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公开(公告)号：CN103958438B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201280056588.1
申请日：2012-11-21
申请人： 株式会社村田制作所 , 国立研究开发法人物质·材料研究机构
IPC分类号： C04B35/491 , H01L41/187 , H01L41/39
CPC分类号： H01L41/1876 , C01G23/003 , C01P2002/34 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/32 , C01P2006/10 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B35/6261 , C04B35/62645 , C04B35/653 , C04B2235/3201 , C04B2235/3251 , C04B2235/3255 , C04B2235/3279 , C04B2235/444 , C04B2235/5204 , C04B2235/528 , C04B2235/768 , C04B2235/77 , C04B2235/787 , H01L41/43
摘要： 本发明提供作为具有钙钛矿结构的化合物而包含Pb(Ti，Zr)O3系化合物的压电取向陶瓷及其制造方法。本发明的压电取向陶瓷是包含具有钙钛矿结构的Pb(Ti，Zr)O3系化合物的压电取向陶瓷。该压电取向陶瓷是基于压电取向陶瓷的规定的截面的X射线衍射图样、利用Lotgering法计算出的取向度为0.64以上的高取向，且烧结密度为理论密度的85％以上的压电取向陶瓷。
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公开(公告)号：CN115702343A
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN202180044764.9
申请日：2021-06-10
申请人： 株式会社村田制作所
IPC分类号： G01N27/414
摘要： 本发明的半导体传感器具备：基板；电介质层，配置在所述基板上；第1电极，配置在所述电介质层上；第2电极，与所述第1电极具有间隔地配置在所述电介质层上；半导体片，在所述电介质层上配置于所述第1电极与所述第2电极之间，将所述第1电极和所述第2电极电连接；第3电极，至少一部分被所述电介质层覆盖，隔着所述电介质层与所述半导体片对置；和多个第1吸附部，配置在所述第3电极的表面和配置于所述第3电极的表面的所述电介质层中的至少一者，对检测对象物进行吸附。
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公开(公告)号：CN113167763A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980080686.0
申请日：2019-10-03
申请人： 株式会社村田制作所
IPC分类号： G01N27/414 , C12M1/00 , C12M1/34 , G01N27/26 , G01N33/569
摘要： 本发明的计算机系统执行如下步骤：通过通信线路从具备多个石墨烯传感器的测定装置将根据病毒量而定量变化的电信号与各受检者的识别信息建立关联地接收，上述多个石墨烯传感器输出根据从多个受检者提取的检体所包含的病毒量而定量变化的电信号；基于从多个石墨烯传感器输出的电信号的变化，对从多个受检者提取的检体所包含的病毒量进行分析；以及将从多个受检者提取的检体所包含的病毒量的分析结果通过通信线路发送到每个受检者预先注册的通信终端。
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公开(公告)号：CN101361204A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200680051274.7
申请日：2006-12-20
申请人： 株式会社村田制作所
IPC分类号： H01L41/09 , H01L41/187 , H02N2/00
CPC分类号： H01L41/187 , H01L41/0906
摘要： 本发明提供一种共振执行器，包括：具备以共振频率或共振频率附近的频率区域进行振动的变位元件的驱动部；和被上述变位元件驱动的被驱动部件。上述变位元件，具有由铋层状化合物组成的压电陶瓷基体。此外，优选变位元件的变位方向与压电陶瓷基体的极化方向为同一方向。此外，优选铋层状化合物的结晶轴的c轴在垂直于压电陶瓷基体的极化方向的方向上取向。优选c轴的取向度是Lotgering法下的75％以上。由此，饱和振动速度加大，即使提升振动速度，也不会导致该振动速度的不稳定，可以最大限度地抑制共振频率fr和机械品质系数Qm的下降，而且，即便施加高电场，也可以得到较大变位量。
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公开(公告)号：CN1304323C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200410045652.3
申请日：2004-05-20
申请人： 株式会社村田制作所
CPC分类号： C04B35/495 , B32B18/00 , B32B2311/06 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3213 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3298 , C04B2235/6025 , C04B2237/345 , C04B2237/40 , C04B2237/408 , C04B2237/704 , H01L41/187
摘要： 一种压电陶瓷组合物，它以包含Sr、Bi、Nb、氧以及单价金属元素的层型铋化合物为基础。所述压电陶瓷组合物的居里点高，在较高温度下很可靠，即能使压电效应的降低很小，它能用作压电陶瓷装置用的材料，它几乎不包含铅或铅化合物。对每摩尔Nb来说，所述层型铋化合物包含不超过约0.125摩尔，且大于0摩尔的单价金属元素。
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公开(公告)号：CN1226235C
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN02119065.8
申请日：2002-05-08
申请人： 株式会社村田制作所
IPC分类号： C04B35/622 , C04B35/462
CPC分类号： C04B35/645 , B28B1/002 , B28B11/00 , B32B18/00 , B32B37/0046 , B32B2309/022 , C04B35/475 , C04B35/495 , C04B35/497 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3231 , C04B2235/3232 , C04B2235/3251 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/5292 , C04B2235/5296 , C04B2235/6025 , C04B2235/77 , C04B2235/787 , C04B2237/704
摘要： 本发明提供一种陶瓷的制造方法，该方法在烧结中可以采用通常的烧结炉，如果采用相同的材料，可以制造取向度比采用TGG法制造的取向陶瓷的取向度高的取向陶瓷。将板状陶瓷粉末与陶瓷原料的煅烧粉末混合，得到混合粉末。然后，得到含有混合粉末、溶剂和粘合剂的陶瓷生料。将陶瓷生料成形，形成片。将层压了多个片的层压物L在模具10中沿单轴方向加压，使层压物L的与加压轴平行方向的长度比加压之前小，使层压物L的与加压轴垂直面的面积比加压之前大，形成取向成形体。烧成该取向成形体，进行烧结。
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公开(公告)号：CN1218478C
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN02126406.6
申请日：2002-07-12
申请人： 株式会社村田制作所
IPC分类号： H03H9/15 , H01L41/187
CPC分类号： H01L41/187 , H01L41/0477
摘要： 压电元件包括多个压电层，所述压电层含有铋层化合物作为主要成分，并且在厚度方向上分层。压电层配置有含有Pd作为主要成分的电极，以便压电层振动。电极和压电陶瓷合成物中的至少一个含有Ag。
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公开(公告)号：CN1215486C
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN02156173.7
申请日：2002-12-13
申请人： 株式会社村田制作所
CPC分类号： C04B35/495 , C04B2235/3213 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3298 , C04B2235/604 , H01L41/187
摘要： 在以SrBi2Nb2O9为主成分的压电陶瓷组合物中，不使Bi的含量过多而超过化学计量组成，提高Qmax，提供完全不含或仅含少量的铅或铅化合物而且显示可供实用程度的Qmax、适合作为压电陶瓷元件等的材料使用的压电陶瓷组合物。在以Sr、Bi、Nb、氧及Bi以外的3阶金属元素构成的铋层状化合物为主成分的压电陶瓷组合物中，设作为主成分的铋层状化合物中的Sr、Bi、Nb及Bi以外的3阶金属元素的摩尔比为a∶b∶c∶x时，满足0.275＜a/c＜0.5、0.9≤b/c≤1、0＜x/c≤0.175以及0.5＜(a+3x/2)/c≤0.7的关系。
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公开(公告)号：CN1189416C
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN00119216.7
申请日：2000-05-24
申请人： 株式会社村田制作所
IPC分类号： C04B35/01 , H01L41/187 , H03H9/00
CPC分类号： H03H9/178 , C04B35/475 , H01L41/187
摘要： 本发明的目的是提供一种压电陶瓷组合物，其可以在1100℃或更低温度下烧制成压电陶瓷并提供压电陶瓷元件实际应用的足够的机电耦合系数kt，以及一种使用该组合物的压电陶瓷元件，其中压电陶瓷组合物含有通式为CaBi4(Ti1-ySiy)4O16的主要组分，y是0＜y≤0.5，且其中压电陶瓷元件可以使用压电陶瓷组合物形成，在压电陶瓷两个主面形成电极同时在压电陶瓷内形成内部电极。
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公开(公告)号：CN1572751A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410045652.3
申请日：2004-05-20
申请人： 株式会社村田制作所
CPC分类号： C04B35/495 , B32B18/00 , B32B2311/06 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3213 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3298 , C04B2235/6025 , C04B2237/345 , C04B2237/40 , C04B2237/408 , C04B2237/704 , H01L41/187
摘要： 一种压电陶瓷组合物，它以包含Sr、Bi、Nb、氧以及单价金属元素的层型铋化合物为基础。所述压电陶瓷组合物的居里点高，在较高温度下很可靠，即能使压电效应的降低很小，它能用作压电陶瓷装置用的材料，它几乎不包含铅或铅化合物。对每摩尔Nb来说，所述层型铋化合物包含不超过约0.125摩尔，且大于0摩尔的单价金属元素。
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