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公开(公告)号：CN102077695A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200980125831.9
申请日：2009-06-26
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H05H1/34
CPC分类号： H01J37/32541 , H01J37/32009 , H01J37/32605 , H01L21/67069
摘要： 根据本公开的一种实施方式，提供了一种包含多部件电极和周边啮合电极载架的总成。所述周边啮合电极载架包含托架和多个往复电极支座。所述多部件电极位于所述托架的所述电极安装孔里。所述电极的所述垫板包含多个形成于其周边的安装凹口。所述往复电极支座可以往复进出所述安装凹口。范围较宽和较窄的其它实施方式是可以预料的。
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公开(公告)号：CN101563762A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200780046900.8
申请日：2007-12-17
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 杰森·奥古斯蒂诺 , 安东尼·德拉列拉 , 艾伦·K·龙尼 , 金在贤 , 拉金德尔·德辛德萨 , 王云昆 , 沙鲁巴·J·乌拉尔 , 安东尼·J·诺雷尔 , 基思·科门丹特 , 小威廉姆·M·丹蒂
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/205 , C23C16/505
CPC分类号： H01L21/67069 , C23C16/45565 , C23C16/45582 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32541 , H01L21/67017
摘要： 提供一种用于等离子处理设备的喷头电极总成。该喷头电极总成包括第一构件，贴附于第二构件。该第一和第二构件具有流体连通的第一和第二气体通道。当工艺气体流过这些气体通道，在该第一和第二气体通道产生总的压降。在该第二气体通道的该总的压降的部分大于在该第一气体通道的该总的压降的部分。
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公开(公告)号：CN105006443B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201510178955.0
申请日：2015-04-15
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 迪恩·J·拉森 , 杰森·奥古斯蒂诺 , 安德里亚斯·费舍尔 , 安德烈·W·迪斯派特 , 哈梅特·辛格
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/68785 , H01L21/6719
摘要： 本发明涉及具有来自侧壁的特征的处理室，具体提供了一种处理室，该处理室包括具有顶部和侧壁的室壳体。该处理室还具有密封件，该密封件用于将所述室壳体的侧壁连接到位于所述处理室下方的下室的顶部。衬底保持器联结到所述室壳体的侧壁。此外，该处理室具有晶片升降环，通过延伸穿过所述侧壁的侧臂支撑的晶片升降环具有至少三个支柱，每个支柱具有至少一个指状物，指状物的顶部限定第一晶片传运平面。下室具有至少一个最低晶片支撑件，至少一个最低晶片支撑件限定第二晶片传运平面，其中，第一晶片传运平面和第二晶片传运平面之间的高度不大于传送臂的最大竖直行程，传送臂被配置为从第一晶片传运平面和第二晶片传运平面传送晶片。
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公开(公告)号：CN101647097B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200880010263.3
申请日：2008-03-27
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： B08B3/04 , H01J37/32862
摘要： 清洁等离子体处理室元件的方法，包括用清洁溶液接触该硅表面，同时避免该清洁溶液对该元件的其他表面或区域造成的损害。一种待清洁的示例性等离子体处理室元件是弹性体粘合电极组件，其具有暴露于等离子体的硅表面的硅构件、支撑构件和该硅表面和该支撑构件之间的粘合材料。
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公开(公告)号：CN111512404A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201880084322.5
申请日：2018-12-14
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 肖恩·凯利·奥布莱恩 , 赫马·斯沃普·莫皮迪维 , 赛义德·贾法·雅法良-特哈妮 , 尼尔·马丁·保罗·本杰明 , 杰森·奥古斯蒂诺
摘要： 各种实施方式包含一种用于过滤基于等离子体的处理设备中的射频的装置。在各种实施方式中，RF滤波器装置包含以间隔开的布置彼此电耦合并基本平行的多个基本平面的螺旋滤波器。在一个实施方式中，基于接连螺旋的布置，平面螺旋滤波器中的每一个作为内部到内部的电连接或外部到外部的电连接被耦合到平面螺旋滤波器中的一个相邻螺旋滤波器，以便增加总电感值。公开了其他方法、装置、设备和系统。
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公开(公告)号：CN101647097A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200880010263.3
申请日：2008-03-27
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： B08B3/04 , H01J37/32862
摘要： 清洁等离子体处理室元件的方法，包括用清洁溶液接触该硅表面，同时避免该清洁溶液对该元件的其他表面或区域造成的损害。一种待清洁的示例性等离子体处理室元件是弹性体粘合电极组件，其具有暴露于等离子体的硅表面的硅构件、支撑构件和该硅表面和该支撑构件之间的粘合材料。
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公开(公告)号：CN101529560A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200780038553.4
申请日：2007-10-10
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/3065
CPC分类号： C23C16/4407 , B08B1/00 , B08B3/02 , B08B3/12
摘要： 提供用于对电极组件的背板或包括背板和电极板的电极组件进行清洁的方法。该方法可以被用于清洁各种材料制成的背板和电极组件，例如硅电极板以及石墨和铝背板。该背板和电极组件可以是新的、使用过的或翻新的。还提供在这些方法中使用的冲洗夹具。
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公开(公告)号：CN111512404B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN201880084322.5
申请日：2018-12-14
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 肖恩·凯利·奥布莱恩 , 赫马·斯沃普·莫皮迪维 , 赛义德·贾法·雅法良-特哈妮 , 尼尔·马丁·保罗·本杰明 , 杰森·奥古斯蒂诺
摘要： 各种实施方式包含一种用于过滤基于等离子体的处理设备中的射频的装置。在各种实施方式中，RF滤波器装置包含以间隔开的布置彼此电耦合并基本平行的多个基本平面的螺旋滤波器。在一个实施方式中，基于接连螺旋的布置，平面螺旋滤波器中的每一个作为内部到内部的电连接或外部到外部的电连接被耦合到平面螺旋滤波器中的一个相邻螺旋滤波器，以便增加总电感值。公开了其他方法、装置、设备和系统。
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公开(公告)号：CN105006443A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510178955.0
申请日：2015-04-15
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 迪恩·J·拉森 , 杰森·奥古斯蒂诺 , 安德里亚斯·费舍尔 , 安德烈·W·迪斯派特 , 哈梅特·辛格
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/68785 , H01L21/6719 , H01L21/67155 , H01L21/67706
摘要： 本发明涉及具有来自侧壁的特征的处理室，具体提供了一种处理室，该处理室包括具有顶部和侧壁的室壳体。该处理室还具有密封件，该密封件用于将所述室壳体的侧壁连接到位于所述处理室下方的下室的顶部。衬底保持器联结到所述室壳体的侧壁。此外，该处理室具有晶片升降环，通过延伸穿过所述侧壁的侧臂支撑的晶片升降环具有至少三个支柱，每个支柱具有至少一个指状物，指状物的顶部限定第一晶片传运平面。下室具有至少一个最低晶片支撑件，至少一个最低晶片支撑件限定第二晶片传运平面，其中，第一晶片传运平面和第二晶片传运平面之间的高度不大于传送臂的最大竖直行程，传送臂被配置为从第一晶片传运平面和第二晶片传运平面传送晶片。
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公开(公告)号：CN101529558B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200780038609.6
申请日：2007-10-16
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 安东尼·德拉列拉 , 阿兰·K·龙尼 , 金在贤 , 杰森·奥古斯蒂诺 , 拉金德尔·德辛德萨 , 王云昆 , 沙鲁巴·J·乌拉尔 , 安东尼·J·诺雷尔 , 基思·科门丹特 , 小威廉姆·丹堤
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/203
CPC分类号： H01J37/32449 , H01J37/32009 , H01J37/32541 , H01J37/3255
摘要： 等离子处理装置的元件包括具有气体通道的背衬构件，该背衬构件连接于具有气体通道的上电极。为了抵消该金属背衬构件和上电极间的热膨胀系数的差异，气体通道的位置和大小被调整为在室温下是没有对齐的，而在升高的处理温度下是大体上同心的。因为热膨胀，该弹性体粘合材料中会产生不一致的切变应力。应用可变厚度的弹性体粘合材料或使用包含多个块的背衬构件可调节切变应力。
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