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公开(公告)号：CN106997842A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201710048220.5
申请日：2017-01-20
申请人： 应用材料公司
发明人： J·罗杰斯
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01L21/6833 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32146 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32577 , H01J37/32605 , H01J37/32697 , H01J37/32715 , H01J37/3288 , H01J2237/332 , H01J2237/334 , H01L21/67017 , H01L21/67103 , H01L21/6719 , H01L21/6831 , H01L21/68735 , H01L21/68785 , H01J37/32431 , H01J37/32477 , H01J37/32532
摘要： 本公开总体上涉及控制边缘环的射频(RF)振幅的装置和方法。装置和方法包括通过可变电容器耦接到接地的电极。所述电极可以是环形的并且嵌入在基板支撑件中，所述基板支撑件包括静电卡盘。所述电极可定位于基板和/或所述边缘环的周边下方。当等离子体壳层由于边缘环侵蚀而相邻于所述边缘环下降时，调整可变电容器的电容以便影响靠近所述基板边缘的RF振幅。经由所述电极和可变电容器对RF振幅的调整引起所述基板周边附近的等离子体壳层的调整。
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公开(公告)号：CN102766855B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201210273737.1
申请日：2008-09-09
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 格雷格·贝当古 , 拉金德尔·德辛德萨 , 乔治·迪尔克斯 , 兰德尔·A·哈丁 , 乔恩·科尔 , 杜安·莱特尔 , 阿列克谢·马拉赫塔诺夫 , 罗杰·帕特里克 , 约翰·佩格 , 莎伦·斯宾塞
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： H01J37/04 , C23C16/4401 , C23C16/45565 , H01J37/3255 , H01J37/32605 , H01J37/32724 , H01J2237/032
摘要： 本发明大体涉及等离子体处理，尤其涉及等离子体处理中使用的等离子体处理室和电极总成。根据本发明的一个实施方式，提供一种包含热控制板、硅基喷淋头电极和紧固硬件的电极总成，其中该硅基喷淋头电极包含在该硅基喷淋头电极的背部中形成的多个部分缺口和位于该部分缺口中的背部插入件。该热控制板包含被配置为允许紧固硬件进入该背部插入件的紧固硬件通道。该紧固硬件和该背部插入件被配置为保持该热控制板和该硅基喷淋头点击的啮合并允许该热控制板和该硅基喷淋头电极的拆卸，在拆卸过程中隔离该硅基喷淋头电极的该硅基电极材料与该紧固硬件，免于摩擦接触。
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公开(公告)号：CN102356700B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201080012058.8
申请日：2010-03-15
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H05H1/34 , H01L21/3065 , H01L21/203 , H01L21/205 , H01L21/265
CPC分类号： H01J37/04 , C23C16/4401 , C23C16/45565 , H01J37/3255 , H01J37/32605 , H01J37/32724 , H01J2237/032
摘要： 本发明提供一种硅基喷头电极，其中后部嵌入部设置在沿着电极的后部形成的后部凹陷内。后部嵌入部包括螺纹外径、螺纹内径和形成于螺纹内径内的工具啮合部。工具啮合部形成以使该后部嵌入部进一步包括一个或多个位于工具啮合部和螺纹外径之间的侧面防护部以防止与后部嵌入部的工具啮合部啮合的工具延伸超出该嵌入部的螺纹外径。进一步地，后部嵌入部的工具啮合部包括多个沿着后部嵌入部的转轴线布置的转矩接收槽。该转矩接收槽通过相对成对的转矩接收槽避免同轴转动的方式布置。
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公开(公告)号：CN101442872B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200810179010.0
申请日：2008-11-21
申请人： 朗姆研究公司
CPC分类号： H01J37/32605
摘要： 本发明大体上涉及等离子处理室以及用于其中的电极组件。根据一个实施例，电极组件包含热控板、硅基喷头电极以及包含导电的探针主体以及硅基盖的探针组件。该电极组件如此配置，即该硅基盖与该探针主体头部螺纹啮合的旋向性以及该热控板与该探针主体的中部螺纹啮合的旋向性具有共同的旋转方向。因此，对该硅基盖在紧固的旋转方向上施加扭矩使两个螺纹啮合变得紧固。进一步地，该电极组件如此配置，即该硅基盖与该探针主体头部的螺纹啮合允许该硅基盖与该探针主体重复非破坏性啮合和分开。
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公开(公告)号：CN102057471A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200980122153.0
申请日：2009-05-22
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/205 , H05H1/34
CPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/45565 , C23C16/52 , H01J37/32091 , H01J37/32532 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32605 , H01L21/67069
摘要： 公开一种喷头电极总成，其包括适于安装在真空室内部的喷头电极；可选的衬板，贴附于该喷头电极；热控板，在纵贯该衬板的多个接触区域贴附于该衬板或贴附于该喷头电极；以及至少一个接口构件，其在该接触区域隔开该衬板与该热控板或该热控板与喷头电极，该接口构件具有导热导电垫圈部以及颗粒缓解密封部。还公开使用该喷头电极总成处理半导体衬底的方法。
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公开(公告)号：CN101442872A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810179010.0
申请日：2008-11-21
申请人： 朗姆研究公司
CPC分类号： H01J37/32605
摘要： 本发明大体上涉及等离子处理室以及用于其中的电极组件。根据一个实施例，电极组件包含热控板、硅基喷头电极以及包含导电的探针主体以及硅基盖的探针组件。该电极组件如此配置，即该硅基盖与该探针主体头部螺纹啮合的旋向性以及该热控板与该探针主体的中部螺纹啮合的旋向性具有共同的旋转方向。因此，对该硅基盖在紧固的旋转方向上施加扭矩使两个螺纹啮合变得紧固。进一步地，该电极组件如此配置，即该硅基盖与该探针主体头部的螺纹啮合允许该硅基盖与该探针主体重复非破坏性啮合和分开。
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公开(公告)号：CN1853253A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200480026697.4
申请日：2004-10-18
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32605 , H01J37/32009 , H01J37/3244
摘要： 电极板(26)构造为结合到等离子体处理系统中的电极(28)。该电极板(26)包括构造为容纳气体喷射装置(110)的多个气体喷射孔(100)。该电极板包括三个或更多安装孔(140)，其中该电极板构造为通过使三个或更多安装孔与装到电极上的三个或更多安装螺钉对准并结合，而与电极结合。
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公开(公告)号：CN105206498B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201510358856.0
申请日：2015-06-25
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01J49/10
CPC分类号： H01J37/32091 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , H01J37/32532 , H01J37/32559 , H01J37/32605
摘要： 本发明公开了一种用于与处理腔室一起使用的等离子体源组件，所述等离子体源组件包括区隔板，所述区隔板具有在所述区隔板的内部电气中心内的第一组孔，以及围绕所述外周缘的较小孔。所述孔的直径可从所述电气中心向外至所述周缘逐渐减小，或者可以离散地递减并且在所述外周缘处具有最小的直径。
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公开(公告)号：CN104822219B
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201510254387.8
申请日：2015-05-18
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H05H1/24
CPC分类号： H01J37/32568 , C23C16/24 , C23C16/50 , C23C16/52 , H01J37/32357 , H01J37/32449 , H01J37/32522 , H01J37/32541 , H01J37/32605 , H01J37/32752 , H01J2237/3321 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/02689 , H01L21/02691 , H05H1/46 , H05H2001/466
摘要： 一种等离子发生器、退火设备、镀膜结晶化设备及退火工艺。该等离子发生器包括气体室、用于向所述气体室输入气体的进气单元、用于给进入所述气体室内的气体施加电场使其电离成为等离子体的阴极和阳极、用于控制等离子发生器温度的冷却水循环单元、以及设置在所述气体室顶面的离子束出口。包含该等离子发生器的退火设备可产生等离子束，可用于对非晶硅薄膜退火，使其结晶成为多晶硅薄膜。
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公开(公告)号：CN103125011A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201180046144.5
申请日：2011-09-22
申请人： MEMC电子材料有限公司
发明人： T·帕德
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/455
CPC分类号： H01J37/32532 , H01J37/3244 , H01J37/32605 , H01J2237/334 , Y10T29/49716
摘要： 本发明提供了用于改进晶片蚀刻系统的方法和系统。该方法和系统使用适配环（120）来改进设计为与多件式电极一起使用的晶片蚀刻系统，使得在该蚀刻系统中可以使用单件式电极。适配环（120）的一部分设置在晶片蚀刻系统的热联接板（110）中形成的接收器中。适配环的另一部分定位在上部电极（130）中形成的通道中。
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