公开(公告)号：CN101499399B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200910126704.2

申请日：2009-01-23

申请人： 株式会社东芝 ,  东京毅力科创株式会社

发明人： 宇井明生 ,  玉置直树 ,  市川尚志 ,  林久贵 ,  上夏井健 ,  桧森慎司 ,  山田纪和 ,  大濑刚 ,  阿部淳

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01J37/32027 ,  H01J37/32045 ,  H01J37/32091

摘要： 本发明涉及衬底等离子体处理设备和等离子体处理方法。一种衬底等离子体处理设备，包括设置在腔内的衬底支撑电极和对向电极；向所述衬底支撑电极施加50MHz或更高的高频的高频产生装置；以叠加在所述高频上的方式施加DC负脉冲电压的DC负脉冲产生装置；以及控制器，所述控制器进行控制以引起所述高频的断续施加并根据所述高频的开或关的时序引起所述DC负脉冲电压的断续施加。

公开(公告)号：CN101499399A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200910126704.2

申请日：2009-01-23

申请人： 株式会社东芝 ,  东京毅力科创株式会社

发明人： 宇井明生 ,  玉置直树 ,  市川尚志 ,  林久贵 ,  上夏井健 ,  桧森慎司 ,  山田纪和 ,  大濑刚 ,  阿部淳

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01J37/32027 ,  H01J37/32045 ,  H01J37/32091

摘要： 本发明涉及衬底等离子体处理设备和等离子体处理方法。一种衬底等离子体处理设备，包括设置在腔内的衬底支撑电极和对向电极；向所述衬底支撑电极施加50MHz或更高的高频的高频产生装置；以叠加在所述高频上的方式施加DC负脉冲电压的DC负脉冲产生装置；以及控制器，所述控制器进行控制以引起所述高频的断续施加并根据所述高频的开或关的时序引起所述DC负脉冲电压的断续施加。

公开(公告)号：CN101277580A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810090518.3

申请日：2008-03-26

申请人： 株式会社东芝

发明人： 宇井明生 ,  市川尚志 ,  玉置直树 ,  林久贵 ,  小岛章弘

IPC分类号： H05H1/46 ,  H01J37/32 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32165

摘要： 本发明提供一种在平行平板型等离子处理装置中具有适于基板加工的离子能量，还可使该离子能量宽度减小来精细控制加工形状的基板的等离子处理装置以及等离子处理方法。等离子处理装置构成为包括：内部保持真空的室；配置于其内部、并构成为在主面上保持要处理的基板的RF电极；以及与该RF电极相对配置的对置电极；用于对所述RF电极外加规定频率的RF电压的RF电压外加装置；以及用于对所述RF电极外加规定的脉冲电压以便其与所述RF电压叠加的脉冲电压外加装置。所述脉冲电压外加装置具有调整所述脉冲电压的所述外加的定时、并设定不外加所述脉冲电压的停止时间的控制机构。

公开(公告)号：CN101277580B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200810090518.3

申请日：2008-03-26

申请人： 株式会社东芝

发明人： 宇井明生 ,  市川尚志 ,  玉置直树 ,  林久贵 ,  小岛章弘

IPC分类号： H01L21/00 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32165

摘要： 本发明提供一种在平行平板型等离子处理装置中具有适于基板加工的离子能量，还可使该离子能量宽度减小来精细控制加工形状的基板的等离子处理装置。等离子处理装置构成为包括：内部保持真空的室；配置于其内部、并构成为在主面上保持要处理的基板的RE电极；以及与该RF电极相对配置的对置电极；用于对所述RE电极外加规定频率的RE电压的RE电压外加装置；以及用于对所述RF电极外加规定的脉冲电压以便其与所述RF电压叠加的脉冲电压外加装置。所述脉冲电压外加装置具有调整所述脉冲电压的所述外加的定时、并设定不外加所述脉冲电压的停止时间的控制机构。