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公开(公告)号：CN103620782A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201280031195.5
申请日：2012-06-26
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H01L27/14625 , H01L27/14621 , H04N5/3572
摘要： 在本发明的固体摄像元件，单位像素（3）的聚光元件（11）具有以射入单位像素（3）的受光元件（14）的光的波长以下的线宽被分离的、以相对于聚光元件（11）的受光面垂直方向的轴为中心的同心结构的多个光透过膜（33），并具有由多个光透过膜（33）的组合所控制的有效折射率分布，同心结构的多个光透过膜（33）的外缘的形状在受光面上为，与同心结构的中心最近的光透过膜（33）呈正圆、与同心结构的中心远离的光透过膜（33）呈椭圆，椭圆的长轴相对于短轴的比率为，越是与同心结构的中心远离的光透过膜（33）的外缘的形状比率越高，多个单位像素（3）各自的椭圆的长轴方向，在受光面上与连接多个单位像素各自的同心结构的中心和固体摄像元件的中心的矢量相正交。
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公开(公告)号：CN101926013A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200980103286.3
申请日：2009-02-02
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/205 , H01S5/323
CPC分类号： H01L21/02433 , B82Y20/00 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01L2933/0016 , H01S5/34333
摘要： 本发明提供一种氮化物半导体发光装置，其具有：含有硅的基板(101)；形成在基板(101)的主面上且具有至少一个开口部(102a)的含有氧化硅的掩膜(102)；在基板(101)的开口部(102a)上选择性形成的含有GaN的种层(104)；形成在种层(104)的侧面的LEG层(105)；形成在LEG层(105)上且包含活性层(107)的n型GaN层(106)及p型GaN层(108)。这里，LEG层(105)通过使用了有机氮原料作为氮源的结晶生长而形成。
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公开(公告)号：CN101926013B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200980103286.3
申请日：2009-02-02
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/205 , H01S5/323
CPC分类号： H01L21/02433 , B82Y20/00 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01L2933/0016 , H01S5/34333
摘要： 本发明提供一种氮化物半导体发光装置，其具有：含有硅的基板(101)；形成在基板(101)的主面上且具有至少一个开口部(102a)的含有氧化硅的掩膜(102)；在基板(101)的开口部(102a)上选择性形成的含有GaN的种层(104)；形成在种层(104)的侧面的LEG层(105)；形成在LEG层(105)上且包含活性层(107)的n型GaN层(106)及p型GaN层(108)。这里，LEG层(105)通过使用了有机氮原料作为氮源的结晶生长而形成。
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公开(公告)号：CN103477186A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201280015564.1
申请日：2012-03-23
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H04N13/239 , G01C11/06 , G01S7/4914 , G01S17/023 , G01S17/89 , H04N13/254 , H04N13/257 , H04N13/271
摘要： 立体摄像装置(100)具备：第一摄像机(C1)，生成用于计算表示被摄体的立体形状的第一距离图像的基准图像；第二摄像机(C2)，生成用于计算第一距离图像的参考图像；立体匹配部(3)，搜索基准图像与参考图像之间的对应像素，根据该对应像素计算视差，生成第一距离图像；以及光源(1)，向被摄体照射强度调制后的红外光，第一摄像机(C1)，将由被摄体反射的、强度调制后的红外光的反射光，与该强度调制同步来接受，从而还生成包含距被摄体的反射点的距离信息的第二距离图像。
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