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公开(公告)号：CN114026674A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202080046734.7
申请日：2020-06-23
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 大卫·穆伊 , 杰罗姆·米歇尔·多米尼克·美莱特 , 南森·马塞尔怀特 , 迈克尔·拉夫金 , 马克·卡瓦古奇 , 伊利亚·卡利诺夫斯基
摘要： 一种清洁衬底的方法包含：将所述衬底布置在处理室中；将所述处理室的压强控制在预定压强范围内；将所述处理室的温度控制在预定温度范围内；在第一期间中持续供应包含金属螫合物蒸气的蒸气混合物，以从所述衬底的表面去除金属污染物。
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公开(公告)号：CN112956026A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201980073253.2
申请日：2019-09-10
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 吴惠荣 , 巴特·J·范施拉芬迪克 , 马克·直司·川口 , 格伦·古纳万 , 杰伊·E·厄格洛 , 纳格拉杰·尚卡尔 , 高里·钱纳·卡玛蒂 , 凯文·M·麦克劳克林 , 阿南达·K·巴纳基 , 杨家岭 , 约翰·霍昂 , 亚伦·林恩·罗赞 , 南森·马塞尔怀特 , 沈美华 , 索斯藤·贝恩德·莱尔 , 迟昊 , 尼古拉斯·多米尼克·阿尔铁里
IPC分类号： H01L27/11551 , H01L27/11524 , H01L21/768 , H01L21/02 , H01L21/311
摘要： 本文提供用于形成包括含金属层的图案化多层堆叠件的方法。方法涉及在包括待稍后移除并用金属代替的一牺牲层的多层堆叠件中使用含硅的非金属材料，同时维持蚀刻对比度以图案化多层堆叠件并在沉积金属之前选择性移除牺牲层。方法涉及使用硅碳氧化物代替硅氮化物、以及使用牺牲非金属材料代替含金属层，以制造多层堆叠件、图案化该多层堆叠件、选择性移除牺牲非金属材料以在堆叠件中留下空间、并将含金属材料沉积至空间中。牺牲非金属材料包括硅氮化物和掺杂的多晶硅、例如掺杂硼的硅。
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公开(公告)号：CN115668463A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202180039634.6
申请日：2021-03-29
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/67 , H01L21/02
摘要： 本发明描述的各种实施方案涉及用于蚀刻半导体衬底以从衬底表面去除目标材料的方法和装置。总体上，本发明描述的技术是不依赖于等离子体使用的热技术。在许多实施方案中，向反应室提供特定的气体混合物以与目标材料反应。气体混合物可包括卤素源如氟化氢(HF)、有机溶剂和/或水、添加剂和载气的组合。许多不同的材料可用于有机溶剂和/或添加剂。
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公开(公告)号：CN112335016A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201980039739.4
申请日：2019-06-07
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/306
摘要： 一种处理衬底的方法包含：将衬底设置在处理室中。将汽化溶剂和包含所述溶剂的气体混合物中的至少一者供应至所述处理室，以在所述衬底的暴露表面上形成所述溶剂的保形液体层。将所述汽化溶剂及所述气体混合物中的所述至少一者从所述处理室中移除。将包含卤素物质的反应性气体供应至所述处理室。所述保形液体层吸附所述反应性气体以形成反应性液体层，所述反应性液体层对所述衬底的所述暴露表面进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN107706132A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710674081.7
申请日：2017-08-09
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67034 , H01L21/67051 , H01L21/67115 , H01L21/68 , H01L21/68721 , H01L21/68728 , H01L21/68735 , H01L21/68792
摘要： 本发明涉及用于处理晶片状物品的方法和装置，用于干燥晶片状物品的方法包括在旋转卡盘上旋转预先确定直径的晶片状物品，并将干燥液体分配到晶片状物品的一侧。干燥液体含有大于50质量％的有机溶剂。在分配步骤的至少一部分期间，用加热组件加热晶片状物品。在分配步骤的至少一部分期间，当干燥液体接触晶片状物品时，含氟化合物存在于干燥液体中或者干燥液体周围的气体中。
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