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公开(公告)号：CN119522639A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202380052657.X
申请日：2023-07-27
IPC: H10D30/67 , H01L21/20 , H10D30/01 , H01L21/363
Abstract: 薄膜晶体管，其包含：基板；设置在基板之上的金属氧化物层；与金属氧化物层相接地设置、并包含多个晶粒的氧化物半导体层；设置在氧化物半导体层之上的栅电极；和设置在氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层，多个晶粒包含通过EBSD(电子背散射衍射)法取得的相邻的2个测定点的晶体取向差超过5°的晶界，通过EBSD法算出的KAM值的平均值为1.4°以上。
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公开(公告)号：CN119604968A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202380055153.3
申请日：2023-07-26
IPC: H01L21/363 , C23C14/08 , H10D30/67
Abstract: 层叠结构体具有基底绝缘层、设置在基底绝缘层上的金属氧化物层、和与金属氧化物层相接地设置的氧化物半导体层，氧化物半导体层有与金属氧化物层中包含的金属元素相同的金属元素具有浓度梯度的区域，金属元素的浓度梯度随着接近金属氧化物层与氧化物半导体层的界面而增加。
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公开(公告)号：CN119498029A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202380051062.2
申请日：2023-07-27
IPC: H10D30/67
Abstract: 氧化物半导体膜，其为设置在基板之上的具有多晶结构的氧化物半导体膜，氧化物半导体膜的晶体结构为方铁锰矿型结构，在使用Cu‑Kα射线的面外XRD衍射图案中，氧化物半导体膜的(222)面的峰强度相对(422)面的峰强度之比为3.0以下。由(222)面的所述峰算出的微晶直径可以为10nm以上。
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公开(公告)号：CN119422456A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202380042084.2
申请日：2023-04-19
Abstract: 薄膜晶体管(10)包括：设置在基板(100)之上的具有多晶结构的氧化物半导体层(140)；设置在氧化物半导体层之上的栅电极(160)；和设置在氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层(150)，氧化物半导体层包括：与栅电极重叠且具有第一载流子浓度(n1)的第一区域(141)；与栅电极不重叠且具有第二载流子浓度(n2)的第二区域(142)；和与栅电极重叠且位于第一区域与所述第二区域之间的第三区域(143)，第二载流子浓度比第一载流子浓度大，第三区域的载流子浓度在从第二区域朝向所述第一区域的沟道长度方向上减少，沟道长度方向上的第三区域的长度为0.00μm以上0.60μm以下。
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公开(公告)号：CN119605327A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202380055651.8
申请日：2023-07-27
IPC: H10D30/67 , H01L21/20 , H01L21/203 , H10D30/01
Abstract: 氧化物半导体膜，其为设置在基板之上的包含多个晶粒的氧化物半导体膜，氧化物半导体膜包含：铟(In)；和选自由铝(Al)、镓(Ga)、钇(Y)、钪(Sc)及镧系元素组成的组中的第1金属元素，多个晶粒包含通过EBSD(电子背散射衍射)法取得的相邻的2个测定点的晶体取向差超过5°时所定义的晶界，通过EBSD法算出的KAM值的平均值为1.0°以上。通过EBSD法算出的晶界取向变化的平均值可以为40°以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118872074A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202380025339.4
申请日：2023-02-20
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/363
Abstract: 氧化物半导体膜是设置在基板之上的具有结晶性的氧化物半导体膜，氧化物半导体膜包含铟(In)元素和选自由铝(Al)元素、镓(Ga)元素、钇(Y)元素、钪(Sc)元素及镧系元素组成的组中的第一金属(M1)元素，氧化物半导体膜包含多个晶粒，该多个晶粒分别包括通过EBSD(电子背散射衍射)法获取的晶体取向＜001＞、晶体取向＜101＞及晶体取向＜111＞中的至少一者，在基于具有相对于基板的表面的法线方向而言的晶体取向差为0°以上15°以下的晶体取向的测定点算出的晶体取向的占有率中，晶体取向＜111＞的占有率比晶体取向＜001＞的占有率及晶体取向＜101＞的占有率大。
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公开(公告)号：CN118830088A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202380025428.9
申请日：2023-02-20
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/363
Abstract: 薄膜晶体管包括：基板；设置在基板之上的具有结晶性的氧化物半导体层；与氧化物半导体层重叠设置的栅电极；和设置在氧化物半导体层与栅电极之间的绝缘层，氧化物半导体层多个晶粒，所述多个晶粒分别包括通过EBSD(电子背散射衍射)法来获取的晶体取向＜001＞、晶体取向＜101＞及晶体取向＜111＞中的至少一者，在基于具有相对于基板的表面的法线方向而言的晶体取向差为0°以上15°以下的晶体取向的测定点算出的晶体取向的占有率中，晶体取向＜111＞的占有率比晶体取向＜001＞的占有率及晶体取向＜101＞的占有率大。
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公开(公告)号：CN118805263A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202380025327.1
申请日：2023-02-20
IPC: H01L29/786 , H01L21/363 , H01L21/336
Abstract: 薄膜晶体管包括基板、设置在基板之上的氧化金属层、与氧化金属层相接而设置且具有结晶性的氧化物半导体层、与氧化物半导体层重叠设置的栅电极、和设置在氧化物半导体层与栅电极之间的绝缘层，氧化物半导体层包含多个晶粒，该多个晶粒分别包括通过EBSD(电子背散射衍射)法取得的晶体取向＜001＞、晶体取向＜101＞及晶体取向＜111＞中的至少一者。
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公开(公告)号：CN118738136A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410305656.8
申请日：2024-03-18
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/44 , H01L21/34 , G09F9/33 , G09F9/35
Abstract: 本发明涉及半导体装置、显示装置及半导体装置的制造方法。课题在于改善包括氧化物半导体的半导体装置的电气特性。半导体装置包括：绝缘表面之上的金属氧化物层；前述金属氧化物层之上的氧化物半导体层；前述氧化物半导体层之上的栅极绝缘层；和前述栅极绝缘层之上的栅极布线，前述金属氧化物层具有与前述栅极布线及前述氧化物半导体层重叠的第一区域、与前述氧化物半导体层重叠且与前述栅极布线不重叠的第二区域、以及与前述栅极布线重叠且与前述氧化物半导体层不重叠的第三区域。
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公开(公告)号：CN117855287A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311224445.3
申请日：2023-09-21
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , H01L21/34 , H01L29/06 , H01L29/24
Abstract: 本发明涉及半导体装置、半导体装置的制造方法。提供含有防止氢向沟道区域侵入的氢陷阱区域的半导体装置。半导体装置包含氧化物绝缘层、氧化物半导体层、栅电极、栅极绝缘层及第1绝缘层。在与栅电极重叠的第1区域中的栅极绝缘层的厚度为200nm以上。第1区域中，栅电极与第1绝缘层相接，在不与栅电极重叠而与氧化物半导体层重叠的第2区域中，氧化物半导体层与第1绝缘层相接。所述第2区域中的所述氧化物半导体层所包含的杂质的量多于所述第1区域中的所述氧化物半导体层所包含的所述杂质的量，与栅电极及氧化物半导体层不重叠的所述第3区域中的所述氧化物绝缘层所包含的所述杂质的量多于所述第2区域中的所述氧化物绝缘层所包含的所述杂质的量。
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