公开(公告)号：CN100365935C

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN03824600.7

申请日：2003-09-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 丰田健治 ,  上田路人 ,  森本廉 ,  森田清之

IPC: H03K19/00 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C11/4087 ,  G11C11/22 ,  G11C11/4074

Abstract: 电压发生电路包含：电容器(4)、与电容器(4)串联连接的强电介质电容器(6)、输出端子(11)、使输出端子(11)接地的电容器(10)、电源电压供给端子(13)、连接电源电压供给端子(13)和2只电容器(4、6)的连接结点(N1)的开关(1)、以及连接连接结点(N1)和输出端子(11)的开关(9)。在第1期间，在使开关(1)及(9)为断开状态的状态下，使端子(3)接地，并把电源电压供给端子(7)，在第2期间，把电源电压供给端子(3)，且使开关(9)为导通状态，在第3期间，使开关(9)为断开状态，使开关(1)为导通状态，且使端子(7)接地，在第4期间，把电源电压供给端子(7)，从前述第1期间直到前述第4期间顺序重复进行。

公开(公告)号：CN1257555C

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN02805017.7

申请日：2002-06-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上田路人 ,  大塚隆 ,  森田清之

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/788 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11502 ,  G11C11/22 ,  G11C11/223 ,  G11C11/54 ,  G11C11/5657 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11507 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明的半导体器件及其驱动方法，是提供一种多值存储器或类神经电脑的类神经元件所能使用的能够保持多值信息的半导体器件及其驱动方法。此半导体器件具有：控制电压供应部分(110)；及MOS晶体管，其具有栅极电极(109)、漏极区域(103a)和源极区域(103b)；及电介质电容器(104)和电阻元件(106)，它们是设置于栅极电极(109)和控制电压供应部分(110)之间，且相互并联。根据此构成，当施加电压并储存电荷于电介质电容器(104)的中间电极和栅极电极(109)，即能改变MOS晶体管的阈值。所以，就能将输入信号的经历予以存储而作成MOS晶体管的漏极电流的变化状态，并能保持多值信息。

公开(公告)号：CN1698204A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200480000648.3

申请日：2004-05-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森田清之 ,  山田升 ,  宫本明人 ,  大塚隆 ,  田中英行

IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0004 ,  G11C14/009 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/24 ,  H01L45/04 ,  H01L45/145

Abstract: 一种非易失性存储器，包括：第一基板(100)和第二基板(110)，所述第一基板(100)具有多个排列成矩阵的开关元件(4)和多个连接在所述开关元件(4)的第一电极(18)，所述第二基板(110)具有导电膜(32)，和通过提供电脉冲改变阻值的记录层(34)，其中，所述多个第一电极(18)被所述记录层(34)完整地覆盖，该记录层(34)由此位于所述多个第一电极(18)和所述导电膜(32)之间；所述第一基板(100)还包括第二电极(22)，和所述第二电极(22)与所述导电膜(32)电联接，当给所述记录层(34)施加电流时，所述第二电极(22)的电压保持在一定的水平上。该非易失性存储器以低成本获得高集成度。

公开(公告)号：CN1602550A

公开(公告)日：2005-03-30

申请号：CN02824786.8

申请日：2002-12-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田中英行 ,  大塚隆 ,  森田清之 ,  森本廉

IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1625

Abstract: 一种非易失性存储器(1)，包括：具有贯通表背面的多个第一电极(15)的绝缘基板(11)；在绝缘基板(11)的一方面侧形成的第二电极(12)；和夹持在第一电极(15)与第二电极(12)之间，通过在第一电极(15)与第二电极(12)之间加上电脉冲，改变电阻值的记录层(14)，在构成单一的存储单元(MC)的区域中，使多个第一电极(15)与记录层(14)电连接。如果利用该非易失性存储器(1)，则可以减少消耗功率，能够得到高的设计自由度和可靠性。

公开(公告)号：CN1491441A

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN02805017.7

申请日：2002-06-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上田路人 ,  大塚隆 ,  森田清之

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/788 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11502 ,  G11C11/22 ,  G11C11/223 ,  G11C11/54 ,  G11C11/5657 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11507 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明的半导体器件及其驱动方法，是提供一种多值存储器或类神经电脑的类神经元件所能使用的能够保持多值信息的半导体器件及其驱动方法。此半导体器件具有：控制电压供应部分(110)；及MOS晶体管，其具有栅极电极(109)、漏极区域(103a)和源极区域(103b)；及电介质电容器(104)和电阻元件(106)，它们是设置于栅极电极(109)和控制电压供应部分(110)之间，且相互并联。根据此构成，当施加电压并储存电荷于电介质电容器(104)的中间电极和栅极电极(109)，即能改变MOS晶体管的阈值。所以，就能将输入信号的经历予以存储而作成MOS晶体管的漏极电流的变化状态，并能保持多值信息。

公开(公告)号：CN104350533A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201480001305.2

申请日：2014-02-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 钟之江有宣 ,  森田清之

IPC: G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22 ,  H05B33/26

CPC classification number: H01L27/3276 ,  G09F9/30 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L2227/323 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22 ,  H05B33/26

Abstract: 一种薄膜半导体基板，具备顶栅型的第1TFT(10)及第2TFT(20)和数据线(源极布线(32))，第1TFT(10)包括第1半导体层(11)、第1栅极绝缘膜(12)、第1栅电极(10G)、第1源电极(10S)及第1漏电极(10D)、以及第1保护层(13)，第2TFT(20)包括第2半导体层(21)、第2栅极绝缘膜(22)、第2栅电极(20G)、第2源电极(20S)及第2漏电极(20D)、以及第2保护层(23)，数据线与第1源电极(10S)连接，第1漏电极(10D)是第2栅电极(20G)延伸而构成的，第2栅电极(20G)的厚度比数据线的厚度薄。

公开(公告)号：CN1328811C

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN03802945.6

申请日：2003-01-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森木廉 ,  森田清之

IPC: H01M8/02 ,  H01M8/10 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L23/58 ,  H01L27/0688 ,  H01L2924/0002 ,  H01M4/8605 ,  H01M8/02 ,  H01M8/0258 ,  H01M8/1007 ,  H01M8/241 ,  Y02P70/56 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的具有燃料电池的半导体装置，包括燃料电池和半导体元件，所述燃料电池包括：形成有燃料流路的阳极分离器；形成有氧化剂流路的阴极分离器；所述阳极分离器和所述阴极分离器所夹持的膜电极结合体，所述半导体元件在从所述阳极分离器和所述阴极分离器中所选择的一个分离器的一个主面上形成，所述半导体元件和所述一个分离器电连接。通过形成这样的具有燃料电池的半导体装置，能够形成更小型的通用性优异的具有燃料电池的半导体装置。

公开(公告)号：CN1284300C

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN03801895.0

申请日：2003-07-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上田路人 ,  森田清之

IPC: H03K19/20

CPC classification number: G06N7/005

Abstract: 本发明的概率运算元件，具有：输出具有波动的模拟量的波动发生器(15)；波动差分运算部件(401)，输出将所述波动发生器的输出增加到2个数据的模拟的差分后的波动差分数据；通过阈值处理所述波动差分运算部件的输出来输出脉冲的阈值处理器(47)；检测从所述阈值处理器输出的脉冲的脉冲检测部件。

公开(公告)号：CN1689716A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200510074277.X

申请日：2003-05-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 入江庸介 ,  森田清之 ,  铃木正明 ,  足立明久 ,  桥本雅彦

IPC: B08B3/02

CPC classification number: B08B7/0021 ,  Y10S134/902

Abstract: 通过用液化气体或超临界流体清洗介质清洗具有凹部构造的部件来提高清洗效果。在去除附着在具有凹部构造的部件(31)的至少上述凹部构造表面的附着物的清洗方法中，使用超临界气体或液化气体使清洗介质不遍布在上述凹部构造表面来进行清洗。

公开(公告)号：CN100421171C

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN03812834.9

申请日：2003-06-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 丰田健治 ,  森田清之

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C13/0004 ,  G11C14/00 ,  G11C14/0063 ,  G11C14/0072 ,  G11C14/0081 ,  G11C14/009

Abstract: 本发明涉及一种非易失性存储电路的驱动方法，其特征在于，包括下述步骤：存储步骤，其中，该步骤具有：在停止向所述非易失性存储电路供电前，所述第一及第二电阻元件为低电阻状态的第一步骤；和在该第一步骤后使所述第一及第二电阻元件的任一方为高电阻状态的第二步骤；和调用步骤，其中，向所述非易失性存储电路开始供电后，对所述字码线、所述第一及第二比特线、以及所述电源线在规定的时间施加电压。