公开(公告)号：CN104091747A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201410366000.3

申请日：2011-09-21

申请人： 株式会社东芝

发明人： 宇井明生 ,  林久贵

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32174

摘要： 本发明提供基板处理方法和基板处理设备。使用基板处理设备的基板处理方法包括第一步骤和第二步骤。第一步骤是施加来自包括在设备中的脉冲电源的负电压脉冲。第二步骤是对于在负电压脉冲和在负电压脉冲之后的来自脉冲电源的正电压脉冲之间的时段，施加浮动电位。另外，设备包括室、第一电极、第二电极、RF电源和脉冲电源。第二电极被设置成第二电极面向第一电极以保持基板。RF电源将具有50MHz以上的频率的RF电压施加到第二电极。脉冲电源将具有RF电压的电压波形重复地施加到第二电极。

公开(公告)号：CN101499399B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200910126704.2

申请日：2009-01-23

申请人： 株式会社东芝 ,  东京毅力科创株式会社

发明人： 宇井明生 ,  玉置直树 ,  市川尚志 ,  林久贵 ,  上夏井健 ,  桧森慎司 ,  山田纪和 ,  大濑刚 ,  阿部淳

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01J37/32027 ,  H01J37/32045 ,  H01J37/32091

摘要： 本发明涉及衬底等离子体处理设备和等离子体处理方法。一种衬底等离子体处理设备，包括设置在腔内的衬底支撑电极和对向电极；向所述衬底支撑电极施加50MHz或更高的高频的高频产生装置；以叠加在所述高频上的方式施加DC负脉冲电压的DC负脉冲产生装置；以及控制器，所述控制器进行控制以引起所述高频的断续施加并根据所述高频的开或关的时序引起所述DC负脉冲电压的断续施加。

公开(公告)号：CN1659689A

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN03812720.2

申请日：2003-03-26

申请人： 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社东芝

发明人： 小川和人 ,  稻泽刚一郎 ,  林久贵 ,  大岩德久

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/31138 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144

摘要： 本发明提供一种蚀刻方法，在将无机材料膜作为掩模对有机材料膜进行蚀刻的情况下，能够与蚀刻图案相对应，维持高蚀刻速率，以良好的蚀刻形状、良好的面内均匀性，并且不产生无机材料膜的膜剥离地进行蚀刻。在处理容器(1)内，通过蚀刻气体的等离子，将无机材料膜作为掩模，对被处理体上形成的有机材料膜进行蚀刻时，在通过蚀刻而应开口的区域的比例以面积比计为40％以上的蚀刻图案的情况下，使用含有NH3气体和O2气体的混合气体作为蚀刻气体，在通过蚀刻而应开口的区域的比例以面积比计为小于40％的蚀刻图案的情况下，使用NH3气体作为蚀刻气体。

公开(公告)号：CN102549724B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN200980161197.4

申请日：2009-09-29

申请人： 株式会社东芝

发明人： 宇井明生 ,  林久贵 ,  菊谷圭介

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32174

摘要： 本发明涉及一种基板处理装置，其包括：腔室；配置于所述腔室内的第一电极；在所述腔室内与所述第一电极相对配置、保持基板的第二电极；对所述第二电极施加50MHz以上的频率的RF电压的RF电源；脉冲电源，该脉冲电源对所述第二电极反复施加与所述RF电压重叠的、包含负电压脉冲和从该负电压脉冲起延迟时间为50n秒以下的正电压脉冲的电压波形。

公开(公告)号：CN101277580B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200810090518.3

申请日：2008-03-26

申请人： 株式会社东芝

发明人： 宇井明生 ,  市川尚志 ,  玉置直树 ,  林久贵 ,  小岛章弘

IPC分类号： H01L21/00 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32165

摘要： 本发明提供一种在平行平板型等离子处理装置中具有适于基板加工的离子能量，还可使该离子能量宽度减小来精细控制加工形状的基板的等离子处理装置。等离子处理装置构成为包括：内部保持真空的室；配置于其内部、并构成为在主面上保持要处理的基板的RE电极；以及与该RF电极相对配置的对置电极；用于对所述RE电极外加规定频率的RE电压的RE电压外加装置；以及用于对所述RF电极外加规定的脉冲电压以便其与所述RF电压叠加的脉冲电压外加装置。所述脉冲电压外加装置具有调整所述脉冲电压的所述外加的定时、并设定不外加所述脉冲电压的停止时间的控制机构。

公开(公告)号：CN1319882A

公开(公告)日：2001-10-31

申请号：CN01111758.3

申请日：2001-03-23

申请人： 株式会社东芝

发明人： 佐藤康彦 ,  盐原英志 ,  佐藤基之 ,  大西廉伸 ,  富田宽 ,  大岩德久 ,  大内淳子 ,  林久贵

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： H01L21/31144 ,  G03F7/085 ,  G03F7/09 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/32139

摘要： 图案形成方法,它包括:在基片上形成碳原子含量≥80%(重量)的膜或气相淀积膜即下层膜的步骤;在下层膜的表面上施行密合性促进处理的步骤或在下层膜上形成密合性促进膜的步骤;在下层膜的表面上形成中间膜的步骤;在中间膜上形成抗蚀剂膜的步骤;对抗蚀剂膜进行图案曝光形成抗蚀剂图案的步骤;将抗蚀剂图案复制到中间膜上形成中间膜图案的步骤;将此中间膜图案复制到上述下层膜上而形成下层膜图案的步骤。

公开(公告)号：CN105280489A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510102366.4

申请日：2015-03-09

申请人： 株式会社东芝

发明人： 佐藤阳介 ,  宇井明生 ,  林久贵

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/32577 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/20214 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/3065

摘要： 本发明涉及等离子体处理装置和等离子处理方法，该等离子处理装置具备有：腔室、导入部、基板电极、高频电源、低频电源和切换机构。导入部向腔室内导入处理气体。基板电极配置在腔室内，直接或间接载置有基板，具有交互配置的第1、第2电极元件群。高频电源输出40MHz以上的高频电压，用于使处理气体离子化，产生等离子体。低频电源输出20MHz以下的低频电压，用于从等离子体中引入离子。切换机构向所述第1、第2电极元件群交互施加所述低频电压。

公开(公告)号：CN102549724A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200980161197.4

申请日：2009-09-29

申请人： 株式会社东芝

发明人： 宇井明生 ,  林久贵 ,  菊谷圭介

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32174

摘要： 本发明涉及一种基板处理装置，其包括：腔室；配置于所述腔室内的第一电极；在所述腔室内与所述第一电极相对配置、保持基板的第二电极；对所述第二电极施加50MHz以上的频率的RF电压的RF电源；脉冲电源，该脉冲电源对所述第二电极反复施加与所述RF电压重叠的、包含负电压脉冲和从该负电压脉冲起延迟时间为50n秒以下的正电压脉冲的电压波形。

公开(公告)号：CN1732558B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200380107612.0

申请日：2003-12-25

申请人： 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社东芝

发明人： 本田昌伸 ,  松山升一郎 ,  永关一也 ,  林久贵

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/31138 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32688 ,  H01J2237/3341

摘要： 在处理容器(1)内设置构成平行平板电极的支持电极(2)和相对电极(16)。使形成有机类材料膜的基板(W)支持在支持电极(2)上。对该支持电极(2)施加用于形成等离子体的频率在40MHz以上的高频电力，从而在支持电极(2)和相对电极(16)之间形成高频电场。将处理气体供给到处理容器(1)内，利用高频电场形成处理气体的等离子体。通过该等离子体，以无机类材料膜作为掩模对基板(W)上的有机类材料膜进行等离子体蚀刻。处理气体含有例如Ar等来自基态的电离能量或来自准稳态的电离能量在10eV以下而且最大电离截面积在2×10-16cm2以上的电离促进气体。

公开(公告)号：CN101499399A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200910126704.2

申请日：2009-01-23

申请人： 株式会社东芝 ,  东京毅力科创株式会社

发明人： 宇井明生 ,  玉置直树 ,  市川尚志 ,  林久贵 ,  上夏井健 ,  桧森慎司 ,  山田纪和 ,  大濑刚 ,  阿部淳

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01J37/32027 ,  H01J37/32045 ,  H01J37/32091

摘要： 本发明涉及衬底等离子体处理设备和等离子体处理方法。一种衬底等离子体处理设备，包括设置在腔内的衬底支撑电极和对向电极；向所述衬底支撑电极施加50MHz或更高的高频的高频产生装置；以叠加在所述高频上的方式施加DC负脉冲电压的DC负脉冲产生装置；以及控制器，所述控制器进行控制以引起所述高频的断续施加并根据所述高频的开或关的时序引起所述DC负脉冲电压的断续施加。