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公开(公告)号：CN102150191B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN200980135451.3
申请日：2009-08-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/0266 , G02F1/133305 , G02F1/1339 , G02F1/13394 , G02F1/134309 , G02F1/13624 , G02F1/1368 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L29/247 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 一种保护电路，其包括非线性元件，所述非线性元件进一步包括：栅电极；覆盖栅电极的栅极绝缘层；一对第一及第二布线层，在栅极绝缘层上其端部与栅电极重叠，并且其中层叠导电层和第二氧化物半导体层；第一氧化物半导体层，其至少与栅电极重叠并与栅极绝缘层、第一及第二布线层的导电层的侧面部和第二氧化物半导体层的侧面部及顶面部接触。在栅极绝缘层上，物理性不同的氧化物半导体层彼此接合，从而与肖特基结相比可以执行稳定的操作。因此，可以减少结的泄漏，并可以提高非线性元件的特性。
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公开(公告)号：CN101515571A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200910132593.6
申请日：2005-03-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/84 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/31 , H05B33/10
CPC classification number: H01L51/5253 , H01L27/1214 , H01L27/1248 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3258 , H05B33/04
Abstract: 本发明的一个目的是提供光发射装置的一种结构和制造方法，其降低保留在光发射装置内的水的量。本发明的另一个目的是提供一种光发射装置的结构和制造方法，其抑制光发射装置由于保留在光发射装置内的水而引起的恶化。本发明的光发射装置包括薄膜晶体管，覆盖薄膜晶体管的绝缘层，通过绝缘层上形成的接触孔而电连接至薄膜晶体管的电极，通过将光发射层置于电连接至第二电极的第一电极和第二电极之间而形成的光发射元件。该光发射装置进一步包括仅在电极和第一电极之间的绝缘层上，由与绝缘层不同的材料形成的层，和绝缘层。
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公开(公告)号：CN1694223A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200510068687.3
申请日：2005-05-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , G02F1/1368 , G09G3/36 , G09G3/38
Abstract: 本发明提供了一种用于制造具有高性能和可靠性的半导体器件的方法。可以避免在绝缘膜上形成电极或布线之后的干法蚀刻期间造成的蚀刻损害。该损害的避免是通过形成导电层使干法蚀刻过程中产生的带电粒子不能进入半导体层中。因此，本发明的一个目的在于提供一种方法，用于不造成对晶体管特性的损害，尤其是在具有微型结构的薄膜晶体管中。
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公开(公告)号：CN102881696A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210292427.4
申请日：2009-08-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/136204 , G02F1/136286 , H01L27/0266 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及显示装置。保护电路包括非线性元件，该非线性元件包括：栅电极；覆盖栅电极的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上与栅电极重叠的第一氧化物半导体层；以及其端部在第一氧化物半导体层上与栅电极重叠，并其中层叠有导电层和第二氧化物半导体层的第一布线层及第二布线层。在栅极绝缘层上接合物理性质彼此不同的氧化物半导体层，由此与肖特基结相比可进行稳定工作。因此，结漏降低，且可提高非线性元件的特性。
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公开(公告)号：CN102694199A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210082550.3
申请日：2012-03-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/0525 , H01M4/131 , H01M10/058 , H01M4/1391
CPC classification number: H01M10/0525 , C30B1/00 , H01M4/13 , H01M4/136 , H01M4/362 , H01M4/5825 , H01M4/665 , H01M4/668 , H01M2004/021 , H01M2004/028 , Y02E60/122 , Y02P70/54
Abstract: 锂离子二次电池及其制造方法。本发明的一个方式是一种包括正极、负极以及设置在正极和负极之间的电解质的锂离子二次电池。正极包括正极集电体及正极集电体上的正极活性物质层。正极活性物质层含有多个以通式LiMPO4(M为Fe(II)、Mn(II)、Co(II)、Ni(II)中的一种以上)表示的含锂复合氧化物。含锂复合氧化物为扁状单晶粒，并且扁状单晶粒的b轴方向上的长度比a轴方向及c轴方向上的长度短。此外，含锂复合氧化物以单晶粒的b轴与正极集电体的表面相交的方式设置在正极集电体上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102226997A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN201110161168.7
申请日：2005-05-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/32 , H01L51/52 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/5262 , H01L27/1248 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3258
Abstract: 本发明涉及一种发光器件，包括：衬底上的薄膜晶体管；薄膜晶体管上的氢化膜，其中该氢化膜具有开口；氢化膜上的电极，该电极通过氢化膜的接触孔与薄膜晶体管的源极和漏极之一电接触；形成在所述电极和氢化膜上的层间绝缘膜，其中该层间绝缘膜覆盖氢化膜的开口；形成在层间绝缘膜上的像素电极，该像素电极通过层间绝缘膜的接触孔与所述电极电接触；覆盖像素电极的外围部分的堤，其中像素电极未被所述堤覆盖的部分与氢化膜的开口重叠；和像素电极上的发光层。
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公开(公告)号：CN1697576B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200510070260.7
申请日：2005-05-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5262 , H01L27/1248 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3258
Abstract: 在用于制造具有发光元件的显示器件的方法中，第一基底绝缘膜、第二基底绝缘膜、半导体层、以及栅绝缘膜按所述顺序被形成在衬底上。栅电极被形成在栅绝缘膜上以便于与半导体层的至少一部分重叠，并且作为栅绝缘膜与第二基底绝缘膜中的像素部分的一部分掺杂有至少一种导电类型的杂质。通过选择性地蚀刻都掺杂有杂质的栅绝缘膜与第二基底绝缘膜而形成开口部分。第一基底绝缘膜被暴露在开口部分的底表面中。随后，绝缘膜被形成得覆盖开口部分、栅绝缘膜以及栅电极，并且发光元件被形成在绝缘膜上以便于与开口部分的至少一部分重叠。
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公开(公告)号：CN101713897A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910205211.8
申请日：2009-09-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/167 , H01L27/02 , H01L23/528
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1244 , H01L27/127 , H01L29/1054 , H01L29/20 , H01L29/24 , H01L29/7869
Abstract: 需要包括氧化物半导体以及具备适当的结构并其占有面积小的保护电路等的显示装置。使用非线性元件形成保护电路，该非线性元件包括：覆盖栅电极的栅极绝缘层；栅极绝缘层上的重叠于栅电极的第一氧化物半导体层；以及其端部在第一氧化物半导体层上并重叠于栅电极，并且通过层叠导电层和第二氧化物半导体层而形成的第一布线层及第二布线层。将非线性元件的栅电极连接到扫描线或信号线，并且将非线性元件的第一布线层或第二布线层直接连接到栅电极层，以施加栅电极的电位。
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公开(公告)号：CN104332472B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201410429433.9
申请日：2009-09-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , G02F1/1333
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1244 , H01L27/127 , H01L29/1054 , H01L29/20 , H01L29/24 , H01L29/7869
Abstract: 需要包括氧化物半导体以及具备适当的结构并其占有面积小的保护电路等的显示装置。使用非线性元件形成保护电路，该非线性元件包括：覆盖栅电极的栅极绝缘层；栅极绝缘层上的重叠于栅电极的第一氧化物半导体层；以及其端部在第一氧化物半导体层上并重叠于栅电极，并且通过层叠导电层和第二氧化物半导体层而形成的第一布线层及第二布线层。将非线性元件的栅电极连接到扫描线或信号线，并且将非线性元件的第一布线层或第二布线层直接连接到栅电极层，以施加栅电极的电位。
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公开(公告)号：CN103400838B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310335796.1
申请日：2009-08-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/02 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/136204 , G02F1/136286 , H01L27/0266 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 本发明公开了一种显示装置。保护电路包括非线性元件，该非线性元件包括：栅电极；覆盖栅电极的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上与栅电极重叠的第一氧化物半导体层；以及其端部在第一氧化物半导体层上与栅电极重叠，并其中层叠有导电层和第二氧化物半导体层的第一布线层及第二布线层。在栅极绝缘层上接合物理性质彼此不同的氧化物半导体层，由此与肖特基结相比可进行稳定工作。因此，结漏降低，且可提高非线性元件的特性。
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