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公开(公告)号：CN101416570A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200780012506.2
申请日：2007-05-31
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 坂本祯章
IPC: H05K3/46
CPC classification number: H05K3/4688 , B32B18/00 , C03C3/064 , C03C3/066 , C03C3/089 , C03C3/091 , C03C8/02 , C03C8/14 , C04B35/63 , C04B35/6342 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , C04B2235/96 , C04B2237/32 , C04B2237/343 , C04B2237/58 , C04B2237/582 , C04B2237/66 , C04B2237/704 , H01L2224/16225 , H01L2924/19105 , H05K1/0306 , H05K3/4629 , H05K2201/068 , Y10T428/24926
Abstract: 本发明提供抗弯强度高、翘曲被抑制、不易发生脱层叠的多层陶瓷基板。该多层陶瓷基板具有由内层部(3)与表层部(4及5)构成的层叠结构，表层部(4及5)的热膨胀系数小于内层部(3)的热膨胀系数，且其与内层部(3)的热膨胀系数的差在1.0ppmK－1以上，构成表层部(4及5)的材料与构成内层部(3)的材料的共有成分的重量比率在75重量％以上。
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公开(公告)号：CN113196418A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980083931.3
申请日：2019-12-13
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明的层叠体是层叠多层包含玻璃和石英的玻璃陶瓷层而成的层叠体，上述层叠体的表层部的B浓度比上述层叠体的内层部的B浓度低，上述玻璃包含SiO2、B2O3、Al2O3和M2O(M为碱金属)。
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公开(公告)号：CN107637185B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201680033011.7
申请日：2016-04-19
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H05K3/46 , C04B35/195
Abstract: 本发明提供一种难以产生龟裂、抗弯强度高、基板与表面电极的电极接合强度高的多层陶瓷基板。本发明具备层叠了陶瓷层(2)的层叠体(1)，陶瓷层由陶瓷材料构成，陶瓷材料含有主成分和副成分，主成分含有48～75重量％的SiO2、20～40重量％的BaO、5～20重量％的Al2O3，副成分相对于100重量份的主成分至少含有2.5～20重量份的MnO，在层叠体(1)进一步层叠了玻璃陶瓷层(3a、3b)，玻璃陶瓷层(3a、3b)的全部厚度或者厚度的一部分存在于层叠体(1)的内部，并且存在于从两主面起分别100μm以内。
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公开(公告)号：CN106486236A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610772802.3
申请日：2016-08-30
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01F1/26 , H01F27/255 , H01F41/02
CPC classification number: H01F41/0246 , B22F1/0062 , B22F1/007 , B22F1/02 , C22C2202/02 , H01F1/24 , H01F1/26 , H01F27/255
Abstract: 本发明涉及磁芯及其制造方法。本发明提供一种耐电压更高且磁芯损耗更低的用于线圈元件的磁芯。上述磁芯含有软磁性材料粒子和结合剂，上述软磁性材料粒子在软磁性材料的表面具有厚度为10nm～100nm的范围的氧化物的绝缘膜，上述结合剂包含软化点为350℃～500℃的范围的非硅酸盐玻璃且使软磁性材料粒子结合，软磁性材料包含非结晶相且具有结晶结构产生变化的600℃以下的转变温度，电阻率为107Ωcm以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103547544B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201280024387.3
申请日：2012-02-13
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C03C10/04 , C04B35/00 , C04B35/20 , C04B35/443 , C04B35/462 , H01B3/02 , H05K1/03
CPC classification number: C03C14/008 , B32B18/00 , C03C3/064 , C03C8/02 , C03C14/00 , C03C2214/20 , C04B35/20 , C04B35/443 , C04B35/462 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3222 , C04B2235/3224 , C04B2235/3232 , C04B2235/3262 , C04B2235/3281 , C04B2235/3418 , C04B2235/3445 , C04B2235/3481 , C04B2235/365 , C04B2235/6025 , C04B2235/80 , C04B2237/341 , C04B2237/343 , C04B2237/62 , C04B2237/704 , H01B3/12 , H01L2224/16227 , H01L2924/15192 , H01L2924/15313 , H01L2924/16251 , H01L2924/19105 , H05K1/0306 , H05K1/181 , H05K3/4629 , H05K2201/10371
Abstract: 本发明提供一种玻璃陶瓷组合物，其绝缘可靠性高、且仅通过调整组成即可在低相对介电常数至高相对介电常数的宽范围内容易地得到所需相对介电常数的制品。本发明的玻璃陶瓷组合物，其用于例如陶瓷多层模块（1）中具备的多层陶瓷基板（2）的陶瓷层（3），所述玻璃陶瓷组合物包含：包含MgAl2O4和Mg2SiO4中的至少一方的第1陶瓷；包含BaO、RE2O3（RE为稀土类元素）和TiO2的第2陶瓷；分别包含44.0～69.0重量%的RO（R为碱土类金属）、14.2～30.0重量%的SiO2、10.0～20.0重量%的B2O3、0.5～4.0重量%的Al2O3、0.3～7.5重量%的Li2O和0.1～5.5重量%的MgO的玻璃；以及MnO。
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公开(公告)号：CN103547544A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201280024387.3
申请日：2012-02-13
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/00 , C04B35/20 , C04B35/443 , C04B35/462 , H01B3/02 , H05K1/03
CPC classification number: C03C14/008 , B32B18/00 , C03C3/064 , C03C8/02 , C03C14/00 , C03C2214/20 , C04B35/20 , C04B35/443 , C04B35/462 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3222 , C04B2235/3224 , C04B2235/3232 , C04B2235/3262 , C04B2235/3281 , C04B2235/3418 , C04B2235/3445 , C04B2235/3481 , C04B2235/365 , C04B2235/6025 , C04B2235/80 , C04B2237/341 , C04B2237/343 , C04B2237/62 , C04B2237/704 , H01B3/12 , H01L2224/16227 , H01L2924/15192 , H01L2924/15313 , H01L2924/16251 , H01L2924/19105 , H05K1/0306 , H05K1/181 , H05K3/4629 , H05K2201/10371
Abstract: 本发明提供一种玻璃陶瓷组合物，其绝缘可靠性高、且仅通过调整组成即可在低相对介电常数至高相对介电常数的宽范围内容易地得到所需相对介电常数的制品。本发明的玻璃陶瓷组合物，其用于例如陶瓷多层模块（1）中具备的多层陶瓷基板（2）的陶瓷层（3），所述玻璃陶瓷组合物包含：包含MgAl2O4和Mg2SiO4中的至少一方的第1陶瓷；包含BaO、RE2O3（RE为稀土类元素）和TiO2的第2陶瓷；分别包含44.0～69.0重量%的RO（R为碱土类金属）、14.2～30.0重量%的SiO2、10.0～20.0重量%的B2O3、0.5～4.0重量%的Al2O3、0.3～7.5重量%的Li2O和0.1～5.5重量%的MgO的玻璃；以及MnO。
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公开(公告)号：CN1181710C
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN99127418.0
申请日：1999-12-24
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H05K1/0306 , C03C14/004 , C03C17/06 , C03C2214/08 , C03C2214/20 , H05K1/092
Abstract: 一种使用Ag作为导电材料的玻璃陶瓷多层电路板，其中银的氧化和扩散被抑制。所述玻璃多层电路板是将玻璃陶瓷层与导体层叠合起来，然后同时烧制该层叠产品而制成的。所述玻璃陶瓷层由玻璃陶瓷绝缘材料构成，它包含玻璃组分和陶瓷组分，并且在其中加入了Cu、Ni之类的金属粉末。
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公开(公告)号：CN1258188A
公开(公告)日：2000-06-28
申请号：CN99127418.0
申请日：1999-12-24
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H05K1/0306 , C03C14/004 , C03C17/06 , C03C2214/08 , C03C2214/20 , H05K1/092
Abstract: 一种使用Ag作为导电材料的玻璃陶瓷多层电路板, 其中银的氧化和扩散被抑制。所述玻璃多层电路板是将玻璃陶瓷层与导体层叠合起来,然后同时烧制该层叠产品而制成的。所述玻璃陶瓷层由玻璃陶瓷绝缘材料构成,它包含玻璃组分和陶瓷组分,并且在其中加入了Cu、Ni之类的金属粉末。
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公开(公告)号：CN113165982B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN201980082713.8
申请日：2019-12-17
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明的层叠体是层叠有多层玻璃陶瓷层的层叠体，上述玻璃陶瓷层包含玻璃和石英，上述玻璃包含SiO2、B2O3、Al2O3和M2O(M为碱金属)，上述层叠体的表层部的Al2O3含量比内层部的Al2O3含量多，上述表层部的M2O含量比上述内层部的M2O含量少。
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