公开(公告)号：CN101445915A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810180530.3

申请日：2008-11-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山本昌裕 ,  小岩崎刚 ,  村岸勇夫 ,  山西齐

IPC: C23C14/35

Abstract: 本发明提供溅射装置以及溅射方法，具体而言提供具备能够在靶表面大范围地发生等离子的磁控电极的磁控溅射装置以及使用该装置的溅射方法。由此，能够实现可在靶表面大范围地发生等离子的磁场形状，提高靶材料的利用效率，并且抑制灰尘和异常放电。磁控电极的磁路(10)从靶(2)的中央部分向外周部分配置有中心垂直磁体(101)、内侧平行磁体(103)、外侧平行磁体(104)以及外周垂直磁体(102)，使内侧平行磁体(103)接近靶(2)。

公开(公告)号：CN101445915B

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN200810180530.3

申请日：2008-11-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山本昌裕 ,  小岩崎刚 ,  村岸勇夫 ,  山西齐

IPC: C23C14/35

Abstract: 本发明提供溅射装置以及溅射方法，具体而言提供具备能够在靶表面大范围地发生等离子的磁控电极的磁控溅射装置以及使用该装置的溅射方法。由此，能够实现可在靶表面大范围地发生等离子的磁场形状，提高靶材料的利用效率，并且抑制灰尘和异常放电。磁控电极的磁路(10)从靶(2)的中央部分向外周部分配置有中心垂直磁体(101)、内侧平行磁体(103)、外侧平行磁体(104)以及外周垂直磁体(102)，使内侧平行磁体(103)接近靶(2)。

公开(公告)号：CN101289736B

公开(公告)日：2011-03-02

申请号：CN200810093059.4

申请日：2008-04-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山本昌裕 ,  小岩崎刚 ,  山西齐 ,  村岸勇夫 ,  吉永光宏

IPC: C23C14/24

CPC classification number: G01L11/02 ,  C23C14/0042 ,  H05H1/0037

Abstract: 简便地测量真空腔室内部的分压分布的分压测量方法及分压测量装置包括：移动步骤，使真空腔室内具有的测量专用的局部等离子源(9)移动到测量部位；以及测量步骤，经由设在真空腔室的壁部上的供光通过的窗，受光来自局部等离子源产生的等离子的发光，通过分光测量所受光的发光的发光强度，测量真空腔室内的分压分布。

公开(公告)号：CN102473639A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201180002447.7

申请日：2011-02-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村岸勇夫 ,  甲斐隆行 ,  齐藤太志郎 ,  山本大辅 ,  小岩崎刚

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H01L23/52 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L24/03 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 在基板(201)的表面及孔部(205)形成基底导电构件(207)，在基底导电构件(207)上且未形成导电材料层(209、210)的场所形成抗蚀层(208)。在形成有抗蚀层(208)的部分以外的部分形成导电材料层(209、210)，在导电材料层(209、210)上形成掩模金属(212)。然后，除去抗蚀层(208)，以掩模金属(212)为掩模对基底导电构件(207)进行蚀刻，使导电材料层(209、210)形成为规定的形状。

公开(公告)号：CN101289736A

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200810093059.4

申请日：2008-04-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山本昌裕 ,  小岩崎刚 ,  山西齐 ,  村岸勇夫 ,  吉永光宏

IPC: C23C14/24

CPC classification number: G01L11/02 ,  C23C14/0042 ,  H05H1/0037

Abstract: 简便地测量真空腔室内部的分压分布的分压测量方法及分压测量装置包括：移动步骤，使真空腔室内具有的测量专用的局部等离子源(9)移动到测量部位；以及测量步骤，经由设在真空腔室的壁部上的供光通过的窗，受光来自局部等离子源产生的等离子的发光，通过分光测量所受光的发光的发光强度，测量真空腔室内的分压分布。