公开(公告)号：CN102790075B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201210298582.7

申请日：2008-08-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小林聪 ,  川俣郁子 ,  大力浩二 ,  小森茂树 ,  伊佐敏行 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/417 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786

Abstract: 一种显示装置以及显示装置的制造方法。本发明的目的在于提供一种具有电特性及可靠性都高的薄膜晶体管的显示装置、以及一种量产性高地制造该显示装置的方法。在具有沟道停止型的反交错型薄膜晶体管的显示装置中，该沟道停止型的反交错型薄膜晶体管具有包括沟道形成区的微晶半导体膜，并且在该微晶半导体膜的沟道形成区中的不重叠于源电极及漏电极的区域中选择性地设置有包括一种导电型的杂质元素的杂质区。

公开(公告)号：CN102077354B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN200980124788.4

申请日：2009-06-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 伊佐敏行 ,  神保安弘 ,  手塚祐朗 ,  大力浩二 ,  宫入秀和 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种薄膜晶体管包括在栅极绝缘层和源区及漏区之间且至少在源区及漏区一侧的作为缓冲层的具有氮或NH基的非晶半导体层。与其沟道形成区域中具有非晶半导体的薄膜晶体管相比，薄膜晶体管的导通电流可提高。此外，与其沟道形成区域具有微晶半导体的薄膜晶体管相比，薄膜晶体管的截止电流可降低。

公开(公告)号：CN101447526B

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN200810179634.2

申请日：2008-11-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 井坂史人 ,  加藤翔 ,  大力浩二

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种光电转换装置的制造方法。本发明的要旨在于：在离单晶半导体衬底的一表面有小于1000nm的深度的领域中形成脆弱层，且在其一表面上形成第一杂质半导体层、第一电极。在将第一电极和支撑衬底贴合之后，以脆弱层或其附近为分离面分离单晶半导体衬底，来在支撑衬底上形成第一单晶半导体层。在第一单晶半导体层上形成非晶半导体层，并进行热处理，使非晶半导体层固相外延生长来形成第二单晶半导体层。第二杂质半导体层具有与第一杂质半导体层相反的导电型，在第二单晶半导体层上形成第二电极。

公开(公告)号：CN1893033B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200610100198.6

申请日：2006-06-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大力浩二 ,  楠本直人 ,  鹤目卓也

IPC: H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292

Abstract: 本发明的一个目的在于提供制造半导体器件的方法，该方法消除了在将半导体元件形成在基片上后基片变薄或者除去基片的情形中，由于杂质元素或者水分等从外界进入而对半导体元件产生的影响。其一个特征是通过对基片进行表面处理在基片的至少一个侧面上形成起防护膜作用的绝缘薄膜，将半导体元件(比如薄膜晶体管)形成在所述绝缘薄膜上，和薄化所述基片。作为表面处理，对基片进行杂质元素的加入或者等离子处理。作为薄化基片的方法，通过对基片另一侧面进行研磨处理或者抛光处理等可以使基片被部分除去。

公开(公告)号：CN1716575B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200510078881.X

申请日：2005-03-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 丸山纯矢 ,  矶部敦生 ,  冈崎奖 ,  田中幸一郎 ,  山本良明 ,  大力浩二 ,  田村友子

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/83 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种制造半导体器件的方法，其能够防止在完成半导体元件之前的阶段中剥离层从衬底上被剥离并能快速剥离半导体元件。据认为是因为由衬底和剥离层之间的热膨胀系数差异引起在剥离层上施加一应力，或者因为由于剥离层结晶化热处理引起剥离层的体积减小并因此在其上施加一应力，从而剥离层趋于从衬底上被剥离。因此，根据本发明的一个特征，通过在衬底上形成剥离层之前在衬底和剥离层之间形成用于释放剥离层上的应力的绝缘膜，增强了衬底和剥离层的粘接。

公开(公告)号：CN102007586A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200980113810.5

申请日：2009-04-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  大力浩二 ,  惠木勇司 ,  神保安弘 ,  伊佐敏行

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/205 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1288 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4404 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/04 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 所公开的是一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管在具有绝缘表面的衬底上包括：覆盖栅电极的栅极绝缘层；起沟道形成区域作用的半导体层；以及包含赋予一导电类型的杂质元素的半导体层。该半导体层以多个晶粒分散在非晶硅中且晶粒具有倒锥形或倒金字塔形的状态存在。晶粒沿半导体层沉积的方向大致放射状生长。倒锥形或倒金字塔形的晶粒的顶点远离栅极绝缘层与半导体层之间的界面。

公开(公告)号：CN100585796C

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200610088627.2

申请日：2006-05-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田村友子 ,  荻田香 ,  大力浩二 ,  丸山纯矢

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/7806 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明的目的在于提供一种以低的成本制造具有高可靠性的半导体器件的方法，其中从衬底剥离具有提供于衬底上方的薄膜晶体管等的元件形成层，以便制造半导体器件。根据本发明，在衬底上方形成金属膜，在一氧化二氮的气氛下对金属膜进行等离子体处理以在金属膜的上方形成金属氧化膜，连续地形成第一绝缘膜而不暴露于空气，在第一绝缘膜的上方形成元件形成层，以及从衬底剥离元件形成层，以便制造半导体器件。

公开(公告)号：CN100530611C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200510109909.1

申请日：2005-09-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 鹤目卓也 ,  大力浩二 ,  楠本直人

IPC: H01L23/18 ,  H01L21/54

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L23/20 ,  H01L23/22 ,  H01L23/58 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2224/29075 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种无需固定到产品上便可使用的新型无线芯片。明确地说，无线芯片可通过密封步骤而具有新功能。根据本发明的无线芯片的一个特征是具有一种结构，在这种结构中，薄膜集成电路通过薄膜来密封。具体来说，密封集成电路的薄膜具有空心结构；因此无线芯片可具有新功能。

公开(公告)号：CN101499479A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200910003822.4

申请日：2005-08-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大力浩二 ,  丸山纯矢 ,  田村友子 ,  杉山荣二 ,  道前芳隆

IPC: H01L27/13 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/1255 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627 ,  H01L29/78648

Abstract: 本发明的一个目的是降低无线芯片的成本，进一步，通过实现大量生产无线芯片而降低无线芯片的成本，并且更进一步，提供小型化和较轻的无线芯片。根据本发明提供一种无线芯片，其中从玻璃衬底或石英衬底上剥离下来的薄膜集成电路形成在第一基底材料和第二基底材料之间。与由硅衬底形成的无线芯片对比，根据本发明的无线芯片实现了小、薄和轻。根据本发明的无线芯片中包含的薄膜集成电路至少包含：具有LDD(轻掺杂漏极)结构的n－型薄膜晶体管，具有单个漏极结构的p－型薄膜晶体管，以及作为天线的导电层。

公开(公告)号：CN100490091C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200510129683.1

申请日：2005-12-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 藤井严 ,  森末将文 ,  小路博信 ,  丸山纯矢 ,  大力浩二 ,  青木智幸

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L23/48 ,  H01L23/5227 ,  H01L24/11 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/13 ,  H01L28/10 ,  H01L29/78621 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 本发明提供一种具有导电层的衬底的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成无机绝缘层；在所述无机绝缘层上形成具有期望形状的有机树脂层；在所述无机绝缘层的第1暴露区域上形成对含有导电颗粒的混合物的低可湿性层；去除所述有机树脂层；用所述含有导电颗粒的混合物涂覆所述无机绝缘层的第2暴露区域并烘焙，从而形成导电层。