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公开(公告)号：CN118872074A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202380025339.4
申请日：2023-02-20
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/363
摘要： 氧化物半导体膜是设置在基板之上的具有结晶性的氧化物半导体膜，氧化物半导体膜包含铟(In)元素和选自由铝(Al)元素、镓(Ga)元素、钇(Y)元素、钪(Sc)元素及镧系元素组成的组中的第一金属(M1)元素，氧化物半导体膜包含多个晶粒，该多个晶粒分别包括通过EBSD(电子背散射衍射)法获取的晶体取向＜001＞、晶体取向＜101＞及晶体取向＜111＞中的至少一者，在基于具有相对于基板的表面的法线方向而言的晶体取向差为0°以上15°以下的晶体取向的测定点算出的晶体取向的占有率中，晶体取向＜111＞的占有率比晶体取向＜001＞的占有率及晶体取向＜101＞的占有率大。
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公开(公告)号：CN118830088A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202380025428.9
申请日：2023-02-20
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/363
摘要： 薄膜晶体管包括：基板；设置在基板之上的具有结晶性的氧化物半导体层；与氧化物半导体层重叠设置的栅电极；和设置在氧化物半导体层与栅电极之间的绝缘层，氧化物半导体层多个晶粒，所述多个晶粒分别包括通过EBSD(电子背散射衍射)法来获取的晶体取向＜001＞、晶体取向＜101＞及晶体取向＜111＞中的至少一者，在基于具有相对于基板的表面的法线方向而言的晶体取向差为0°以上15°以下的晶体取向的测定点算出的晶体取向的占有率中，晶体取向＜111＞的占有率比晶体取向＜001＞的占有率及晶体取向＜101＞的占有率大。
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公开(公告)号：CN118805263A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202380025327.1
申请日：2023-02-20
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/363 , H01L21/336
摘要： 薄膜晶体管包括基板、设置在基板之上的氧化金属层、与氧化金属层相接而设置且具有结晶性的氧化物半导体层、与氧化物半导体层重叠设置的栅电极、和设置在氧化物半导体层与栅电极之间的绝缘层，氧化物半导体层包含多个晶粒，该多个晶粒分别包括通过EBSD(电子背散射衍射)法取得的晶体取向＜001＞、晶体取向＜101＞及晶体取向＜111＞中的至少一者。
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公开(公告)号：CN118738136A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410305656.8
申请日：2024-03-18
申请人： 株式会社日本显示器
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/44 , H01L21/34 , G09F9/33 , G09F9/35
摘要： 本发明涉及半导体装置、显示装置及半导体装置的制造方法。课题在于改善包括氧化物半导体的半导体装置的电气特性。半导体装置包括：绝缘表面之上的金属氧化物层；前述金属氧化物层之上的氧化物半导体层；前述氧化物半导体层之上的栅极绝缘层；和前述栅极绝缘层之上的栅极布线，前述金属氧化物层具有与前述栅极布线及前述氧化物半导体层重叠的第一区域、与前述氧化物半导体层重叠且与前述栅极布线不重叠的第二区域、以及与前述栅极布线重叠且与前述氧化物半导体层不重叠的第三区域。
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公开(公告)号：CN117855287A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311224445.3
申请日：2023-09-21
申请人： 株式会社日本显示器
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/34 , H01L29/06 , H01L29/24
摘要： 本发明涉及半导体装置、半导体装置的制造方法。提供含有防止氢向沟道区域侵入的氢陷阱区域的半导体装置。半导体装置包含氧化物绝缘层、氧化物半导体层、栅电极、栅极绝缘层及第1绝缘层。在与栅电极重叠的第1区域中的栅极绝缘层的厚度为200nm以上。第1区域中，栅电极与第1绝缘层相接，在不与栅电极重叠而与氧化物半导体层重叠的第2区域中，氧化物半导体层与第1绝缘层相接。所述第2区域中的所述氧化物半导体层所包含的杂质的量多于所述第1区域中的所述氧化物半导体层所包含的所述杂质的量，与栅电极及氧化物半导体层不重叠的所述第3区域中的所述氧化物绝缘层所包含的所述杂质的量多于所述第2区域中的所述氧化物绝缘层所包含的所述杂质的量。
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公开(公告)号：CN117410316A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202310812010.4
申请日：2023-07-04
申请人： 株式会社日本显示器
IPC分类号： H01L29/24 , H01L29/08 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L27/12
摘要： 本发明提供一种半导体器件，其能够使用氧化物半导体来作为配线材料。该半导体器件具有：氧化物半导体层，其设置在绝缘表面之上，有沟道区域以及夹着沟道区域的源极区域和漏极区域；与沟道区域相对的栅极电极；和设置在氧化物半导体层与栅极电极之间的栅极绝缘层，栅极电极是具有与氧化物半导体层相同的成分的氧化物导电层，氧化物导电层包含与源极区域和漏极区域相同的杂质元素。
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公开(公告)号：CN105576015B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201510689690.0
申请日：2015-10-22
申请人： 株式会社日本显示器
发明人： 佐佐木俊成
IPC分类号： H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/78642 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L2029/42388
摘要： 本发明的目的在于提供一种能够提高通态电流的半导体装置。半导体装置具有：具有第1侧壁的第1绝缘层；配置于第1侧壁的氧化物半导体层；配置于氧化物半导体层的与第1侧壁相反一侧的栅极绝缘层；隔着栅极绝缘层与配置于第1侧壁的氧化物半导体层对置的栅极电极；配置于氧化物半导体层的下方并与氧化物半导体层的一方连接的第1电极；和配置于氧化物半导体层的上方并与氧化物半导体层的另一方连接的第2电极。
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公开(公告)号：CN107527954A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710324502.3
申请日：2017-05-10
申请人： 株式会社日本显示器
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/12
摘要： 提供一种可靠性较高的半导体装置。半导体装置具有：氧化物半导体层；氧化物半导体层的上方的栅极电极；氧化物半导体层与栅极电极之间的栅极绝缘层；第1绝缘层，处于氧化物半导体层的上方，设有第1开口部；布线，处于第1绝缘层上，包含铝层，经由第1开口部电连接于氧化物半导体层；阻挡层，将第1绝缘层上、布线上及布线的侧面覆盖，包含氧化铝；以及阻挡层上的有机绝缘层。
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公开(公告)号：CN105576015A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510689690.0
申请日：2015-10-22
申请人： 株式会社日本显示器
发明人： 佐佐木俊成
IPC分类号： H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/78642 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L2029/42388 , H01L29/78693 , H01L29/42364 , H01L29/42376
摘要： 本发明的目的在于提供一种能够提高通态电流的半导体装置。半导体装置具有：具有第1侧壁的第1绝缘层；配置于第1侧壁的氧化物半导体层；配置于氧化物半导体层的与第1侧壁相反一侧的栅极绝缘层；隔着栅极绝缘层与配置于第1侧壁的氧化物半导体层对置的栅极电极；配置于氧化物半导体层的下方并与氧化物半导体层的一方连接的第1电极；和配置于氧化物半导体层的上方并与氧化物半导体层的另一方连接的第2电极。
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公开(公告)号：CN118943145A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410503778.8
申请日：2024-04-25
申请人： 株式会社日本显示器
IPC分类号： H01L27/12 , H10K59/121 , H10K59/123 , H10K59/131
摘要： 本发明涉及半导体装置。课题在于实现具有高迁移率的半导体装置。半导体装置包括：栅电极；前述栅电极之上的栅极绝缘层；前述栅极绝缘层之上的以铝为主成分的金属氧化物层；前述金属氧化物层之上的具有多晶结构的氧化物半导体层；从前述氧化物半导体层之上与前述氧化物半导体层相接的源电极及漏电极；和前述源电极及前述漏电极之上的绝缘层。在将供给至前述栅电极的电压设为Vg、将前述半导体装置的阈值电压设为Vth、将由前述栅电极和前述氧化物半导体层夹持的前述栅极绝缘层的静电电容设为Cox的情况下，前述半导体装置的线性迁移率在(Vg‑Vth)×Cox＝5×10‑7C/cm2时大于20cm2/Vs。
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