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公开(公告)号：CN104871286A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201380067226.7
申请日：2013-12-20
申请人： 普莱克斯技术有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , C23C14/34 , F17C13/04 , H01J37/08 , H01J37/317
CPC分类号： H01L21/265 , C01B3/00 , C01B23/00 , C23C14/34 , F17C1/005 , F17C2201/0109 , F17C2201/0114 , F17C2201/035 , F17C2201/058 , F17C2203/0617 , F17C2205/0329 , F17C2205/0332 , F17C2205/0335 , F17C2205/0338 , F17C2205/035 , F17C2205/0385 , F17C2205/0391 , F17C2221/03 , F17C2223/0123 , F17C2225/038 , F17C2260/044 , F17C2270/0518 , F17C2270/0745 , H01J37/3002 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01J2237/31701 , Y02E60/321 , Y02E60/324 , Y10T137/2012 , F17C13/04 , H01J37/08 , H01J37/32
摘要： 提供用于输送含CO的掺杂物气体组合物的供应源。所述组合物包括控制量的稀释剂气体混合物例如氙气和氢气，其各自以控制的体积比率提供以确保最佳的碳离子注入性能。所述组合物可包装为由含CO的供应源和稀释剂混合物供应源组成的掺杂物气体套件。备选地，所述组合物可预先混合并从单一来源引入，所述单一来源可响应沿排流路径所达到的负压条件而启动以允许掺杂物混合物从所述装置的内部体积受控流入离子源设备中。
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公开(公告)号：CN102549705A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201080043549.9
申请日：2010-09-24
申请人： 普莱克斯技术有限公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/16 , H01J37/08 , C23C14/56
CPC分类号： H01J37/3171 , C23C14/48 , C23C14/564 , H01J37/08 , H01J37/32412 , H01J37/32862 , H01J2237/022
摘要： 本发明部分涉及一种用于清洗在半导体和微电子制造中使用的离子注入机的离子源组件的方法。所述离子源组件包括电离室和所述电离室内所容纳的一个或多个组件。所述电离室的内部和/或所述电离室内所容纳的所述一个或多个组件在其上具有如碳硼烷(C2B10H12)的掺杂气体内所含元素的至少一些沉积物。所述方法涉及将清洗气体引入至电离室中，以及在足以从电离室的内部和/或从电离室内所容纳的一个或多个组件上去除沉积物的至少一部分的条件下，使清洗气体与沉积物反应。所述清洗气体为F2、选自稀有气体和/或氮气的一种或多种惰性气体和任选O2的混合物，或含氧/氟气体和选自稀有气体和/或氮气的一种或多种惰性气体的混合物。沉积物不利地影响离子注入机的正常操作，导致频繁停工时间和降低工具利用率。
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公开(公告)号：CN103189956B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201180054242.3
申请日：2011-09-12
申请人： 普莱克斯技术有限公司
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/317 , C23C14/48
CPC分类号： H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/022
摘要： 本发明部分地涉及防止或减少在半导体及微电子制造中使用的离子注入机的离子源组件中形成及/或积聚沉积物的方法。所述离子源组件包括电离室及一个或一个以上含于所述电离室内的组件。所述方法涉及将掺杂剂气体引入所述电离室中，其中，所述掺杂剂气体具有足以防止或减少在电离期间形成氟离子/氟自由基的组成。随后在足以防止或减少在所述电离室的内部及/或在所述一个或一个以上含于所述电离室内的组件上形成及/或积聚沉积物的条件下使所述掺杂剂气体电离。所述沉积物不利地影响所述离子注入机的正常操作，从而造成频繁停工时间且减少工具利用。
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公开(公告)号：CN105229771A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201480030681.4
申请日：2014-05-28
申请人： 普莱克斯技术有限公司
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/317
CPC分类号： H01L21/265 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01L21/67017 , Y10T137/86348 , Y10T137/88054
摘要： 提供了用于使用铝掺杂剂组合物的方法和系统。选择铝掺杂剂组合物的组合物，其由式AlxRyLz代表，其中R是甲基，L是Cl、F、I或Br，x是1或2，由此若x=1，那么y=1或2且若x=2，那么y= 2-4，及对于x=1或x=2，z= 3x–y。组合物具有足够的蒸汽压和最少的碳含量，从而使得能够容易地向离子注入过程递送并在Al离子注入期间显著减少碳沉积。源材料优选由低于大气压的储存和递送设备来储存和递送，以增强在Al离子注入过程期间的安全性和可靠性。
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公开(公告)号：CN104080957A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201280069224.7
申请日：2012-12-04
申请人： 普莱克斯技术有限公司
CPC分类号： C01B23/0094 , C01B23/0021 , C01B2210/0004 , C01B2210/0034 , C01B2210/0045 , C01B2210/005 , C01B2210/0053 , C01B2210/007 , C01B2210/0098 , C30B15/00 , C30B15/20 , C30B29/06 , F25J3/08 , F25J2200/02 , F25J2205/40 , F25J2205/50 , F25J2205/82 , F25J2215/30 , F25J2215/58 , F25J2245/02 , F25J2245/58 , Y02C10/12
摘要： 本发明涉及一种用于结合硅晶体拉制方法来持续地回收、纯化和再循环惰性气体的方法。通过用调节量的氧化源气体混合物就地氧化，将在晶体生长工艺期间产生的氧化硅杂质完全氧化以形成二氧化硅杂质，其可通过颗粒移除装置移除。无颗粒的流出物进入纯化单元以移除剩余杂质。从纯化单元中涌出的惰性气体可被给送回晶体拉晶机设备和/或与氧化源气体混合物混合。因此，可实现增加硅晶体通过量、品质和同时降低与再循环惰性气体相关成本的能力。
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公开(公告)号：CN105229771B
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201480030681.4
申请日：2014-05-28
申请人： 普莱克斯技术有限公司
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/317
CPC分类号： H01L21/265 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01L21/67017 , Y10T137/86348 , Y10T137/88054
摘要： 提供了用于使用铝掺杂剂组合物的方法和系统。选择铝掺杂剂组合物的组合物，其由式AlxRyLz代表，其中R是甲基，L是Cl、F、I或Br，x是1或2，由此若x=1，那么y=1或2且若x=2，那么y=2‑4，及对于x=1或x=2，z=3x–y。组合物具有足够的蒸汽压和最少的碳含量，从而使得能够容易地向离子注入过程递送并在Al离子注入期间显著减少碳沉积。源材料优选由低于大气压的储存和递送设备来储存和递送，以增强在Al离子注入过程期间的安全性和可靠性。
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公开(公告)号：CN105960615A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201580007501.5
申请日：2015-02-03
申请人： 普莱克斯技术有限公司
IPC分类号： G05D11/13
摘要： 提供一种生产具有最小容限变动的期望目标浓度的混合物并且没有废气产生的动态共混系统和方法。可利用由所述共混方法制备的混合物，且无需排出。本发明的系统和方法使对共混的气体混合物的浓度进行相对小的调节的能力成为可能。所述系统和方法还包括减小测量误差的特别设计的取样方案。
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公开(公告)号：CN102549705B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201080043549.9
申请日：2010-09-24
申请人： 普莱克斯技术有限公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/16 , H01J37/08 , C23C14/56
CPC分类号： H01J37/3171 , C23C14/48 , C23C14/564 , H01J37/08 , H01J37/32412 , H01J37/32862 , H01J2237/022
摘要： 本发明部分涉及一种用于清洗在半导体和微电子制造中使用的离子注入机的离子源组件的方法。所述离子源组件包括电离室和所述电离室内所容纳的一个或多个组件。所述电离室的内部和/或所述电离室内所容纳的所述一个或多个组件在其上具有如碳硼烷(C2B10H12)的掺杂气体内所含元素的至少一些沉积物。所述方法涉及将清洗气体引入至电离室中，以及在足以从电离室的内部和/或从电离室内所容纳的一个或多个组件上去除沉积物的至少一部分的条件下，使清洗气体与沉积物反应。所述清洗气体为F2、选自稀有气体和/或氮气的一种或多种惰性气体和任选O2的混合物，或含氧/氟气体和选自稀有气体和/或氮气的一种或多种惰性气体的混合物。沉积物不利地影响离子注入机的正常操作，导致频繁停工时间和降低工具利用率。
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公开(公告)号：CN104584183A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201380044955.0
申请日：2013-08-28
申请人： 普莱克斯技术有限公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/08
CPC分类号： H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/006
摘要： 提供用于在硅离子注入期间改进束电流的掺杂剂气体组合物、使用该组合物系统和方法。硅离子注入工艺涉及利用第一基于硅的辅助物质和第二物质。选择第二物质，以在产生并注入活性硅离子物质期间在所利用的离子源的操作电弧电压下具有比第一基于硅的物质更高的电离截面。活性硅离子产生改进的束电流，其特征在于与单独从SiF4产生的束电流相比，保持或增加束电流水平而不引起离子源降级。
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公开(公告)号：CN105190826B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201480024538.4
申请日：2014-05-01
申请人： 普莱克斯技术有限公司
IPC分类号： H01J37/317 , C23C14/00 , F17C1/00 , H01L21/265
摘要： 提供一种用于离子注入包含同位素富集硒的源材料的新颖方法。选择所述源材料并富集硒的特定质量同位素，藉此所述富集高于天然丰度水平。本发明的方法允许降低气体消耗以及减少废物。优选从低于大气压的储存和递送设备储存并递送所述源材料，以增加在所述硒离子注入工艺期间的安全性和可靠性。
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