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公开(公告)号：CN118475718A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202280081805.6
申请日：2022-12-05
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 毕峰 , 卡普·瑟里什·雷迪 , 尼拉杰·拉纳 , 阿提克·朱奈德·苏里亚 , 小野寿乡
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/455 , H01L21/683 , H01L21/67
摘要： 一种处理衬底的方法包含：a)将衬底传送至处理室的静电卡盘(ESC)的基座；b)将所述处理室中的压强增加到在第一预定压强范围内的第一预定压强；c)在不夹持所述衬底的情况下，在所述第一预定压强下将所述衬底浸泡第一预定时间；d)在所述第一预定时间后，在第二预定时间期间内将提供给所述ESC的夹持电压增加至第一夹持电压；e)在所述第二预定时间后，将所述处理室中的所述压强增加至大于所述第一预定压强的预定处理压强；以及f)在所述预定处理压强下，对所述衬底进行处理。
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公开(公告)号：CN115354302A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210890156.6
申请日：2019-05-10
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/67
摘要： 提供用于独立输送不同的、相互反应的工艺气体至晶片处理空间的喷头。所述喷头包含具有经由间隙而彼此隔开的多个充气室结构的第一气体分配器、以及定位于所述第一气体分配器上方的第二气体分配器。可使来自第二气体分配器的隔离气体向下流至第一气体分配器上并通过第一气体分配器的所述充气室结构之间的间隙，从而建立隔离气体帘，其避免从各充气室结构释出的工艺气体寄生性地沉积于提供其他气体的充气室结构上。
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公开(公告)号：CN118660987A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202280090426.3
申请日：2022-12-13
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/509 , H01L21/683
摘要： 一种静电卡盘(ESC)底涂系统包含存储器和控制器。该存储器储存底涂应用。该控制器被配置成执行该底涂应用以进行：确定底涂参数；执行完整清洁工艺以移除在衬底处理系统的处理室中的底涂沉积物；以及基于该底涂参数，执行一或多个沉积工艺，以在该ESC上沉积一或多个底涂层，以提供具有总厚度介于7‑15μm之间的整体底涂层，在该ESC上的衬底进行后续沉积工艺期间，该一或多个底涂层提供对该ESC的保护。
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公开(公告)号：CN112136206A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201980033022.9
申请日：2019-05-10
申请人： 朗姆研究公司
摘要： 提供用于独立输送不同的、相互反应的工艺气体至晶片处理空间的喷头。所述喷头包含具有经由间隙而彼此隔开的多个充气室结构的第一气体分配器、以及定位于所述第一气体分配器上方的第二气体分配器。可使来自第二气体分配器的隔离气体向下流至第一气体分配器上并通过第一气体分配器的所述充气室结构之间的间隙，从而建立隔离气体帘，其避免从各充气室结构释出的工艺气体寄生性地沉积于提供其他气体的充气室结构上。
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公开(公告)号：CN116325073A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202180067137.7
申请日：2021-09-28
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 一种被配置成支撑具有直径D的衬底的衬底支撑件包含：第一内部电极和第二内部电极，其各自都是D形，限定了小于D的第一外径，且被配置成连接至静电卡盘电压，以将所述衬底夹持至所述衬底支撑件上。外部电极包含围绕所述第一内部电极和所述第二内部电极的环形外部，以及通过所述第一内部电极和所述第二内部电极之间以连接至所述环形外部的内径的相对侧的中心部。所述环形外部的所述内径大于所述直径D，使得所述环形外部的所述内径以及所述中心部和所述环形外部两者之间的交叉点位于所述衬底的所述直径D的径向外侧。
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