公开(公告)号：CN101499399A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200910126704.2

申请日：2009-01-23

申请人： 株式会社东芝 ,  东京毅力科创株式会社

发明人： 宇井明生 ,  玉置直树 ,  市川尚志 ,  林久贵 ,  上夏井健 ,  桧森慎司 ,  山田纪和 ,  大濑刚 ,  阿部淳

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01J37/32027 ,  H01J37/32045 ,  H01J37/32091

摘要： 本发明涉及衬底等离子体处理设备和等离子体处理方法。一种衬底等离子体处理设备，包括设置在腔内的衬底支撑电极和对向电极；向所述衬底支撑电极施加50MHz或更高的高频的高频产生装置；以叠加在所述高频上的方式施加DC负脉冲电压的DC负脉冲产生装置；以及控制器，所述控制器进行控制以引起所述高频的断续施加并根据所述高频的开或关的时序引起所述DC负脉冲电压的断续施加。

公开(公告)号：CN101499399B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200910126704.2

申请日：2009-01-23

申请人： 株式会社东芝 ,  东京毅力科创株式会社

发明人： 宇井明生 ,  玉置直树 ,  市川尚志 ,  林久贵 ,  上夏井健 ,  桧森慎司 ,  山田纪和 ,  大濑刚 ,  阿部淳

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01J37/32027 ,  H01J37/32045 ,  H01J37/32091

摘要： 本发明涉及衬底等离子体处理设备和等离子体处理方法。一种衬底等离子体处理设备，包括设置在腔内的衬底支撑电极和对向电极；向所述衬底支撑电极施加50MHz或更高的高频的高频产生装置；以叠加在所述高频上的方式施加DC负脉冲电压的DC负脉冲产生装置；以及控制器，所述控制器进行控制以引起所述高频的断续施加并根据所述高频的开或关的时序引起所述DC负脉冲电压的断续施加。

公开(公告)号：CN104810272A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201510206545.2

申请日：2008-08-15

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 松土龙夫 ,  桧森慎司 ,  今井范章 ,  大瀬刚 ,  阿部淳 ,  胜沼隆幸

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32165

摘要： 本发明提供等离子体蚀刻方法，能够大幅改善充电损伤的发生，实现等离子体处理的稳定性和可靠性的提高。在能够真空排气的处理容器(10)内相对地平行配置上部电极(38)和下部电极(12)，由第一高频电源(32)通过第一匹配器(34)向下部电极(12)施加第一高频。控制部(68)以使得用于生成等离子体的第一高频具有生成等离子体的第一振幅的第一期间、和具有实质上不生成等离子体的第二振幅的第二期间以规定的周期交替重复的方式控制第一高频电源(32)。

公开(公告)号：CN101853770B

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201010155002.X

申请日：2010-03-31

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 大瀬刚 ,  桧森慎司 ,  阿部淳 ,  山田纪和

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01J37/02 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32165

摘要： 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。该基板处理方法，对激励电力施加部的输出变动和偏置电力施加部的输出变动的时刻进行调整，抑制偏置用高频电力的振幅的增大，事先防止异常放电等问题发生。在使用基板处理装置的基板处理方法中，以在规定的时刻改变激励电力施加部(35)的输出使气体激励用高频电力间歇地变化的方式进行控制，并且利用激励电力施加部(35)的控制使收容室内成为等离子体不存在的状态或余辉的状态时，以使偏置电力施加部(27)断开或使其输出在与激励电力施加部的输出为设定输出情况下的偏置电力施加部的输出相比下降的方式进行控制，其中，基板处理装置具有：载置台(23)、与其相对配置的上部电极(24)、向上部电极(24)施加气体激励用高频电力的激励电力施加部(35)、和向下部电极(23)施加偏置用高频电力的偏置电力施加部(27)。

公开(公告)号：CN101532885B

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：CN200910126382.1

申请日：2009-03-10

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 阿部淳 ,  松土龙夫 ,  舆水地盐

IPC分类号： G01K11/00

CPC分类号： G01K11/00 ,  G01K11/125

摘要： 本发明提供一种温度测量装置和温度测量方法，与现有技术相比能够精度良好地测量温度，能够更加精度良好地且效率良好地进行基板处理等。该温度测量装置具有：将来自光源(110)的光分解为测量光和参照光的第一分离器(120)；用于反射参照光的参照光反射单元(140)；用于使参照光的光路长度变化的光路长变化单元(150)；用于分解来自参照光反射单元(140)的反射参照光的第二分离器(121)；用于测量来自温度测定对象物(10)的反射测量光与反射参照光的干涉的第一光检测器(160)；用于仅测量反射参照光的强度的第二光检测器(161)；从第一光检测器(160)的输出减去第二光检测器(161)的输出后计算干涉位置，计算温度的控制器(170)。

公开(公告)号：CN101853770A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN201010155002.X

申请日：2010-03-31

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 大瀬刚 ,  桧森慎司 ,  阿部淳 ,  山田纪和

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01J37/02 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32165

摘要： 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。该基板处理方法，对激励电力施加部的输出变动和偏置电力施加部的输出变动的时刻进行调整，抑制偏置用高频电力的振幅的增大，事先防止异常放电等问题发生。在使用基板处理装置的基板处理方法中，以在规定的时刻改变激励电力施加部(35)的输出使气体激励用高频电力间歇地变化的方式进行控制，并且利用激励电力施加部(35)的控制使收容室内成为等离子体不存在的状态或余辉的状态时，以使偏置电力施加部(27)断开或使其输出在与激励电力施加部的输出为设定输出情况下的偏置电力施加部的输出相比下降的方式进行控制，其中，基板处理装置具有：载置台(23)、与其相对配置的上部电极(24)、向上部电极(24)施加气体激励用高频电力的激励电力施加部(35)、和向下部电极(23)施加偏置用高频电力的偏置电力施加部(27)。

公开(公告)号：CN101370349A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200810135193.6

申请日：2008-08-15

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 松土龙夫 ,  桧森慎司 ,  今井范章 ,  大瀬刚 ,  阿部淳 ,  胜沼隆幸

IPC分类号： H05H1/46 ,  H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32165

摘要： 本发明提供等离子体处理装置、等离子体处理方法和存储介质。在等离子体处理装置中，能够大幅改善充电损伤的发生，实现等离子体处理的稳定性和可靠性的提高。在能够真空排气的处理容器(10)内相对地平行配置上部电极(38)和下部电极(12)，由第一高频电源(32)通过第一匹配器(34)向下部电极(12)施加第一高频。控制部(68)以使得用于生成等离子体的第一高频具有生成等离子体的第一振幅的第一期间、和具有实质上不生成等离子体的第二振幅的第二期间以规定的周期交替重复的方式控制第一高频电源(32)。

公开(公告)号：CN111564355B

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202010081427.4

申请日：2020-02-06

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 青木裕介 ,  高田郁弥 ,  户花敏胜 ,  森北信也 ,  藤原一延 ,  阿部淳 ,  永海幸一

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。例示的实施方式的等离子体处理装置，在对基片的等离子体处理和等离子体清洁中，在腔室内生成等离子体，从直流电源装置将脉冲状的负极性的直流电压周期性地施加到上部电极。对基片的等离子体处理时的脉冲状的负极性的直流电压的占空比小于等离子体清洁时的该占空比。对基片的等离子体处理时的直流电源装置的输出电压的平均值的绝对值，小于等离子体清洁时的直流电源装置的输出电压的平均值的绝对值。本发明能够在对基片的等离子体处理中抑制腔室内的内壁面的损伤，并且通过等离子体清洁有效地除去形成于内壁面上的沉积物。

公开(公告)号：CN103258707B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201310162785.8

申请日：2009-09-24

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 宇井明生 ,  林久贵 ,  上夏井健 ,  桧森慎司 ,  山田纪和 ,  大瀬刚 ,  阿部淳

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01L21/67069 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32045 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/14 ,  H01L22/26

摘要： 本发明提供基板处理装置和基板处理方法，其能够有效地抑制电极上的基板的电压变化，抑制射向基板的离子的入射能量的变动。基板处理装置包括：将基板保持在主面上的第一电极；与第一电极相对的第二电极；向第一电极施加频率为40MHz以上的RF电压的RF电源；和叠加在RF电压上，向第一电极施加电压与时间对应地下降的脉冲电压的脉冲电压施加部。

公开(公告)号：CN101685772B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN200910175626.5

申请日：2009-09-24

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 宇井明生 ,  林久贵 ,  上夏井健 ,  桧森慎司 ,  山田纪和 ,  大瀬刚 ,  阿部淳

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/67069 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32045 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/14 ,  H01L22/26

摘要： 本发明提供基板处理装置和基板处理方法，其能够有效地抑制电极上的基板的电压变化，抑制射向基板的离子的入射能量的变动。基板处理装置包括：将基板保持在主面上的第一电极；与第一电极相对的第二电极；向第一电极施加频率为40MHz以上的RF电压的RF电源；和叠加在RF电压上，向第一电极施加电压与时间对应地下降的脉冲电压的脉冲电压施加部。