢管株式会社
Abstract: 在本发明的单晶硅制造设备中，有一热辐射屏在单晶生长区上方，以屏蔽和调节来自单晶生长区中熔融硅表面的热辐射，而降低坩埚温度从而降低单晶中的氧浓度以减少熔融硅中的氧量。该热辐射屏包括一用金属板覆盖的耐火纤维材料，一多层金属薄板组合件或一电阻加热元件。此外，坩埚内部还被一加工成许多小孔在隔离部件隔开，或一石英管沿该隔离件的圆周方向延伸安装在其内侧，使熔融硅从物料熔化区流畅地流向单晶生长区并从而提供有效的措施。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1042954A
公开(公告)日：1990-06-13
申请号：CN89109188.2
申请日：1989-11-11
Applicant: 日本钢管株式会社
CPC classification number: C30B15/12 , C30B15/14 , Y10S117/90 , Y10T117/1052 , Y10T117/1056 , Y10T117/1068
Abstract: 一种硅单晶的制取设备，其中在旋转石英坩埚内配置具有至少一个穿过其下部的小孔的成形挡板，使其环绕着大圆柱形硅单晶，该硅单晶被旋转并被拉出。挡板的全部或一部份由泡沫石英玻璃制成，该泡沫石英玻璃的气泡含量(体积百分比)为0.01-15％，或者小于0.01％，但此时通过用于熔化硅原料的热量使其增加到0.01-15％。因此，防止了与挡板内侧接触的熔融物料温度的降低，并且防止了熔融物料在此部位的凝固。
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公开(公告)号：CN1020767C
公开(公告)日：1993-05-19
申请号：CN89106560.1
申请日：1989-07-07
Applicant: 日本钢管株式会社
Abstract: 一种硅单晶制造方法和设备，能够定量且稳定地馈送掺杂剂。按硅单晶的重量或者馈入的硅原料的重量，计算出熔硅中掺杂的浓度，预计添加掺杂剂(10)的时间与数量。掺杂剂采用同样浓度与重量，定量极准的掺杂片形式，连续或间歇地由园筒(91)、活塞(92)和活塞操纵装置(93)组成的掺杂剂供给装置馈送。
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公开(公告)号：CN1051207A
公开(公告)日：1991-05-08
申请号：CN90102209.8
申请日：1990-03-30
Applicant: 日本钢管株式会社
CPC classification number: C30B15/14 , C30B15/12 , Y10S117/90 , Y10T117/1052 , Y10T117/1068
Abstract: 在一种连续装入原料类型的硅单晶制造设备中，设有一个隔件将石英坩埚内的熔体分成单晶生长区和材料熔化区，还有一个将该材料熔化区上方遮盖起来的金属持热板。该金属持热板用来防止隔件内侧上硅熔体凝固，并防止硅单晶过冷。金属持热板厚度为3mm或更薄，而其材料为钽或钼。再者，该持热板包括具有多个开孔的直体部位，用来调节单晶温度。
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公开(公告)号：CN1018001B
公开(公告)日：1992-08-26
申请号：CN90102475.9
申请日：1990-03-30
Applicant: 日本钢管株式会社
Abstract: 在本发明的单晶硅制造设备中，有一热辐射屏在单晶生长区上方，以屏蔽和调节来自单晶生长区中熔融硅表面的热辐射，而降低坩埚温度从而降低单晶中的氧浓度以减少熔融硅中的氧量。该热辐射屏包括一用金属板覆盖的耐火纤维材料，一多层金属薄板组合件或一电阻加热元件。此外，坩埚内部还被一加工成许多小孔的隔离部件隔开，或一石英管沿该隔离件的圆周方向延伸安装在其内侧，使熔融硅从物料熔化区流畅地流向单晶生长区并从而提供有效的措施。
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