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公开(公告)号：CN100444407C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200510067218.X
申请日：1997-01-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/02532 , H01L21/2022 , H01L21/3226 , H01L27/12 , H01L27/1203 , H01L27/1277 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 本发明目的是获得具有良好的特性的薄膜晶体管。使镍元素与非晶质膜203的特定的区域205保持选择性地接连。采用施行加热处理的办法使之结晶化，再在含卤族元素的氧化性气氛中施行加热处理的办法形成热氧化膜。这时进行结晶性的改善和镍元素的吸杂。这种结晶性硅膜将变成具有从多点放射状地进行了结晶生长的那样的构造。于是可得到具有良好的特性的TFT。
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公开(公告)号：CN1901205A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610101628.6
申请日：1997-01-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/02532 , H01L21/2022 , H01L21/3226 , H01L27/12 , H01L27/1203 , H01L27/1277 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 本发明的目的是要得到具有良好的特性的薄膜晶体管。使非晶硅膜203的特定的区域205保持有选择地与镍元素相接。然后通过加热处理，进行用207示出的那种朝向与基板平行的方向的结晶生长。再通过在含有卤族元素的氧化性气氛中的加热处理，形成热氧化膜209。此时，进行结晶性的改善、镍元素的吸杂。然后使上述结晶生长方向与源/漏区的联结方向一致来制造薄膜晶体管。通过这样做，可得到迁移率为200(cm2/Vs)以上，S值为100(mV/dec)以下的那种具有良好特性的TFT。
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公开(公告)号：CN1624875A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN200410102238.1
申请日：1997-12-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/3221 , H01L27/12 , H01L27/1277 , H01L29/66757 , H01L29/78621
Abstract: 使用薄膜晶体管(TFT)获得具有高特性的激励电路一体型(单片型)的有源矩阵显示器件。通过在非晶质硅膜203中一边添加镍元素，一边进行加热处理使其结晶化，并且还在含有卤素元素的氧化性气氛中进行加热处理，形成热氧化膜209。此时，可改善结晶性、对镍元素去气。用这样得到的硅结晶膜制作TFT，用此构成各种电路，能够获得驱动点数为5万以上300万以下的有源矩阵电路的数据激励器电路。
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公开(公告)号：CN1188738C
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN97126116.4
申请日：1997-12-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/3221 , H01L27/12 , H01L27/1277 , H01L29/66757 , H01L29/78621
Abstract: 使用薄膜晶体管(TFT)获得具有高特性的激励电路一体型(单片型)的有源矩阵显示器件。通过在非晶质硅膜203中一边添加镍元素，一边进行加热处理使其结晶化，并且还在含有卤素元素的氧化性气氛中进行加热处理，形成热氧化膜209。此时，可改善结晶性、对镍元素去气。用这样得到的硅结晶膜制作TFT，用此构成各种电路，能够获得驱动点数为5万以上300万以下的有源矩阵电路的数据激励器电路。
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公开(公告)号：CN1169589A
公开(公告)日：1998-01-07
申请号：CN97109515.9
申请日：1997-01-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02532 , H01L21/2022 , H01L21/28158 , H01L21/3221 , H01L21/3226 , H01L27/12 , H01L27/1203 , H01L27/1277 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 通过除去或者减少利用金属元素得到结晶硅膜中的该金属元素,得到具有优良特性的结晶硅膜,并且利用该结晶硅膜得到具有优良特性的半导体器件。通过第1加热处理,在非晶硅膜中,掺入促进硅结晶的金属元素,得到使该非晶硅膜结晶的结晶硅膜以后,在氧化气氛中进行第2加热处理、除去或者减少在该结晶硅膜中存在的金属元素,除掉形成的热氧化膜,在除掉该热氧化膜区域的表面上,再次进行热氧化,通过形成热氧化膜等得到半导体器件及其制造方法。该氧化气氛,采用含氧的氧化气氛,和含有卤素的氧化气氛等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1881594B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200610099676.6
申请日：1997-01-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/02532 , H01L21/2022 , H01L21/3226 , H01L27/12 , H01L27/1203 , H01L27/1277 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 本发明目的是获得具有良好的特性的薄膜晶体管。使镍元素与非晶质膜203的特定的区域205保持选择性地接连。采用施行加热处理的办法使之结晶化，再在含卤族元素的氧化性气氛中施行加热处理的办法形成热氧化膜。这时进行结晶性的改善和镍元素的吸杂。这种结晶性硅膜将变成具有从多点放射状地进行了结晶生长的那样的构造。于是可得到具有良好的特性的TFT。
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公开(公告)号：CN101004899B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200710084089.4
申请日：1995-08-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 在液晶电光器件的外部驱动电路中包括由多个寄存器和对每个寄存器提供电源的电路配置而成的移位寄存器电路。当输入信号进入第n个寄存器时，停止向第n个寄存器之外的寄存器至少一部分加电源。移位寄存器电路是由P沟道TFT和电阻构成。通过使用移位寄存器电路的输出来控制向移位寄存器的供电。用于提供电源的电路由P沟道TFT和电阻配置而成。电流电路功耗不大于移位寄存器电路的功耗。
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公开(公告)号：CN100550116C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200610139583.1
申请日：1995-08-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 在液晶电光器件的外部驱动电路中包括由多个寄存器和对每个寄存器提供电源的电路配置而成的移位寄存器电路。当输入信号进入第n个寄存器时，停止向第n个寄存器之外的寄存器至少一部分加电源。移位寄存器电路是由P沟道TFT和电阻构成。通过使用移位寄存器电路的输出来控制向移位寄存器的供电。用于提供电源的电路由P沟道TFT和电阻配置而成。电流电路功耗不大于移位寄存器电路的功耗。
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公开(公告)号：CN100347822C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200410102238.1
申请日：1997-12-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/3221 , H01L27/12 , H01L27/1277 , H01L29/66757 , H01L29/78621
Abstract: 使用薄膜晶体管(TFT)获得具有高特性的激励电路一体型(单片型)的有源矩阵显示器件。通过在非晶质硅膜203中一边添加镍元素，一边进行加热处理使其结晶化，并且还在含有卤素元素的氧化性气氛中进行加热处理，形成热氧化膜209。此时，可改善结晶性、对镍元素去气。用这样得到的硅结晶膜制作TFT，用此构成各种电路，能够获得驱动点数为5万以上300万以下的有源矩阵电路的数据激励器电路。
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公开(公告)号：CN1722468A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510083584.4
申请日：1997-01-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/02532 , H01L21/2022 , H01L21/3226 , H01L27/12 , H01L27/1203 , H01L27/1277 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 一种便携式信息终端，该信息终端包括一个半导体装置，所述半导体装置具有多个N沟道和P沟道薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：在一个基板的绝缘表面上形成的结晶性硅膜作为有源层，所述有源层具有至少一个沟道区和源、漏区，并包括一种卤族元素；其中所述结晶性硅膜包括结晶性硅晶粒，每个结晶性硅晶粒的晶体结构在预定方向上延伸，并且晶界在所述预定预定方向上扩展；其中所述预定方向与所述薄膜晶体管的沟道区中的载流子移动方向成一预定角度，且其中所述薄膜晶体管的S值小于等于100mV/dec。
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