-
公开(公告)号：CN102194998B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201110050041.8
申请日：2011-03-02
申请人： 株式会社理光 , 国立大学法人九州大学
CPC分类号： H01L51/0051 , B82Y10/00 , H01L51/0045 , H01L51/0074 , H01L51/0562 , H01L51/102
摘要： 本发明提供有机半导体元件和有机电极。所述有机半导体元件含有：含有第一有机化合物层和第二有机化合物层的源电极，所述层中至少之一具有有机半导体活性区；和含有所述第一有机化合物层和所述第二有机化合物层的漏电极。所述有机电极含有：层压膜，其中由以下通式I表示的四硫富瓦烯衍生物的层和受电子化合物的层被层压。通式I。
-
公开(公告)号：CN102194998A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110050041.8
申请日：2011-03-02
申请人： 株式会社理光 , 国立大学法人九州大学
CPC分类号： H01L51/0051 , B82Y10/00 , H01L51/0045 , H01L51/0074 , H01L51/0562 , H01L51/102
摘要： 本发明提供有机半导体元件和有机电极。所述有机半导体元件含有：含有第一有机化合物层和第二有机化合物层的源电极，所述层中至少之一具有有机半导体活性区；和含有所述第一有机化合物层和所述第二有机化合物层的漏电极。所述有机电极含有：层压膜，其中由以下通式I表示的四硫富瓦烯衍生物的层和受电子化合物的层被层压。通式I
-
公开(公告)号：CN101356651B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200780001102.3
申请日：2007-07-19
申请人： 株式会社理光
IPC分类号： H01L29/786 , B32B27/16 , B32B27/34 , C08G73/10 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/312 , H01L21/336 , H01L51/05 , H01L51/30
摘要： 公开的层叠结构包括：基板；在基板形成的润湿性变化层，该润湿性变化层包括临界表面张力通过接收能量而变化的材料；和在润湿性变化层上形成的电极层，该电极层根据润湿性变化层形成图案。临界表面张力通过接收能量而变化的材料包括含主链和侧链的聚合物，该侧链包括多支链结构。
-
公开(公告)号：CN101687992A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880022700.3
申请日：2008-07-04
申请人： 株式会社理光
IPC分类号： C08G73/10 , C07C229/60 , H01L21/283 , H01L21/288 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05
摘要： 公开了一种由式(1)表示的二胺化合物：其中基团A和基团B中的每一个为-O-、-COO-、-CONH-或-OCO-；基团C各自独立地为-O-、-COO-、-CONH-或-OCO-；且基团D各自独立地为未取代的或被至少一个卤原子取代的直链、支化或环状的C1～C20烷基，或某种树枝状基团。
-
公开(公告)号：CN102947963A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201180029724.3
申请日：2011-06-14
申请人： 株式会社理光
IPC分类号： H01L51/30 , C09D11/00 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40 , C07D495/22
CPC分类号： H01L51/0068 , C07D495/22 , C09D11/52 , H01L51/001 , H01L51/0074 , H01L51/0558
摘要： 一种包含通式I表示的二噻吩并苯并二噻吩衍生物的有机半导体材料前体：在通式I中，X和Y代表在施予外部刺激时键合在一起形成从通式I表示的化合物消除的X-Y的基团；R1和R2各自代表取代或未取代的烷基，或取代或未取代的芳基；且R3至R10各自代表氢原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的烷硫基、或取代或未取代的芳基。
-
公开(公告)号：CN101981675A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200980111393.0
申请日：2009-02-03
申请人： 株式会社理光
IPC分类号： H01L21/336 , B32B27/34 , G02F1/1368 , G02F1/167 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC分类号： H01L51/0005 , H01L51/0545
摘要： 本发明公开包括基板、在所述基板上的润湿性变化层、和在所述基板上的导电体层的层叠结构体，所述润湿性变化层包括这样的材料，该材料的临界表面张力通过对其施加能量而改变，所述导电体层在所述润湿性变化层的施加了所述能量的区域上形成，其中所述材料包括具有侧链的结构单元和不具有侧链的结构单元。
-
公开(公告)号：CN101356651A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200780001102.3
申请日：2007-07-19
申请人： 株式会社理光
IPC分类号： H01L29/786 , B32B27/16 , B32B27/34 , C08G73/10 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/312 , H01L21/336 , H01L51/05 , H01L51/30
摘要： 公开的层叠结构包括：基板；在基板形成的润湿性变化层，该润湿性变化层包括临界表面张力通过接收能量而变化的材料；和在润湿性变化层上形成的电极层，该电极层根据润湿性变化层形成图案。临界表面张力通过接收能量而变化的材料包括含主链和侧链的聚合物，该侧链包括多支链结构。
-
公开(公告)号：CN103022003A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210504512.2
申请日：2012-09-17
申请人： 株式会社理光
IPC分类号： H01L23/522 , H01L27/12 , H01L21/768
CPC分类号： H05K3/1208 , H01L21/76814 , H01L21/76825 , H01L27/3262 , H01L51/0022 , H05K3/0035 , H05K3/125 , H05K3/4664
摘要： 本发明公开一种多层布线衬底，具有第一导电层；层间绝缘层；以及第二导电层，其中层间绝缘层包括表面能由接收能量而改变的材料，并具有不包括接触孔的第一区域和表面能被形成为高于该第一区域的第二区域，其中在第一导电层的接触孔内的区域具有高于层间绝缘层第二区域表面能的表面能，其中第二导电层是通过层叠形成，其中第二导电层与层间绝缘层的第二区域接触，沿着第二区域，并且通过接触孔与第一导电层连接。
-
公开(公告)号：CN101627464B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200880007068.5
申请日：2008-03-05
申请人： 株式会社理光
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC分类号： H01L51/102 , H01L27/1292 , H01L29/78681 , H01L51/0012 , H01L51/0022 , H01L51/0035 , H01L51/0545
摘要： 本发明公开了能够用少量UV辐照改变其表面自由能的层叠结构体。本发明还公开了制造该层叠结构体的方法；具有该层叠结构体的电子器件；具有多个该电子器件的电子器件阵列；和具有该电子器件阵列的显示装置。该层叠结构体包括基底11、置于该基底上的湿润性变化层12、在该湿润性变化层12上图案化的导电层13。所述湿润性变化层12包括这样的材料，其临界表面张力在施加能量时变化。所述临界表面张力变化的材料具有主链和侧链。所述侧链具有两个或更多个在吸收能量时其键断裂的位点。
-
公开(公告)号：CN101627464A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200880007068.5
申请日：2008-03-05
申请人： 株式会社理光
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC分类号： H01L51/102 , H01L27/1292 , H01L29/78681 , H01L51/0012 , H01L51/0022 , H01L51/0035 , H01L51/0545
摘要： 本发明公开了能够用少量UV辐照改变其表面自由能的层叠结构体。本发明还公开了制造该层叠结构体的方法；具有该层叠结构体的电子器件；具有多个该电子器件的电子器件阵列；和具有该电子器件阵列的显示装置。该层叠结构体包括基底11、置于该基底上的湿润性变化层12、在该湿润性变化层12上图案化的导电层13。所述湿润性变化层12包括这样的材料，其临界表面张力在施加能量时变化。所述临界表面张力变化的材料具有主链和侧链。所述侧链具有两个或更多个在吸收能量时其键断裂的位点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
18 条记录 (耗时 0.065 秒)
