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公开(公告)号：CN111434040B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201880078313.5
申请日：2018-10-29
申请人： 株式会社日立功率半导体
IPC分类号： H03K17/567 , H01L29/739 , H01L29/78 , H02M1/08
摘要： 提供一种半导体装置，利用1个控制信号来驱动具有2个栅极端子的IGBT，并且避免成为连续的接通状态以及针对一次的接通脉冲信号而两次成为接通状态。半导体装置1具有：控制信号输入端子11；IGBT 4，具有第1栅极端子41以及第2栅极端子42；延迟部2，使所输入的信号延迟延迟时间L；以及逻辑积部3，运算第1输入端子与第2输入端子的逻辑积。控制信号输入端子11连接于延迟部2的输入端子以及逻辑积部3的第2输入端子32。延迟部2的输出端子连接于IGBT 4的第1栅极端子41以及逻辑积部3的第1输入端子31。逻辑积部3的输出端子33连接于IGBT 4的第2栅极端子42。
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公开(公告)号：CN111418071A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201980006058.8
申请日：2019-02-01
申请人： 株式会社日立功率半导体
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
摘要： 在功率变换装置中使用的电流切换用的半导体装置中，同时实现低的导通损失和低的切换损失。半导体装置(100)包括：IGBT(51)，仅具有Gc栅极(92)，p型集电极层(4A)的杂质浓度被设定得高；以及IGBT(51)，具有Gs栅极(91)和Gc栅极(92)，p型集电极层(4B)的杂质浓度被设定得低。并且，在使半导体装置(100)成为截止的情况下，从对Gs栅极(91)、Gc栅极(92)都施加小于阈值电压的电压的状态，先于Gs栅极(91)而对Gc栅极施加阈值电压以上的电压。
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公开(公告)号：CN114391184A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202080061875.6
申请日：2020-04-22
申请人： 株式会社日立功率半导体
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/336
摘要： 本发明提供一种能够抑制由制造时的形状偏差、杂质偏差引起的IGBT单元间的电场偏差所导致的局部的电流电场集中、芯片终端部的电流集中的切断耐量高的半导体装置。其特征在于，具备：发射极电极，其经由层间绝缘膜形成于半导体基板的表面上；集电极，其形成于所述半导体基板的背面上；第一导电型的第一半导体层，其与所述集电极相接，形成于所述半导体基板的背面；第二导电型的第二半导体层，其形成于比所述第一半导体层更靠内侧处；中心区域单元，其沿着所述半导体基板的表面配置；外周区域单元，其在所述半导体基板的平面方向上，位于比所述中心区域单元更靠外侧处，配置在所述中心区域单元与芯片终端保护环区域之间。
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公开(公告)号：CN108337917B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201680061445.8
申请日：2016-10-17
申请人： 株式会社日立功率半导体
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/16 , H01L29/423 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/872 , H02M1/08 , H02M7/48 , H02M7/5387 , H03K17/0812 , H03K17/0814 , H03K17/16 , H02P27/06
摘要： 一种电力变换装置(100)，具备开关元件(101)和相对所述开关元件(101)串联连接的整流元件(102)，其中所述电力变换装置(100)具有对所述开关元件(101)和所述整流元件(102)的连接点连接外部的电气负载(103)的结构，所述开关元件(101)由具有第一栅极端子(105)和第二栅极端子(106)的绝缘栅极型半导体元件构成，所述整流元件(102)由使用碳化硅作为半导体基体的具有肖特基接触的二极管构成，对所述第一栅极端子(105)和所述第二栅极端子(106)分别施加相互不同的驱动信号。
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公开(公告)号：CN111434040A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201880078313.5
申请日：2018-10-29
申请人： 株式会社日立功率半导体
IPC分类号： H03K17/567 , H01L29/739 , H01L29/78 , H02M1/08
摘要： 提供一种半导体装置，利用1个控制信号来驱动具有2个栅极端子的IGBT，并且避免成为连续的接通状态以及针对一次的接通脉冲信号而两次成为接通状态。半导体装置1具有：控制信号输入端子11；IGBT 4，具有第1栅极端子41以及第2栅极端子42；延迟部2，使所输入的信号延迟延迟时间L；以及逻辑积部3，运算第1输入端子与第2输入端子的逻辑积。控制信号输入端子11连接于延迟部2的输入端子以及逻辑积部3的第2输入端子32。延迟部2的输出端子连接于IGBT 4的第1栅极端子41以及逻辑积部3的第1输入端子31。逻辑积部3的输出端子33连接于IGBT 4的第2栅极端子42。
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公开(公告)号：CN108337917A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201680061445.8
申请日：2016-10-17
申请人： 株式会社日立功率半导体
IPC分类号： H01L29/78 , H03K17/16 , H02M7/48 , H03K17/567 , H02M1/08 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/739 , H01L29/78 , H02M1/08 , H02M7/48 , H02M7/53875 , H02M2001/0048 , H03K17/08128 , H03K17/08148 , H03K17/163 , Y02B70/1483
摘要： 一种电力变换装置(100)，具备开关元件(101)和相对所述开关元件(101)串联连接的整流元件(102)，其中所述电力变换装置(100)具有对所述开关元件(101)和所述整流元件(102)的连接点连接外部的电气负载(103)的结构，所述开关元件(101)由具有第一栅极端子(105)和第二栅极端子(106)的绝缘栅极型半导体元件构成，所述整流元件(102)由使用碳化硅作为半导体基体的具有肖特基接触的二极管构成，对所述第一栅极端子(105)和所述第二栅极端子(106)分别施加相互不同的驱动信号。
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公开(公告)号：CN111418071B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201980006058.8
申请日：2019-02-01
申请人： 株式会社日立功率半导体
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
摘要： 在功率变换装置中使用的电流切换用的半导体装置中，同时实现低的导通损失和低的切换损失。半导体装置(100)包括：IGBT(51)，仅具有Gc栅极(92)，p型集电极层(4A)的杂质浓度被设定得高；以及IGBT(52)，具有Gs栅极(91)和Gc栅极(92)，p型集电极层(4B)的杂质浓度被设定得低。并且，在使半导体装置(100)成为截止的情况下，从对Gs栅极(91)、Gc栅极(92)都施加小于阈值电压的电压的状态，先于Gs栅极(91)而对Gc栅极施加阈值电压以上的电压。
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公开(公告)号：CN110678988B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN201880035215.3
申请日：2018-04-12
申请人： 株式会社日立功率半导体
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/12 , H01L29/78
摘要： 提供同时实现低导通损失和低开关损失的IGBT和应用其的电力变换装置。特征在于具备：半导体基板；第1导电类型的半导体层；第2导电类型的阱区域；第1栅电极及第2栅电极，隔着栅极绝缘膜而与所述半导体层及所述阱区域相接，夹着所述阱区域相互相邻地形成；第1导电类型的发射极区域；第2导电类型的供电区域；发射极电极；第2导电类型的集电极层；以及集电极电极，其中，所述第1栅电极及所述第2栅电极的间隔比与和各自相邻的其它栅电极之间的间隔窄，所述第1栅电极及所述第2栅电极各自与开关栅极布线或载流子控制栅极布线中的某一方电连接，与所述载流子控制栅极布线连接的栅电极的数量比与所述开关栅极布线连接的栅电极的数量多。
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公开(公告)号：CN110678988A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201880035215.3
申请日：2018-04-12
申请人： 株式会社日立功率半导体
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/12 , H01L29/78
摘要： 提供同时实现低导通损失和低开关损失的IGBT和应用其的电力变换装置。特征在于具备：半导体基板；第1导电类型的半导体层；第2导电类型的阱区域；第1栅电极及第2栅电极，隔着栅极绝缘膜而与所述半导体层及所述阱区域相接，夹着所述阱区域相互相邻地形成；第1导电类型的发射极区域；第2导电类型的供电区域；发射极电极；第2导电类型的集电极层；以及集电极电极，其中，所述第1栅电极及所述第2栅电极的间隔比与和各自相邻的其它栅电极之间的间隔窄，所述第1栅电极及所述第2栅电极各自与开关栅极布线或载流子控制栅极布线中的某一方电连接，与所述载流子控制栅极布线连接的栅电极的数量比与所述开关栅极布线连接的栅电极的数量多。
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公开(公告)号：CN117480602A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202280040728.X
申请日：2022-05-09
申请人： 株式会社日立功率半导体
摘要： 本发明提供在具有半导体芯片、在绝缘基板形成的配线以及引线框的半导体模块中具有比以往更高的散热效果的半导体模块。本发明的半导体模块(10)具备绝缘基板(1)、在绝缘基板(1)形成的配线(2)、半导体芯片(3)以及引线框(4)，半导体芯片(3)的一个面与配线(2)连接，另一个面与引线框(4)连接，配线(2)具有与引线框(4)连接的浮动配线，浮动配线与引线框(4)的连接点位于绝缘基板(1)的角部。
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