-
公开(公告)号：CN101055780B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200710086312.9
申请日：2007-03-13
申请人： 株式会社日立制作所
IPC分类号： H01F1/08 , H01F7/02 , C09J183/04 , H01F41/02
CPC分类号： H01F1/0578 , B22F1/02 , B22F2998/00 , C22C1/1036 , C22C38/005 , C22C2202/02 , H01F41/026 , H01F41/0266 , H01F41/0293 , Y10T428/25 , Y10T428/2982 , Y10T428/2991 , Y10T428/2998 , C22C33/0278
摘要： 本发明的目的在于，在用粘合材料粘合磁铁材的磁铁中，提高稀土类粘结磁铁的磁特性，并实现低成本化。为达到上述目的，不是通过含有树脂，而是通过用稀土类磁铁用磁粉单体进行冷压成形，谋求提高磁铁的磁特性，然后为确保磁铁的强度，通过使低粘度的SiO2前体浸渗在磁铁成形体中，并进行热固化，可得到磁特性提高且实现低成本化的稀土类粘结磁铁。
-
公开(公告)号：CN101552061A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200810184326.9
申请日：2008-12-10
申请人： 株式会社日立制作所
CPC分类号： B22F1/02 , B22F2003/248 , B22F2998/10 , C22C33/02 , C22C2202/02 , H01F1/24 , H01F41/0246 , Y10T428/12028 , B22F1/0088 , B22F1/0085 , B22F3/02 , B22F3/24
摘要： 本发明低价地提供具有耐热性的绝缘膜的磁性粉以及比电阻高、铁损等小的压粉磁芯的压粉成形体。该压粉成形体是具有在铁粉末或者以铁作为主成分的合金粉末的表面上形成的氟化物层的磁性粉的压粉成形体，通过在氟化物层和铁粉末之间形成基底层而改善氟化物膜的被覆性，藉此成为可以使用低价铁粉的压粉磁芯。
-
公开(公告)号：CN101325111A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200810092147.2
申请日：2008-04-08
申请人： 株式会社日立制作所
CPC分类号： H01F1/24 , B22F1/02 , B22F2003/248 , B22F2998/10 , C22C33/0228 , C22C2202/02 , H01F41/0246 , B22F9/082 , B22F1/0085 , B22F3/02 , B22F3/24
摘要： 本发明目的在于提供明确涂层的必要制造条件，与现有相比满足高电阻且高磁通密度的压粉磁芯。该磁芯的制作方法，包括：在铁粉上涂敷绝缘膜形成用处理液的第一工序；在比350度高的温度范围内对涂敷有所述处理液的铁粉进行热处理的第二工序；压缩所属热处理后的铁粉形成磁芯的第三工序；在600度以上800度以下的温度范围对所述磁芯进行热处理的第四工序。
-
公开(公告)号：CN1117180A
公开(公告)日：1996-02-21
申请号：CN95104052.9
申请日：1995-03-08
申请人： 株式会社日立制作所
IPC分类号： G11B5/31
CPC分类号： G11B5/3932 , G11B5/3967
摘要： 磁变电阻效应型磁头具有用磁场改变电阻的磁变电阻效应膜14、使电流流到前述磁变电阻膜的一对电极17和为把横偏磁磁场加于前述磁变电阻效应膜的软磁性膜16，其特征是前述软磁性膜16含有铁、钴和镍之中至少一种材料和氧化锆、氧化铝、氧化铪、氧化钛、氧化铍、氧化镁、稀土类氧化物、氮化锆、氮化铪、氮化铝、氮化钛、氮化铍、氮化镁、氮化硅和稀土类氮化物中的至少一种化合物。由于添加化合物，使软磁性膜的电阻上升，由磁变电阻效应膜分流到软磁性膜的电流减少，从而提高了磁变电阻效应型磁头的重放电压。
-
公开(公告)号：CN102054556B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010563539.X
申请日：2006-12-21
申请人： 株式会社日立制作所
CPC分类号： H01F1/0577 , H01F1/0572 , H01F1/0579 , H01F41/0293 , H02K1/02 , H02K1/246 , H02K1/276 , H02K1/2766 , H02K1/278
摘要： 本发明提供了一种永久磁铁，是NdFeB系的母相的永久磁铁，其特征在于：在上述母相的表面形成有包含氟化合物的粒界相，在上述母相与上述粒界相的界面形成有Fe相。在NdFeB粉表面上混合氟化合物粉末制作了的磁粉和磁铁随氟化合物的混合量的增加残留磁通密度下降、能量积显著地下降。本发明的课题是抑制这样的磁特性的下降。为了解决上述课题，通过将其电阻与包含铁或钴的母相相比高10倍或10倍以上的高阻层形成为层状，将氧浓度控制在大于等于10ppm至小于等于10000ppm，可提高磁铁的可靠性或残留磁通密度。
-
公开(公告)号：CN102262949A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201010570710.X
申请日：2010-11-30
申请人： 株式会社日立制作所
CPC分类号： H01F1/055 , C22C38/005 , H01F1/0552 , H01F1/11 , H01F1/112
摘要： 本发明提供铁磁性化合物磁铁，对稀土类磁铁，抑制稀有元素使用量，确保高的磁特性。本发明提供铁磁性氟化合物的永久磁铁材料，在R-Fe(R为4f过渡元素或Y)的2元素体系或R-Fe-T(T为除Fe外的3d过渡元素，或Mo、Nb、W)的3元素体系中，4f过渡元素相对3d过渡元素的原子比在15％以下的4f过渡元素-3d过渡元素合金中，在上述合金的结晶晶格的填入位置配置F元素，特别是涉及用R2(Fe，T)17Fx(0＜x≤3)、R3(Fe，T)29Fy(0＜y≤4)、及R(Fe，T)12Fz(0＜z≤1)表示的结晶晶格，得到伴随着结晶晶格体积的增加的几何学效果、及F元素的强电负性效果引起的磁矩的增加、居里温度的上升、以及磁各向异性的改性。
-
公开(公告)号：CN102054556A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010563539.X
申请日：2006-12-21
申请人： 株式会社日立制作所
CPC分类号： H01F1/0577 , H01F1/0572 , H01F1/0579 , H01F41/0293 , H02K1/02 , H02K1/246 , H02K1/276 , H02K1/2766 , H02K1/278
摘要： 本发明提供了一种永久磁铁，是NdFeB系的母相的永久磁铁，其特征在于：在上述母相的表面形成有包含氟化合物的粒界相，在上述母相与上述粒界相的界面形成有Fe相。在NdFeB粉表面上混合氟化合物粉末制作了的磁粉和磁铁随氟化合物的混合量的增加残留磁通密度下降、能量积显著地下降。本发明的课题是抑制这样的磁特性的下降。为了解决上述课题，通过将其电阻与包含铁或钴的母相相比高10倍或10倍以上的高阻层形成为层状，将氧浓度控制在大于等于10ppm至小于等于10000ppm，可提高磁铁的可靠性或残留磁通密度。
-
公开(公告)号：CN101136275B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200710140844.6
申请日：2007-08-10
申请人： 株式会社日立制作所
IPC分类号： H01F1/053
CPC分类号： G11B5/82 , B82Y10/00 , G11B5/65 , G11B5/743 , H01F1/0571 , H01F41/0293 , H02K1/02 , Y10T29/53261 , Y10T409/305656 , Y10T409/305712 , Y10T409/305768 , Y10T409/305824 , Y10T428/258 , Y10T428/26
摘要： 一种高电阻磁铁及使用其的电机，该磁铁具有由以铁为主成分的强磁性材料构成的粒子，和形成有碱元素、碱土类元素、稀土类元素中1种以上的氟化合物粒子的氟化合物层，所述氟化合物层呈层状形成在由所述强磁性材料构成的粒子表面，所述氟化合物粒子具有浓度为1原子％以上且50原子％以下的铁。因此，关于在Fe系磁粉的表面形成有氟化合物的成形体的损失，基于高电阻使涡流损失降低、并且基于磁化旋转使损失降低。
-
公开(公告)号：CN101794651A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010111259.5
申请日：2010-02-02
申请人： 株式会社日立制作所
CPC分类号： C22C1/0441 , C22C2202/02 , H01F1/0577 , H01F41/0293
摘要： 本发明提供一种稀土类磁铁，其对磁铁厚度厚的稀土类磁铁来说，抑制稀有金属的使用，且确保高的磁特性。本发明的稀土类磁铁，其成分具有RTB(其中，R为稀土类元素、T为过渡金属元素、B为硼)，其特征为，稀土类磁铁由磁粉构成，所述磁粉由晶粒构成，磁粉的粒径的短径相对于长径的比为0.5以下，短径为10μm以上，元素Rm以大致一定的浓度含于由磁粉构成的所述磁铁的表面和内部，所述元素Rm具有比R的磁各向异性高的磁各向异性，在磁粉的晶粒边界存在氟氧化物及碳。
-
公开(公告)号：CN1985760A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200610165927.6
申请日：2006-12-11
申请人： 株式会社日立制作所
IPC分类号： A61B5/055 , G01R33/48 , G01R33/383
CPC分类号： G01R33/383 , G01R33/3806 , G01R33/3873 , Y10T428/12014
摘要： 发生于MRI装置的磁路周边的涡流是理想的磁场梯度波形偏离产生的原因之一，成为图像畸变、强度损失、重影发生及信号损失、光谱畸变的原因。以抑制涡流的发生为课题。解决手段是采用以如下为特性的MRI装置的结构：在以含有铁或钴的母相为主的显示强磁性的粉末的表面的一部分或全部，沿着该表面的一部分层状形成比母相阻抗高10倍以上、且维氏硬度比母相小的高阻抗层，将成形了所述粉末的强磁性体使用于磁路的一部分。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
32 条记录 (耗时 0.028 秒)
