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公开(公告)号：CN104901575A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510085295.1
申请日：2015-02-16
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H02M7/5387 , H02M7/5395 , H02P27/08
CPC分类号： H02M7/537 , B60L3/003 , B60L7/14 , B60L11/1803 , B60L15/007 , B60L15/2009 , B60L2210/14 , B60L2240/12 , B60L2240/36 , B60L2240/421 , B60L2240/423 , B60L2240/427 , B60L2240/429 , H02M1/44 , H02M7/5395 , Y02T10/645 , Y02T10/7005 , Y02T10/7225 , Y02T10/7275
摘要： 本发明涉及逆变器控制装置、电力变换装置以及车辆，提供以低成本进行高可靠性的逆变器控制的逆变器控制装置、电力变换装置以及车辆。逆变器控制装置具备：电流控制部，计算并输出包括第一相以及第二相在内的多相的PWM调制率指令，从而使逆变器输出规定电流；切换正时计算部，根据多相的PWM调制率指令，计算各相的开关开闭的正时；同时切换回避部，对切换第一相的开关的第一切换正时与切换第二相的开关的第二切换正时是否相同进行判定，当判定为相同时，以使第一相和第二相的三角波载波的波形不相同的方式生成第一相和第二相的三角波载波；开关开闭正时生成部，根据三角波载波和PWM调制率指令，计算开闭各相的所述开关的正时。
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公开(公告)号：CN104901575B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201510085295.1
申请日：2015-02-16
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H02M7/537 , B60L3/003 , B60L7/14 , B60L11/1803 , B60L15/007 , B60L15/2009 , B60L2210/14 , B60L2240/12 , B60L2240/36 , B60L2240/421 , B60L2240/423 , B60L2240/427 , B60L2240/429 , H02M1/44 , H02M7/5395 , Y02T10/645 , Y02T10/7005 , Y02T10/7225 , Y02T10/7275
摘要： 本发明涉及逆变器控制装置、电力变换装置以及车辆，提供以低成本进行高可靠性的逆变器控制的逆变器控制装置、电力变换装置以及车辆。逆变器控制装置具备：电流控制部，计算并输出包括第一相以及第二相在内的多相的PWM调制率指令，从而使逆变器输出规定电流；切换正时计算部，根据多相的PWM调制率指令，计算各相的开关开闭的正时；同时切换回避部，对切换第一相的开关的第一切换正时与切换第二相的开关的第二切换正时是否相同进行判定，当判定为相同时，以使第一相和第二相的三角波载波的波形不相同的方式生成第一相和第二相的三角波载波；开关开闭正时生成部，根据三角波载波和PWM调制率指令，计算开闭各相的所述开关的正时。
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公开(公告)号：CN104143925B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410124219.2
申请日：2014-03-28
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H05K7/20236 , H02M7/53 , H05K7/20927
摘要： 总体上，根据实施例，电力转换装置(100)包括第一逆变器(12)、第二逆变器(22)和冷却器(2)。第一逆变器(12)包括各相并联在一起的多个半导体器件(29至40)。在第二逆变器(2)中，并联的半导体器件(41至46)的数量是每个相两个或两个以上，半导体器件并联在一起，并且每个相上第二逆变器(2)中并联的半导体器件(41至46)的数量小于第一逆变器中(12)并联的半导体器件的数量。第一逆变器(12)中的半导体器件(29至40)被安装在冷却器(52)的冷却表面(56a)的位于第一通道(57a)上方的区域中。第二逆变器(22)中的半导体器件(41至46)被安装在冷却表面(56a)的位于第二通道(57b)上方的区域中。
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公开(公告)号：CN104143925A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201410124219.2
申请日：2014-03-28
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H05K7/20236 , H02M7/53 , H05K7/20927
摘要： 总体上，根据实施例，电力转换装置（100）包括第一反相器（12）、第二反相器（22）和冷却器（2）。第一反相器（12）包括各相并联在一起的多个半导体器件（29至40）。在第二反相器（2）中，并联的半导体器件（41至46）的数量是每个相两个或两个以上，半导体器件并联在一起，并且每个相上第二反相器（2）中并联的半导体器件（41至46）的数量小于第一反相器中（12）并联的半导体器件的数量。第一反相器（12）中的半导体器件（29至40）被安装在冷却器（52）的冷却表面（56a）的位于第一通道（57a）上方的区域中。第二反相器（22）中的半导体器件（41至46）被安装在冷却表面（56a）的位于第二通道（57b）上方的区域中。
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