一种硅片用超声波清洗装置及清洗方法

    公开(公告)号:CN115463894B

    公开(公告)日:2024-06-11

    申请号:CN202211074786.2

    申请日:2022-09-02

    IPC分类号: B08B3/12 B08B13/00 H01L21/67

    摘要: 本发明公开了一种硅片用超声波清洗装置及清洗方法,包括:清洗筒,所述清洗筒的内壁上设有升降装置和超声波发生器,所述升降装置上设有放料板,所述升降装置上设有放置架,所述超声波发生器和升降装置均与控制器电连接;通过升降装置将放置架和放料板抬升至同一高度,然后推动放料板上放好待清洗硅片的新放置架取代升降装置上的放置架,完成清洗机的快速换料,提高清洗速度。

    一种晶硅成品方棒检测设备

    公开(公告)号:CN116379920B

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN202310314151.3

    申请日:2023-03-28

    IPC分类号: G01B11/00

    摘要: 本发明公开了一种晶硅成品方棒检测设备,包括:检测架,所述检测架内壁顶端设有夹取装置,所述检测架的内壁上设有若干相机,所述相机通过调节装置与检测架连接,所述夹取装置、相机和调节装置均与控制器电连接;通过调节装置件相加调整至合适位置后,然后启动夹取装置将处于检测工位的方棒夹取提升至指定高度,然后启动相机对方棒的四周进行拍摄,并将拍摄数据上传至数据库进行对比,通过相机进行测量可以节省操作工的单根测量时间、降低晶棒搬运碰撞风险、提高工作效率、产品合格率,降低运营成本。

    一种硅片用超声波清洗装置及清洗方法

    公开(公告)号:CN115463894A

    公开(公告)日:2022-12-13

    申请号:CN202211074786.2

    申请日:2022-09-02

    IPC分类号: B08B3/12 B08B13/00 H01L21/67

    摘要: 本发明公开了一种硅片用超声波清洗装置及清洗方法,包括:清洗筒,所述清洗筒的内壁上设有升降装置和超声波发生器,所述升降装置上设有放料板,所述升降装置上设有放置架,所述超声波发生器和升降装置均与控制器电连接;通过升降装置将放置架和放料板抬升至同一高度,然后推动放料板上放好待清洗硅片的新放置架取代升降装置上的放置架,完成清洗机的快速换料,提高清洗速度。

    一种直拉单晶硅埚缝测量用具及其使用方法

    公开(公告)号:CN115434005A

    公开(公告)日:2022-12-06

    申请号:CN202211010306.6

    申请日:2022-08-23

    IPC分类号: C30B15/10 C30B29/06

    摘要: 本发明公开了一种直拉单晶硅埚缝测量用具及其使用方法,其中,直拉单晶硅埚缝测量用具包括:用具本体,用具本体采用石英材质制成,用具本体设为等腰锐角三角形状,用具本体的顶角贴靠硅液的液面设置,用具本体上预留有开孔;钼螺栓,所述钼螺栓穿设所述开孔,并连接于导流罩的底端;直拉单晶硅埚缝测量用具使用方法包括:步骤1、清洗用具本体,进而保证用具本体的表面无异物附着;步骤2、人工通过钼螺栓将用具本体安装在导流罩的底端,所述导流罩的底端预留有与所述钼螺栓连接的螺孔,所述用具本体自然下垂;步骤3、导流罩自直拉单晶硅埚上方下落,肉眼观察所述用具本体的顶角,当所述用具本体的顶角贴靠硅液的液面时,导流罩停止下移。

    一种多晶硅料的酸洗设备

    公开(公告)号:CN117303372A

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202311311179.8

    申请日:2023-10-11

    IPC分类号: C01B33/037 B08B3/08 B08B13/00

    摘要: 本发明公开了一种多晶硅料的酸洗设备,包括:前输送单元,料箱行走于前输送单元上;酸洗单元,所述酸洗单元包括酸洗池和行走于酸洗池上方的搬运组件,所述搬运组件将料箱自前输送单元搬运到酸洗池内;后烘干单元,所述搬运组件将料箱自酸洗池搬运到后烘干单元。本发明提供了一种多晶硅料的酸洗设备,实现无人化操作,且硅料的整个酸洗过程清洗时间短,清洗效果洁净,降低了清洗成本,达到了降本增效的目的,可更好的提升生产效率。硅料放置于料箱内,前输送单元将每个料箱逐一输送到靠近酸洗池位置后,搬运组件完成每个料箱的搬运,料箱放置于酸洗池内进行酸洗后,搬运组件将酸洗池内的料箱搬入后烘干单元内进行烘干操作。

    一种单晶炉用双孔放气过滤罐

    公开(公告)号:CN115382308A

    公开(公告)日:2022-11-25

    申请号:CN202211010312.1

    申请日:2022-08-23

    摘要: 本发明公开了一种单晶炉用双孔放气过滤罐,包括:立式罐体,过滤室设于所述立式罐体内,进气口设于所述立式罐体侧端靠近底端位置,并连通于所述过滤室内,排气口设于所述立式罐体侧端靠近顶端位置,并连通于所述过滤室内;上孔放气单元、下孔放气单元,所述上孔放气单元安装于所述立式罐体顶端位置,并连通于所述过滤室内,所述下孔放气单元安装于所述立式罐体底端,并连通于所述过滤室内;过滤袋单元,所述过滤袋单元安装于所述过滤室内;过滤袋抖动单元,所述过滤袋抖动单元安装于所述立式罐体顶端,所述过滤袋抖动单元与所述过滤袋单元连接。

    一种多晶硅料的酸洗设备

    公开(公告)号:CN117303372B

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202311311179.8

    申请日:2023-10-11

    IPC分类号: B08B3/08 C01B33/037 B08B13/00

    摘要: 本发明公开了一种多晶硅料的酸洗设备,包括:前输送单元,料箱行走于前输送单元上;酸洗单元,所述酸洗单元包括酸洗池和行走于酸洗池上方的搬运组件,所述搬运组件将料箱自前输送单元搬运到酸洗池内;后烘干单元,所述搬运组件将料箱自酸洗池搬运到后烘干单元。本发明提供了一种多晶硅料的酸洗设备,实现无人化操作,且硅料的整个酸洗过程清洗时间短,清洗效果洁净,降低了清洗成本,达到了降本增效的目的,可更好的提升生产效率。硅料放置于料箱内,前输送单元将每个料箱逐一输送到靠近酸洗池位置后,搬运组件完成每个料箱的搬运,料箱放置于酸洗池内进行酸洗后,搬运组件将酸洗池内的料箱搬入后烘干单元内进行烘干操作。

    一种单晶炉用重锤结构
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN115537910B

    公开(公告)日:2023-09-19

    申请号:CN202211188803.5

    申请日:2022-09-28

    IPC分类号: C30B15/00 C30B29/06

    摘要: 本发明公开了一种单晶炉用重锤结构,包括重锤本体,所述重锤本体包括螺接的上连接件和下连接件,所述上连接件采用不锈钢材质制成,所述下连接件采用钼材质制成。本发明公开了一种单晶炉用重锤结构,不同于现有的重锤结构都是整体采用钼材质制成,重锤本体包括螺接的上连接件和下连接件,上连接件采用不锈钢材质制成,下连接件采用钼材质制成。本发明提供的一种单晶炉用重锤结构,这样的好处在于:一、不锈钢材质的上连接件与钼材质的下连接件采用螺纹连接,配合紧密,拆卸方便,且在单一部件受损后,可单独更换;二、结构相较于现有的整体采用钼材质制成价格低廉,且不锈钢材质的上连接件易于车削。

    一种晶硅成品方棒检测设备
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116379920A

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN202310314151.3

    申请日:2023-03-28

    IPC分类号: G01B11/00

    摘要: 本发明公开了一种晶硅成品方棒检测设备,包括:检测架,所述检测架内壁顶端设有夹取装置,所述检测架的内壁上设有若干相机,所述相机通过调节装置与检测架连接,所述夹取装置、相机和调节装置均与控制器电连接;通过调节装置件相加调整至合适位置后,然后启动夹取装置将处于检测工位的方棒夹取提升至指定高度,然后启动相机对方棒的四周进行拍摄,并将拍摄数据上传至数据库进行对比,通过相机进行测量可以节省操作工的单根测量时间、降低晶棒搬运碰撞风险、提高工作效率、产品合格率,降低运营成本。

    一种直拉单晶硅埚缝测量用具及其使用方法

    公开(公告)号:CN115434005B

    公开(公告)日:2023-05-26

    申请号:CN202211010306.6

    申请日:2022-08-23

    IPC分类号: C30B15/10 C30B29/06

    摘要: 本发明公开了一种直拉单晶硅埚缝测量用具及其使用方法,其中,直拉单晶硅埚缝测量用具包括:用具本体,用具本体采用石英材质制成,用具本体设为等腰锐角三角形状,用具本体的顶角贴靠硅液的液面设置,用具本体上预留有开孔;钼螺栓,所述钼螺栓穿设所述开孔,并连接于导流罩的底端;直拉单晶硅埚缝测量用具使用方法包括:步骤1、清洗用具本体,进而保证用具本体的表面无异物附着;步骤2、人工通过钼螺栓将用具本体安装在导流罩的底端,所述导流罩的底端预留有与所述钼螺栓连接的螺孔,所述用具本体自然下垂;步骤3、导流罩自直拉单晶硅埚上方下落,肉眼观察所述用具本体的顶角,当所述用具本体的顶角贴靠硅液的液面时,导流罩停止下移。