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公开(公告)号：CN103026452B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201180035474.4
申请日：2011-06-14
Applicant: 许廷格电子两合公司
Inventor： U·里希特
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32064 , H01J37/32018 , H01J37/32045 , H01J37/32935
Abstract: 在用于熄灭气体放电室（5）中的电弧的方法中，电力被供应至气体放电室（5），在所述气体放电室（5）中利用第一方向上的电流和相反的第二方向上的电流产生气体放电，当识别出电弧时，中断供应到所述气体放电室（5）的电力，并且将在所述气体放电室（5）的供应线路（17，19）中和/或所述气体放电室（5）中的残留能量供应到能量存储器（30）。
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公开(公告)号：CN103258707B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201310162785.8
申请日：2009-09-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32009 , H01J37/32027 , H01J37/32045 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32137 , H01J37/32532 , H01J2237/3341 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32136 , H01L21/67253 , H01L22/14 , H01L22/26
Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法，其能够有效地抑制电极上的基板的电压变化，抑制射向基板的离子的入射能量的变动。基板处理装置包括：将基板保持在主面上的第一电极；与第一电极相对的第二电极；向第一电极施加频率为40MHz以上的RF电压的RF电源；和叠加在RF电压上，向第一电极施加电压与时间对应地下降的脉冲电压的脉冲电压施加部。
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公开(公告)号：CN103765551A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201280043726.2
申请日：2012-08-29
Applicant: 欧瑞康贸易股份公司(特吕巴赫)
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H05H1/24 , H01J27/022 , H01J37/32045 , H01J37/32064
Abstract: 本发明涉及一种等离子体源，所述等离子体源以漂游的方式布置在真空室处，其中，所述等离子体源包括源壳体并且在所述源壳体中设置有与所述源壳体绝缘地布置的细丝，其中，设置有用于测量源壳体与细丝之间的电位降的装置。所测量的电位降可以用于调节对细丝加热的电压。根据本发明设置相应的装置。
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公开(公告)号：CN101685772B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN200910175626.5
申请日：2009-09-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32009 , H01J37/32027 , H01J37/32045 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32137 , H01J37/32532 , H01J2237/3341 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32136 , H01L21/67253 , H01L22/14 , H01L22/26
Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法，其能够有效地抑制电极上的基板的电压变化，抑制射向基板的离子的入射能量的变动。基板处理装置包括：将基板保持在主面上的第一电极；与第一电极相对的第二电极；向第一电极施加频率为40MHz以上的RF电压的RF电源；和叠加在RF电压上，向第一电极施加电压与时间对应地下降的脉冲电压的脉冲电压施加部。
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公开(公告)号：CN103026452A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201180035474.4
申请日：2011-06-14
Applicant: 许廷格电子两合公司
Inventor： U·里希特
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32064 , H01J37/32018 , H01J37/32045 , H01J37/32935
Abstract: 在用于熄灭气体放电室（5）中的电弧的方法中，电力被供应至气体放电室（5），在所述气体放电室（5）中利用第一方向上的电流和相反的第二方向上的电流产生气体放电，当识别出电弧时，中断供应到所述气体放电室（5）的电力，并且将在所述气体放电室（5）的供应线路（17，19）中和/或所述气体放电室（5）中的残留能量供应到能量存储器（30）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101685772A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200910175626.5
申请日：2009-09-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32009 , H01J37/32027 , H01J37/32045 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32137 , H01J37/32532 , H01J2237/3341 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32136 , H01L21/67253 , H01L22/14 , H01L22/26
Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法，其能够有效地抑制电极上的基板的电压变化，抑制射向基板的离子的入射能量的变动。基板处理装置包括：将基板保持在主面上的第一电极；与第一电极相对的第二电极；向第一电极施加频率为40MHz以上的RF电压的RF电源；和叠加在RF电压上，向第一电极施加电压与时间对应地下降的脉冲电压的脉冲电压施加部。
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公开(公告)号：CN108475612A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680059535.3
申请日：2016-10-11
Applicant: 基恩科有限公司
Inventor： 维克多·贝利多-冈萨雷斯
CPC classification number: H01J37/32027 , H01J37/32045 , H01J37/32422 , H01J37/32568 , H01J37/342 , H01J37/3438 , H01J37/3444
Abstract: 本发明涉及一种离子源，其包括：电极(1)；反电极(2)；装置(3)，其用于在电极(1)和反电极(2)之间产生电势；一个或多个磁体(4)，其被布置为在使用中限制在施加所述电势时在电极(1)周围产生的等离子体；以及孔隙，其在反电极中，来自所述等离子体的离子通过该孔隙可以逸出；其特征在于：用于在电极(1)和反电极(2)之间产生电势的装置(3)包括DC信号发生器，该DC信号发生器：电连接到电极(1)和反电极(2)；适于在使用时向电极(1)和反电极(2)施加基线DC电势，其中电极(1)的DC电势相对于反电极(2)的DC电势为正；以及适于在使用时施加叠加在基线DC电势上的DC脉冲(33)的时序。
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公开(公告)号：CN103765551B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201280043726.2
申请日：2012-08-29
Applicant: 欧瑞康表面解决方案股份公司 , 普费菲孔
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H05H1/24 , H01J27/022 , H01J37/32045 , H01J37/32064
Abstract: 本发明涉及一种等离子体源，所述等离子体源以漂游的方式布置在真空室处，其中，所述等离子体源包括源壳体并且在所述源壳体中设置有与所述源壳体绝缘地布置的细丝，其中，设置有用于测量源壳体与细丝之间的电位降的装置。所测量的电位降可以用于调节对细丝加热的电压。根据本发明设置相应的装置。
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公开(公告)号：CN102160140B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN200880131189.0
申请日：2008-09-20
Applicant: 许廷格电子两合公司
Inventor： P·维德穆特
CPC classification number: H01J37/3444 , H01J37/32045 , H01J2237/0206
Abstract: 本发明涉及一种具有多个功率供给单元(16-18)的等离子功率供给装置(10)，这些功率供给单元(16-18)分别包括：a)交变信号产生器(30，31)；b)调制器(40，41)，所述调制器以至少一个调制信号(52，57，60，63，66，69，72，75，76)调制由所述交变信号产生器(30，31)产生的交变信号(50，51)；c)调制信号输入端(44，45)，所述调制信号输入端与所述调制器(40，41)连接；d)调制信号输出端(42，43)，所述调制信号输出端与另一个功率供给单元的至少一个调制输入端(44，45)连接。
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公开(公告)号：CN102934208A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201080026879.7
申请日：2010-12-14
Applicant: 休斯敦大学体系
Inventor： 文森特·M·唐纳利 , 多美崔·J·埃科诺穆
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J37/32036 , H01J37/32045 , H01J37/32082 , H01J37/32146 , H01L21/30655
Abstract: 本发明提供了一种快速原子层蚀刻(ALET)的系统和方法，该系统包括具有螺旋线圈电极的脉冲等离子体源、冷却法拉第屏蔽、设置在管顶部的对向电极、气体入口、以及包括衬底支撑件和边界电极的反应室。该方法包括：将可蚀刻的衬底设置在等离子体蚀刻室中；在衬底表面上形成产物层；通过脉动等离子体源来去除产物层的一部分；然后重复形成产物层的步骤和去除产物层的一部分的步骤，以形成经蚀刻的衬底。
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