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公开(公告)号：CN114270479B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202080056237.5
申请日：2020-06-22
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 在半导体设备制造中使用氧化锡膜作为间隔物及硬掩模。在一种方法中，需要在暴露的含硅层，例如SiOC、SiON、SiONC、非晶硅、SiC、或SiN存在时选择性地蚀刻锡氧化物层(如间隔物基脚)。为了减少对含硅层的损伤，工艺涉及使含硅层相对于锡氧化物蚀刻化学物质钝化、蚀刻氧化锡、以及以交替方式重复钝化与蚀刻。例如，钝化与蚀刻可各自进行介于2‑50次之间的次数。在一实现方案中，通过利用在等离子体中受到活化的含氧反应物处理衬底而进行钝化，并且氧化锡蚀刻是由基于氯的化学物质(如使用Cl2与BCl3的混合物)执行的。
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公开(公告)号：CN116134380A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202180060331.2
申请日：2021-07-16
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 埃里克·卡尔文·汉森 , 蒂莫西·威廉·威德曼 , 吴呈昊 , 林庆煌 , 基莱·乔丹·布莱克内 , 阿德里安·拉沃伊 , 希瓦南达·克里希南·卡纳卡萨巴帕蒂 , 萨曼塔·S·H·坦 , 理查德·怀斯 , 潘阳 , 李英熙 , 卡蒂·林恩·纳尔迪 , 凯文·利·顾 , 鲍里斯·沃洛斯基
IPC分类号： G03F7/004
摘要： 本发明涉及用金属前体与有机前体形成的膜，以及形成并采用这种膜的方法。该膜可用作可光图案化膜或辐射敏感膜。在特定的实施方案中，该膜包括含金属层与有机层的交替层。在其他实施方案中，该膜包括沉积金属与有机成分的基质。
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公开(公告)号：CN108682737A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810360987.6
申请日：2015-03-27
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L43/12
CPC分类号： H01L43/12 , C23F1/08 , C23F1/12 , C23F4/00 , H01L21/02554 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/10 , H01L45/1675
摘要： 本发明涉及蚀刻非挥发性金属材料的方法，具体提供了一种在一个或者多个循环内蚀刻具有至少一个金属层的堆叠的方法。实施初始步骤，将至少一个金属层的一部分转化成金属氧化物、金属卤化物或者晶格损坏的金属部位。实施反应步骤，提供一个或者多个循环，其中每个循环包括提供有机溶剂蒸气以形成溶剂化的金属、金属卤化物或者金属氧化物的状态，以及提供有机配体溶剂以形成挥发性的有机金属化合物。实施挥发性的有机金属化合物的解吸。
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公开(公告)号：CN104953027A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510140906.8
申请日：2015-03-27
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L43/12
CPC分类号： H01L43/12 , C23F1/08 , C23F1/12 , C23F4/00 , H01L21/02554 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/10 , H01L45/1675
摘要： 本发明涉及蚀刻非挥发性金属材料的方法，具体提供了一种在一个或者多个循环内蚀刻具有至少一个金属层的堆叠的方法。实施初始步骤，将至少一个金属层的一部分转化成金属氧化物、金属卤化物或者晶格损坏的金属部位。实施反应步骤，提供一个或者多个循环，其中每个循环包括提供有机溶剂蒸气以形成溶剂化的金属、金属卤化物或者金属氧化物的状态，以及提供有机配体溶剂以形成挥发性的有机金属化合物。实施挥发性的有机金属化合物的解吸。
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公开(公告)号：CN115398347A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202180026411.6
申请日：2021-01-29
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： G03F7/38 , G03F7/36 , G03F7/16 , H01L21/027
摘要： 本文所述的各种实施方案涉及用于处理含金属光致抗蚀剂以改变光致抗蚀剂的材料特性的方法、装置和系统。例如，本文的技术可以涉及在处理室中提供衬底，其中衬底包括衬底层上方的光致抗蚀剂层，并且其中光致抗蚀剂包括金属，并且处理光致抗蚀剂以改变光致抗蚀剂的材料特性，使得蚀刻选择性在随后的暴露后干式显影工艺中提高。在各种实施方案中，处理可涉及将衬底暴露于高温和/或远程等离子体。可以在处理期间控制一种或多种工艺条件，例如温度、压强、环境气体化学品、气体流量/比率和水分，以根据需要调整材料特性。
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公开(公告)号：CN115004110A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202180009838.5
申请日：2021-07-02
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 游正义 , 萨曼塔·S·H·坦 , 穆罕默德·哈隆·阿尔维 , 理查德·怀斯 , 潘阳 , 理查德·A·戈奇奥 , 阿德里安·拉沃伊 , 希瓦南达·克里希南·卡纳卡萨巴保蒂 , 蒂莫西·威廉·威德曼 , 林庆煌 , 杰罗姆·胡巴塞克
摘要： 在半导体衬底上制作薄膜的方法，该薄膜可以使用EUV进行图案化，该方法包括：将有机金属聚合物类材料沉积到半导体衬底的表面上，将表面暴露于EUV以形成图案，并显影图案以随后转移到下伏层。沉积操作可以通过化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)和具有CVD成分的ALD来执行，具有CVD成分的ALD例如在任一时间或空间分离金属前体和逆反应物的不连续的、类似ALD的工艺。
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公开(公告)号：CN114342043A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202080061227.0
申请日：2020-08-28
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 马修·斯科特·韦默 , 拉格什·普顿科维拉卡姆 , 戈登·亚历克斯·麦克唐纳德 , 张绍清 , 李石柯 , 薛君 , 萨曼塔·S·H·坦 , 赵熙祝 , 玛丽·安妮·马努姆皮尔 , 埃里克·A·赫德森 , 许金瑞
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/033 , H01L21/311 , H01J37/32 , C23C16/26 , C23C16/46 , C23C16/505
摘要： 本文提供了用于使用双频射频部件在低压室中的衬底上沉积可灰化硬掩模(AHM)的方法和相关装置。低压等离子体增强化学气相沉积可用于增加AHM的蚀刻选择性，从而使得能使用薄的AHM以用于半导体处理操作。
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公开(公告)号：CN117795433A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202280055574.1
申请日：2022-06-14
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 希瓦南达·克里希南·卡纳卡萨巴保蒂 , 杰罗姆·S·胡巴塞克 , 丹尼尔·彼得 , 萨曼塔·S·H·坦
摘要： 本文公开了用于干式显影工艺的辐射加热系统和方法。在一些实例中，这种系统和方法可允许干式显影处理已完成后可能留于晶片表面上的挥发性卤化物通过晶片的辐射加热而被驱离晶片。在一些实例中，可在原位环境中提供这种系统和方法，其中被加热的晶片在与执行干式显影工艺相同的室内被辐射加热。在其他情况下，这种辐射加热可在其他位置进行，例如，当晶片从处理室运至另一室时或完全在另一室中时进行。
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公开(公告)号：CN116626993A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310318757.4
申请日：2021-07-02
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 游正义 , 萨曼塔·S·H·坦 , 穆罕默德·哈隆·阿尔维 , 理查德·怀斯 , 潘阳 , 理查德·A·戈奇奥 , 阿德里安·拉沃伊 , 希瓦南达·克里希南·卡纳卡萨巴保蒂 , 蒂莫西·威廉·威德曼 , 林庆煌 , 杰罗姆·胡巴塞克
摘要： 在半导体衬底上制作薄膜的方法，该薄膜可以使用EUV进行图案化，该方法包括：将有机金属聚合物类材料沉积到半导体衬底的表面上，将表面暴露于EUV以形成图案，并显影图案以随后转移到下伏层。沉积操作可以通过化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)和具有CVD成分的ALD来执行，具有CVD成分的ALD例如在任一时间或空间分离金属前体和逆反应物的不连续的、类似ALD的工艺。
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公开(公告)号：CN113574456B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202180002531.2
申请日：2021-01-11
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 薛君 , 玛丽·安妮·马努姆皮尔 , 李达 , 萨曼塔·S·H·坦 , 游正义
IPC分类号： G03F7/09 , H01L21/027
摘要： 本公开一般涉及包括底层和成像层的图案化结构，及其方法和设备。在特定实施方案中，底层提供成像层的辐射吸收率和/或图案化性能的增加。
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