公开(公告)号：CN102906907A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180026957.8

申请日：2011-05-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 村上智史 ,  栗城和贵 ,  汤川干央

IPC: H01M4/134 ,  H01G11/24 ,  H01G11/30 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/04 ,  H01M4/66

CPC classification number: H01G11/24 ,  C23C16/24 ,  H01G11/30 ,  H01G11/46 ,  H01M4/0428 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/48 ,  H01M4/52 ,  H01M4/661 ,  H01M10/0525 ,  H01M2220/20 ,  H01M2220/30 ,  Y02E60/122 ,  Y02E60/13 ,  Y02P70/54 ,  Y02T10/7022 ,  Y10T29/417 ,  Y10T29/49115

Abstract: 本发明提供一种提高放电容量等能够提高性能（如更高放电容量）且不容易发生因活性物质层的剥落等导致的劣化的蓄电装置及其制造方法。蓄电装置包括：集电体；形成在集电体上的混合层；形成在混合层上且用作活性物质层的晶体硅层。晶体硅层包括晶体硅区域、具有突出在晶体硅区域上的多个突起物的须状的晶体硅区域。须状的晶体硅区域包括具有弯曲或分支的部分的突起物。

公开(公告)号：CN101202300A

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200810003150.2

申请日：2002-01-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 浜田崇 ,  村上智史 ,  山崎舜平 ,  中村理 ,  梶尾诚之 ,  肥塚纯一 ,  高山彻

IPC: H01L27/32

CPC classification number: H01L21/02672 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3246 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明特征在于，在通过使用催化元素经过阻挡层获得的结晶半导体膜上，形成含稀有气体元素的半导体膜，并通过热处理将催化元素从结晶半导体膜迁移到含稀有气体元素的半导体膜。而且，在第一n－沟道TFT的半导体层中在栅极外形成的第一杂质区域和第二杂质区域。在第二n－沟道TFT的半导体层中形成的第三杂质区域设置成与栅极部分重叠。第三杂质区域设在栅极外。在p－沟道TFT的半导体层中形成的第四杂质区域设置成与栅极部分重叠。第五杂质区域设在栅极外。

公开(公告)号：CN100373620C

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN02105264.6

申请日：2002-01-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 浜田崇 ,  村上智史 ,  山崎舜平 ,  中村理 ,  梶尾诚之 ,  肥纯一 ,  高山彻

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3246 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明特征在于，在通过使用催化元素经过阻挡层获得的结晶半导体膜上，形成含稀有气体元素的半导体膜，并通过热处理将催化元素从结晶半导体膜迁移到含稀有气体元素的半导体膜。而且，在第一n-沟道TFT的半导体层中在栅极外形成的第一杂质区域和第二杂质区域。在第二n-沟道TFT的半导体层中形成的第三杂质区域设置成与栅极部分重叠。第三杂质区域设在栅极外。在p-沟道TFT的半导体层中形成的第四杂质区域设置成与栅极部分重叠。第五杂质区域设在栅极外。

公开(公告)号：CN101017797A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200710078967.1

申请日：2003-05-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  村上智史 ,  纳光明

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/768 ,  H01L27/32 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/1248 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5271 ,  H01L2251/5315

Abstract: 含有有机化合物的发光元件的不足之处在于它易于受到各种因素的影响而退化，所以它的最大问题是增加它的可靠性(使它的使用寿命更长)。本发明提供一种有源矩阵型发光器件的制造方法，以及具有高可靠性的这种有源矩阵型发光器件的结构。在方法中，形成延伸到源区或漏区的接触孔，然后在层间绝缘膜上形成由光敏有机绝缘材料制成的层间绝缘膜。在层间绝缘膜的上端部具有弯曲表面。随后，用RF电源通过溅射的方法形成由氮化硅膜提供的膜的厚度为20到50nm的层间绝缘膜。

公开(公告)号：CN1320599C

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200410100105.0

申请日：2002-01-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 浜田崇 ,  村上智史 ,  山崎舜平 ,  中村理 ,  梶尾诚之 ,  肥塚纯一 ,  高山彻

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L21/02672 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3246 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明涉及一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在一个衬底上形成第一半导体岛区和第二半导体岛区；在第一和第二半导体岛区上形成栅绝缘膜；在第一半导体岛区之上形成第一和第二栅电极，在第二半导体岛区之上形成第三栅电极，所述第一、第二和第三栅电极都包括第一导电膜和第二导电膜；使用上述第一、第二以及第三栅电极作为掩膜，向上述第一和第二半导体岛区掺入第一杂质元素；使用分别覆盖上述第一和第二栅电极的第一和第二光刻胶掩膜和上述第三栅电极作为掩膜，向上述第一和第二半导体岛区掺入第二杂质元素；和在上述第一和第二栅电极以及第三栅电极上形成一个绝缘膜。

公开(公告)号：CN1855399A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610079300.9

申请日：2006-04-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  村上智史 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255

Abstract: 为了制造出高度可靠和小型的TFT，本发明的一个目的是提供一种制造形成具有高度可靠性的栅电极、源极布线和漏极布线的半导体器件的方法和半导体器件。在制造半导体器件的方法中，在具有绝缘表面的基板上形成半导体膜，在半导体膜上形成栅绝缘膜，在栅绝缘膜上形成栅电极，并通过使用高密度等离子体使栅电极表面氮化，在栅电极的表面上形成氮化膜。

公开(公告)号：CN1359139A

公开(公告)日：2002-07-17

申请号：CN01142745.0

申请日：2001-12-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 村上智史 ,  塚本洋介 ,  热海知昭 ,  坂仓真之

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L29/04 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136204 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124

Abstract: 半导体器件制造中,用干腐蚀法在层间绝缘膜中形成接触孔时产生静电。为了防止因所产生的静电移动损坏象素区或驱动电路区。在结晶半导体膜上的栅信号线相互隔开。在层间绝缘膜中开接触孔时不电连接第1保护电路。开接触孔进行的干腐蚀过程中产生的静电到达栅信号线之前,静电沿栅信号线移动,损坏栅绝缘膜,穿过结晶半导体膜,再损坏栅绝缘膜。随着干腐蚀中产生的静电损坏第1保护电路,静电能量减小,直到失去损坏驱动电路TFT的能力为止,由此防止静电放电损坏驱动电路TFT。

公开(公告)号：CN101202300B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200810003150.2

申请日：2002-01-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 浜田崇 ,  村上智史 ,  山崎舜平 ,  中村理 ,  梶尾诚之 ,  肥塚纯一 ,  高山彻

IPC: H01L27/32

CPC classification number: H01L21/02672 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3246 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明特征在于，在通过使用催化元素经过阻挡层获得的结晶半导体膜上，形成含稀有气体元素的半导体膜，并通过热处理将催化元素从结晶半导体膜迁移到含稀有气体元素的半导体膜。而且，在第一n-沟道TFT的半导体层中在栅极外形成的第一杂质区域和第二杂质区域。在第二n-沟道TFT的半导体层中形成的第三杂质区域设置成与栅极部分重叠。第三杂质区域设在栅极外。在p-沟道TFT的半导体层中形成的第四杂质区域设置成与栅极部分重叠。第五杂质区域设在栅极外。

公开(公告)号：CN100357992C

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN03110452.5

申请日：2003-04-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 早川昌彦 ,  村上智史 ,  山崎舜平 ,  秋元健吾

IPC: G09F9/33 ,  G02F1/133 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/78621 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 为了达到提高显示器件运行功能的稳定性和扩大电路设计中的设计裕度，在包括具有半导体元件和配备有连接到衬底上半导体元件的象素电极的多个象素的象素部分的显示器件中，半导体元件包括光敏有机树脂膜作为层间绝缘膜，提供在光敏有机树脂膜中的第一开口部分的内壁表面被第二绝缘氮化物膜覆盖，提供在无机绝缘膜中的第二开口部分被提供在第一开口部分的内侧上，半导体和布线通过第一开口部分和第二开口部分被连接，且象素电极被提供在有源层下侧的层上。

公开(公告)号：CN1322543C

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN01142745.0

申请日：2001-12-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 村上智史 ,  本洋介 ,  热海知昭 ,  坂仓真之

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L29/04 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136204 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124

Abstract: 半导体器件制造中，用干腐蚀法在层间绝缘膜中形成接触孔时产生静电。为了防止因所产生的静电移动损坏象素区或驱动电路区。在结晶半导体膜上的栅信号线相互隔开。在层间绝缘膜中开接触孔时不电连接第1保护电路。开接触孔进行的干腐蚀过程中产生的静电到达栅信号线之前，静电沿栅信号线移动，损坏栅绝缘膜，穿过结晶半导体膜，再损坏栅绝缘膜。随着干腐蚀中产生的静电损坏第1保护电路，静电能量减小，直到失去损坏驱动电路TFT的能力为止，由此防止静电放电损坏驱动电路TFT。