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公开(公告)号：CN118872074A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202380025339.4
申请日：2023-02-20
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/363
摘要： 氧化物半导体膜是设置在基板之上的具有结晶性的氧化物半导体膜，氧化物半导体膜包含铟(In)元素和选自由铝(Al)元素、镓(Ga)元素、钇(Y)元素、钪(Sc)元素及镧系元素组成的组中的第一金属(M1)元素，氧化物半导体膜包含多个晶粒，该多个晶粒分别包括通过EBSD(电子背散射衍射)法获取的晶体取向＜001＞、晶体取向＜101＞及晶体取向＜111＞中的至少一者，在基于具有相对于基板的表面的法线方向而言的晶体取向差为0°以上15°以下的晶体取向的测定点算出的晶体取向的占有率中，晶体取向＜111＞的占有率比晶体取向＜001＞的占有率及晶体取向＜101＞的占有率大。
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公开(公告)号：CN118830088A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202380025428.9
申请日：2023-02-20
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/363
摘要： 薄膜晶体管包括：基板；设置在基板之上的具有结晶性的氧化物半导体层；与氧化物半导体层重叠设置的栅电极；和设置在氧化物半导体层与栅电极之间的绝缘层，氧化物半导体层多个晶粒，所述多个晶粒分别包括通过EBSD(电子背散射衍射)法来获取的晶体取向＜001＞、晶体取向＜101＞及晶体取向＜111＞中的至少一者，在基于具有相对于基板的表面的法线方向而言的晶体取向差为0°以上15°以下的晶体取向的测定点算出的晶体取向的占有率中，晶体取向＜111＞的占有率比晶体取向＜001＞的占有率及晶体取向＜101＞的占有率大。
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公开(公告)号：CN118805263A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202380025327.1
申请日：2023-02-20
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/363 , H01L21/336
摘要： 薄膜晶体管包括基板、设置在基板之上的氧化金属层、与氧化金属层相接而设置且具有结晶性的氧化物半导体层、与氧化物半导体层重叠设置的栅电极、和设置在氧化物半导体层与栅电极之间的绝缘层，氧化物半导体层包含多个晶粒，该多个晶粒分别包括通过EBSD(电子背散射衍射)法取得的晶体取向＜001＞、晶体取向＜101＞及晶体取向＜111＞中的至少一者。
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公开(公告)号：CN118943201A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410576294.6
申请日：2024-05-10
申请人： 株式会社日本显示器
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/34
摘要： 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明提供氧化物半导体膜的形状的偏差小且具有稳定的电特性的半导体装置。半导体装置包含：栅电极；栅电极之上的栅极绝缘层；栅极绝缘层之上的具有多晶结构的氧化物半导体层；氧化物半导体层之上的源电极及漏电极；和层间绝缘层，其覆盖源电极及漏电极并与氧化物半导体层接触，氧化物半导体层包含与源电极及漏电极中的1者重叠的第1区域、和与层间绝缘层接触的第2区域，第1区域的膜厚与第2区域的膜厚之差为1nm以下。
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公开(公告)号：CN118872073A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202380021604.1
申请日：2023-03-13
申请人： 株式会社日本显示器
IPC分类号： H01L29/786 , G09F9/30 , H01L21/316 , H01L21/336 , H05B33/02 , H10K50/00 , H10K59/00
摘要： 半导体装置，其包含：绝缘表面之上的氧化金属层；和氧化金属层之上的氧化物半导体层，氧化金属层的氟浓度为1×1018atoms/cm3以上。SIMS分析中，在氧化金属层中检测出的氟的二次离子强度可以是在氧化物半导体层中检测出的氟的二次离子强度的10倍以上。氧化物半导体层可以与氧化金属层接触。氧化金属层可以包含氧化铝。氧化物半导体层可以含有包括铟在内的2种以上的金属，2种以上的金属中的铟的比率为50％以上。
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公开(公告)号：CN118738137A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410316931.6
申请日：2024-03-19
申请人： 株式会社日本显示器
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/34
摘要： 本发明涉及半导体装置及其制造方法。提供偏差少，电特性稳定的半导体装置。半导体装置包含：栅电极；栅电极之上的栅极绝缘层；栅极绝缘层之上的具有多晶结构的氧化物半导体层；氧化物半导体层上的源电极及漏电极；覆盖源电极及漏电极且与氧化物半导体层相接的层间绝缘层；氧化物半导体层包括与源电极及漏电极中的1者重叠的第1区域、以及与层间绝缘层相接的第2区域，第1区域的膜厚与第2区域的膜厚之差为5nm以下。
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公开(公告)号：CN118715618A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202380021588.6
申请日：2023-03-13
申请人： 株式会社日本显示器
IPC分类号： H01L29/786 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/49 , H10K50/00
摘要： 能够实现高迁移率且可靠性高的半导体装置的半导体装置，其具备：设置在基板之上的以铝为主成分的氧化金属层；设置在前述氧化金属层之上的氧化物半导体层；与前述氧化物半导体层对置的栅电极；和前述氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层。前述氧化物半导体层含有包括铟在内的2种以上的金属，前述2种以上的金属中的铟的比率为50％以上。
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公开(公告)号：CN117790311A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311249308.5
申请日：2023-09-26
申请人： 株式会社日本显示器
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/06 , H01L27/12 , H01L21/02
摘要： 本发明涉及半导体器件的制造方法。本发明的课题在于提供可靠性及迁移率高的半导体器件。半导体器件包括：在基板之上将以铝作为主成分的第1金属氧化物膜成膜；在第1金属氧化物膜之上，在氧分压为3％以上5％以下的条件下，将无定形的氧化物半导体膜成膜；将氧化物半导体膜加工为图案状的氧化物半导体层；通过对图案状的氧化物半导体层进行第1加热处理，从而使氧化物半导体层结晶化；将经结晶化的氧化物半导体层作为掩模，对第1金属氧化物膜进行加工；在氧化物半导体层之上将栅极绝缘膜成膜；在栅极绝缘膜之上形成栅电极，其中，氧化物半导体膜的膜厚大于10nm且为30nm以下。
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公开(公告)号：CN118943145A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410503778.8
申请日：2024-04-25
申请人： 株式会社日本显示器
IPC分类号： H01L27/12 , H10K59/121 , H10K59/123 , H10K59/131
摘要： 本发明涉及半导体装置。课题在于实现具有高迁移率的半导体装置。半导体装置包括：栅电极；前述栅电极之上的栅极绝缘层；前述栅极绝缘层之上的以铝为主成分的金属氧化物层；前述金属氧化物层之上的具有多晶结构的氧化物半导体层；从前述氧化物半导体层之上与前述氧化物半导体层相接的源电极及漏电极；和前述源电极及前述漏电极之上的绝缘层。在将供给至前述栅电极的电压设为Vg、将前述半导体装置的阈值电压设为Vth、将由前述栅电极和前述氧化物半导体层夹持的前述栅极绝缘层的静电电容设为Cox的情况下，前述半导体装置的线性迁移率在(Vg‑Vth)×Cox＝5×10‑7C/cm2时大于20cm2/Vs。
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公开(公告)号：CN118872076A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202380028097.4
申请日：2023-03-14
申请人： 株式会社日本显示器
IPC分类号： H01L29/786 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/336 , H05B33/02 , H10K50/00 , H10K59/00
摘要： 半导体装置的制造方法中，在绝缘表面上形成以铝为主成分的氧化金属层，对氧化金属层的表面实施平坦化处理，在进行了平坦化处理的表面之上形成氧化物半导体层，在氧化物半导体层之上形成栅极绝缘层，在栅极绝缘层之上形成与氧化物半导体层对置的栅电极。
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