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公开(公告)号：CN102232237B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN200980148233.3
申请日：2009-10-01
申请人： 迈普尔平版印刷IP有限公司
发明人： 斯蒂金.W.H.K.斯廷布林克 , 约翰.J.康宁格 , 彼得.维尔特曼
CPC分类号： H01J37/12 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3174 , H01J37/3177 , H01J2237/004 , H01J2237/0203 , H01J2237/03 , H01J2237/04924 , Y10T29/49
摘要： 一种静电透镜，包括具有第一孔径的第一导电板(51)、具有第二孔径的第二导电板(52)，第二孔径与第一孔径基本对准；用于向第一导电板供应第一电压并向第二导电板供应第二电压的电压电源，第一电压低于第二电压；以及用于将第一导电板与第二导电板分开的绝缘构件(57)。该绝缘构件包括与第一导电板接触的第一部分(57A)和与第二导电板接触的第二部分(57B)，第一部分具有垂悬部分(57C)且第二部分具有在绝缘构件的边缘处的齿状部分，使得在垂悬部分和第二导电板之间形成间隙。
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公开(公告)号：CN103597572B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201280028446.4
申请日：2012-04-27
申请人： 迈普尔平版印刷IP有限公司
发明人： A·万·登·布罗姆 , S·W·H·K·施藤布里克 , M·J-J·威兰 , G·德·博尔 , P·卡佩尔霍夫
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/067 , G03F7/20 , H01J37/20
CPC分类号： H01J37/20 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/708 , G03F7/70825 , G03F7/70975 , H01J37/3174 , H01J37/3177 , H01J2237/024 , H01J2237/03 , H01J2237/0437 , H01J2237/1502 , H01J2237/153
摘要： 用于处理靶片表面的带电粒子系统。本发明涉及一种利用至少一个带电粒子射束处理靶片表面的带电粒子系统。该系统包括光学柱，该光学柱具有：射束生成器模块，用于产生多个带电粒子射束；射束调制器模块，用于开启和关闭所述多个射束；以及射束投射器模块，用于使射束或者子射束投射到所述靶片表面上。该系统还包括：机架，用于在固定位置支承每个所述模块；以及对准元件，用于使至少一个射束和/或子射束与下游模块元件对准。
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公开(公告)号：CN102232237A
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200980148233.3
申请日：2009-10-01
申请人： 迈普尔平版印刷IP有限公司
发明人： 斯蒂金.W.H.K.斯廷布林克 , 约翰.J.康宁格 , 彼得.维尔特曼
CPC分类号： H01J37/12 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3174 , H01J37/3177 , H01J2237/004 , H01J2237/0203 , H01J2237/03 , H01J2237/04924 , Y10T29/49
摘要： 一种静电透镜，包括具有第一孔径的第一导电板(51)、具有第二孔径的第二导电板(52)，第二孔径与第一孔径基本对准；用于向第一导电板供应第一电压并向第二导电板供应第二电压的电压电源，第一电压低于第二电压；以及用于将第一导电板与第二导电板分开的绝缘构件(57)。该绝缘构件包括与第一导电板接触的第一部分(57A)和与第二导电板接触的第二部分(57B)，第一部分具有垂悬部分(57C)且第二部分具有在绝缘构件的边缘处的齿状部分，使得在垂悬部分和第二导电板之间形成间隙。
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公开(公告)号：CN103597572A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201280028446.4
申请日：2012-04-27
申请人： 迈普尔平版印刷IP有限公司
发明人： A·万·登·布罗姆 , S·W·H·K·施藤布里克 , M·J-J·威兰 , G·德·博尔 , P·卡佩尔霍夫
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/067 , G03F7/20 , H01J37/20
CPC分类号： H01J37/20 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/708 , G03F7/70825 , G03F7/70975 , H01J37/3174 , H01J37/3177 , H01J2237/024 , H01J2237/03 , H01J2237/0437 , H01J2237/1502 , H01J2237/153
摘要： 用于处理靶片表面的带电粒子系统。本发明涉及一种利用至少一个带电粒子射束处理靶片表面的带电粒子系统。该系统包括光学柱，该光学柱具有：射束生成器模块，用于产生多个带电粒子射束；射束调制器模块，用于开启和关闭所述多个射束；以及射束投射器模块，用于使射束或者子射束投射到所述靶片表面上。该系统还包括：机架，用于在固定位置支承每个所述模块；以及对准元件，用于使至少一个射束和/或子射束与下游模块元件对准。
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公开(公告)号：CN103250228A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201180055640.7
申请日：2011-10-07
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 彼得·F·库鲁尼西 , 维克多·M·本夫尼斯特 , 奥利佛·V·那莫佛斯奇
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/02
CPC分类号： H01J37/3211 , H01J37/026 , H01J37/3171 , H01J37/32688 , H01J2237/03
摘要： 一种离子布植系统中的等离子体流体枪。等离子体流体枪可包括具有一或多个孔的等离子体腔室(118)、能供应至少一种气体物质至等离子体腔室的气体源、设置于等离子体腔室里的单匝线圈(120)、及用来感应耦合射频电功率以激发等离子体腔室中至少一种气体物质以产生等离子体而耦合至线圈的电源。等离子体腔室的内表面可以是不含金属的材料，且等离子体不可暴露于等离子体腔室里任何含金属的组件。等离子体腔室可包括多个用来控制等离子体的磁铁(126)。出口孔(124)可提供于等离子体腔室中以使得产出等离子体的负电荷粒子能参与离子束，其中离子束为相关离子布植系统的部份。在一个实施例中，磁铁可被设置在孔的相对侧上，且被用于操纵等离子体的电子。
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公开(公告)号：CN101826434A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010128803.7
申请日：2010-03-08
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 桧森慎司
CPC分类号： H01J37/32577 , H01J37/3255 , H01J2237/03
摘要： 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理装置用的电极，控制等离子体生成时所消耗的高频的电场强度分布。该等离子体处理装置用的电极为在利用高频能量生成等离子体、对晶片(W)进行等离子体处理的等离子体蚀刻装置(10)中使用的电极，该电极具有：由金属形成的基材(105a)；设置在基材(105a)的等离子体侧的面的中央部、至少一部分从基材(105a)露出的第一电介质(105b)；和设置在第一电介质(105b)和等离子体之间、由金属形成规定图案的第一电阻体(105d)。
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公开(公告)号：CN101506950A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200780027379.3
申请日：2007-07-13
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 阿列克谢·马拉赫塔诺夫 , 拉金德尔·德辛德萨 , 埃里克·赫德森 , 安德烈亚斯·菲舍尔
IPC分类号： H01L21/306 , C23C16/00
CPC分类号： H01J37/321 , H01J37/32091 , H01J2237/03
摘要： 一种用于电感方式限制在等离子处理设备中形成的电容耦合RF等离子的装置。该设备包括上部电极和下部电极，该下部电极适于支撑基片并在该基片和该上部电极之间产生等离子。该装置包括同心围绕该上部电极的介电支撑环和多个安装在该介电支撑环上的线圈单元。每个线圈单元包括沿该介电支撑环径向设置的铁磁芯体以及至少一个围绕每个铁磁芯体缠绕的线圈。该线圈单元在接收来自RF电源的RF功率时产生电场和磁场，该电场和磁场减少该等离子中扩散出该等离子的带电粒子数量。
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公开(公告)号：CN108885960A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780019766.6
申请日：2017-04-04
申请人： 艾克塞利斯科技公司
CPC分类号： G21F1/06 , H01J9/32 , H01J27/08 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/0213 , H01J2237/022 , H01J2237/03 , H01J2237/31701
摘要： 本发明涉及一种电弧腔室，其包括具有凹进表面的内衬以及具有第一直径的通孔。内衬具有自所述表面朝向围绕通孔的表面向上延伸并且具有第二直径的唇缘。电极具有轴部和头部。轴部具有小于第一直径的第三直径并且穿过主体和通孔并通过环状间隙与内衬电性隔离。头部具有第四直径和第三表面，该第三表面具有自第三表面朝向第二表面向下延伸的电极唇缘。电极唇缘具有介于第二直径与第四直径之间的第五直径。内衬唇缘与电极唇缘之间的间距界定迷宫式密封件并大体上防止污染物进入环状间隙。
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公开(公告)号：CN103250228B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201180055640.7
申请日：2011-10-07
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 彼得·F·库鲁尼西 , 维克多·M·本夫尼斯特 , 奥利佛·V·那莫佛斯奇
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/02
CPC分类号： H01J37/3211 , H01J37/026 , H01J37/3171 , H01J37/32688 , H01J2237/03
摘要： 一种使用于离子布植系统中的等离子体流体枪及其提供方法。等离子体流体枪可包括具有一或多个孔的等离子体腔室(118)、能供应至少一种气体物质至等离子体腔室的气体源、设置于等离子体腔室里的单匝线圈(120)、及用来感应耦合射频电功率以激发等离子体腔室中至少一种气体物质以产生等离子体而耦合至线圈的电源。等离子体腔室的内表面可以是不含金属的材料，且等离子体不可暴露于等离子体腔室里任何含金属的组件。等离子体腔室可包括多个用来控制等离子体的磁铁(126)。出口孔(124)可提供于等离子体腔室中以使得产出等离子体的负电荷粒子能参与离子束，其中离子束为相关离子布植系统的部份。在实施例中，磁铁可被设置在孔的相对侧上，且被用于操纵等离子体的电子。
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公开(公告)号：CN101826434B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201010128803.7
申请日：2010-03-08
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 桧森慎司
CPC分类号： H01J37/32577 , H01J37/3255 , H01J2237/03
摘要： 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理装置用的电极，控制等离子体生成时所消耗的高频的电场强度分布。该等离子体处理装置用的电极为在利用高频能量生成等离子体、对晶片(W)进行等离子体处理的等离子体蚀刻装置(10)中使用的电极，该电极具有：由金属形成的基材(105a)；设置在基材(105a)的等离子体侧的面的中央部、至少一部分从基材(105a)露出的第一电介质(105b)；和设置在第一电介质(105b)和等离子体之间、由金属形成规定图案的第一电阻体(105d)。
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