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公开(公告)号:CN105742570B
公开(公告)日:2021-05-07
申请号:CN201610297039.3
申请日:2012-03-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 锂离子二次电池。提供一种具有高放电容量、高能级密度的锂离子二次电池以及其制造方法。锂离子二次电池包括正极、负极以及设置在正极和负极之间的电解质。正极包括正极集电体及设置正极集电体上的正极活性物质层。在正极活性物质层中,交替设置有石墨烯和含锂复合氧化物。含锂复合氧化物为扁状单晶粒,其中b轴方向上的长度比a轴方向的长度及c轴方向上的长度短。此外,含锂复合氧化物以单晶粒的b轴与正极集电体的表面交叉的方式设置在正极集电体上。
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公开(公告)号:CN103443971B
公开(公告)日:2016-06-08
申请号:CN201280014987.1
申请日:2012-03-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01M4/366 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M4/136 , H01M4/485 , H01M4/5825 , H01M4/587 , H01M4/62 , H01M4/621 , H01M10/0525 , H01M2004/028 , Y02E60/122 , Y02P70/54 , Y02T10/7011
Abstract: 提供一种具有高放电容量、高能级密度的锂离子二次电池以及其制造方法。锂离子二次电池包括正极、负极以及设置在正极和负极之间的电解质。正极包括正极集电体及设置正极集电体上的正极活性物质层。在正极活性物质层中,交替设置有石墨烯和含锂复合氧化物。含锂复合氧化物为扁状单晶粒,其中b轴方向上的长度比a轴方向的长度及c轴方向上的长度短。此外,含锂复合氧化物以单晶粒的b轴与正极集电体的表面交叉的方式设置在正极集电体上。
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公开(公告)号:CN106207082A
公开(公告)日:2016-12-07
申请号:CN201610801763.5
申请日:2011-08-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/04
CPC classification number: H01M4/1393 , B29B15/00 , H01M4/366 , H01M4/60 , H01M4/625 , H01M4/661 , H01M2004/021 , H01M4/0407
Abstract: 本发明的目的是提高用于电池的包含活性物质粒子等的电极的导电性。作为导电助剂使用包括1至10个石墨烯的二维碳,代替至多只一维延伸的以往使用的导电助剂诸如石墨粒子、乙炔黑或碳纤维等。二维延伸的导电助剂与活性物质粒子或其他导电助剂接触的概率较高,由此可以提高该导电性。
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公开(公告)号:CN102694199B
公开(公告)日:2016-03-16
申请号:CN201210082550.3
申请日:2012-03-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/0525 , H01M4/131 , H01M10/058 , H01M4/1391
CPC classification number: H01M10/0525 , C30B1/00 , H01M4/13 , H01M4/136 , H01M4/362 , H01M4/5825 , H01M4/665 , H01M4/668 , H01M2004/021 , H01M2004/028 , Y02E60/122 , Y02P70/54
Abstract: 锂离子二次电池及其制造方法。本发明的一个方式是一种包括正极、负极以及设置在正极和负极之间的电解质的锂离子二次电池。正极包括正极集电体及正极集电体上的正极活性物质层。正极活性物质层含有多个以通式LiMPO4(M为Fe(II)、Mn(II)、Co(II)、Ni(II)中的一种以上)表示的含锂复合氧化物。含锂复合氧化物为扁状单晶粒,并且扁状单晶粒的b轴方向上的长度比a轴方向及c轴方向上的长度短。此外,含锂复合氧化物以单晶粒的b轴与正极集电体的表面相交的方式设置在正极集电体上。
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公开(公告)号:CN102576861B
公开(公告)日:2015-05-13
申请号:CN201080040086.0
申请日:2010-09-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/136 , C01G53/00 , H01G11/22 , H01M4/58 , H01M10/052 , H01M10/0566
CPC classification number: H01M4/58 , H01M4/136 , H01M4/366 , H01M10/0525 , H01M10/0585 , Y02E60/13
Abstract: 本发明涉及负电极活性材料、负电极和蓄电装置。目标是改善蓄电装置的特性和实现长寿命。在氮化锂用于蓄电装置的负电极活性材料的情况下,将多个具有不同锂浓度的氮化锂层层叠。例如,在将第一氮化锂层和第二氮化锂层层叠在集流体上的情况下,第一氮化锂层中所含的锂比第二氮化锂层中所含的锂的浓度低。在该情况下,第一氮化锂层的过渡金属的浓度高于第二氮化锂层的过渡金属的浓度。注意,可以使用另外的碱金属来替代锂。
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公开(公告)号:CN103715400A
公开(公告)日:2014-04-09
申请号:CN201310467411.7
申请日:2013-10-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/36 , H01M4/587 , H01M4/62 , H01M10/0525
CPC classification number: H01G9/042 , H01G11/06 , H01G11/26 , H01G11/50 , H01M4/02 , H01M4/133 , H01M4/134 , H01M4/366 , H01M10/0525 , Y02E60/122 , Y02E60/13
Abstract: 本发明涉及蓄电装置用电极材料、蓄电装置以及电气设备。本发明的目的之一是提高蓄电装置的可靠性。在使用包含碳的粒状活性物质的情况下,在该粒状活性物质的表面的一部分上形成该粒状活性物质所含的碳原子通过氧原子与金属原子或硅原子键合的网状结构。通过形成上述网状结构,抑制电解液的还原分解且实现不可逆容量的减少。另外,通过构成使用上述网状结构的蓄电装置,提高循环特性,实现可靠性的提高。
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公开(公告)号:CN102812581A
公开(公告)日:2012-12-05
申请号:CN201180016199.1
申请日:2011-03-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/66
CPC classification number: H01M4/134 , H01M4/0428 , H01M4/0471 , H01M4/1395 , H01M4/38 , H01M4/661 , H01M4/662 , H01M4/667 , Y10T29/49108 , Y10T29/49115
Abstract: 目的是提供充放电循环特性优异的二次电池。提供一种二次电池,该二次电池具有包含硅或硅化合物的电极,其中该电极在金属材料的层上设置有包含硅或硅化合物的层;在该金属材料层与该包含硅或硅化合物的层之间设置有所述金属材料和所述硅的混合层;所述金属材料的氧亲和性比该二次电池中进行电荷授受的离子的氧亲和性高;并且,所述金属材料的氧化物不具有绝缘性。进行电荷授受的离子是碱金属离子或碱土金属离子。
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公开(公告)号:CN106711402B
公开(公告)日:2020-08-21
申请号:CN201710014347.5
申请日:2011-09-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/131 , H01M4/133 , H01M4/36 , H01M4/587 , H01M4/62 , H01M10/052 , H01M10/0525 , B82Y30/00
Abstract: 正极活性物质以及蓄电装置。提供一种导电性得到提高的正极活性物质以及使用该物质的蓄电装置。提供一种电容大的正极活性物质以及使用该物质的蓄电装置。作为正极活性物质的主要材料的核,使用包含锂金属氧化物的核,且将1至10片石墨烯用作核的覆盖层。对石墨烯设置孔,由此便于锂离子的传输,从而可以提高电流的利用效率。
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公开(公告)号:CN103367787B
公开(公告)日:2017-11-07
申请号:CN201310097723.3
申请日:2013-03-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/04
CPC classification number: H01G9/28 , H01G9/025 , H01G9/15 , H01G11/06 , H01G11/08 , H01G11/28 , H01G11/50 , H01G11/56 , H01L28/40 , H01M4/64 , H01M10/052 , H01M10/0562 , H01M10/0585 , Y02E60/13 , Y02P70/54 , Y02T10/7011 , Y02T10/7022
Abstract: 本发明涉及蓄电元件及蓄电元件的制造方法以及蓄电装置。本发明的课题是提供一种在同一平面内设置正极及负极的蓄电元件以及一种在同一平面内配置有该蓄电元件的蓄电装置。本发明的一个方式是一种蓄电元件,包括形成在同一平面内的正极集电体层及负极集电体层、正极集电体层上的正极活性物质层、负极集电体层上的负极活性物质层以及至少接触于正极活性物质层及负极活性物质层的电解质层。此外,本发明的一个方式是一种蓄电装置,其中在同一平面内配置有多个该蓄电元件,通过布线将该多个蓄电元件电连接,并且蓄电元件被串联连接或并联连接的蓄电装置。
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公开(公告)号:CN102823028B
公开(公告)日:2016-06-29
申请号:CN201180016382.1
申请日:2011-03-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/38
CPC classification number: H01M4/134 , H01M4/0428 , H01M4/0471 , H01M4/1395 , H01M4/38 , H01M4/661 , H01M4/662 , H01M4/667 , Y10T29/49108 , Y10T29/49115
Abstract: 本发明提供一种二次电池,该二次电池包括包含硅或硅化合物的电极,该电极例如包括由金属形成的集电体和设置在该集电体上的用作活性物质的硅膜。该电极的硅膜中的氢浓度为1.0×1018cm-3以上且1.0×1021cm-3以下。这种硅膜例如优选利用等离子体CVD法等在集电体上形成硅膜,并使硅膜中尽量不包含氢。为了使硅膜中尽量不包含氢,可在高温度环境下在集电体上形成硅膜。
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