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公开(公告)号：CN113832544B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202111128251.4
申请日：2014-09-18
Applicant: 株式会社田村制作所 , 国立大学法人东京农工大学
Abstract: 提供能够高效生长出高质量且大口径的β‑Ga2O3系单晶膜(β‑Ga2O3‑based single crystal film)的β‑Ga2O3系单晶膜的生长方法和具有通过该生长方法生长出的β‑Ga2O3系单晶膜的晶体层叠结构体。一实施方式提供一种β‑Ga2O3系单晶膜的生长方法，包含如下工序：将Ga2O3系基板(10)暴露于包括氯化镓系气体和含氧气体的混合气体；以及在Ga2O3系基板(10)的主面(11)上使β‑Ga2O3系单晶膜(12)以900℃以上的生长温度外延生长，其中，上述氯化镓系气体和上述含氧气体由从包括N2、Ar和He的组中选择的惰性气体来载带。
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公开(公告)号：CN107532326B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201680016988.8
申请日：2016-02-17
Applicant: 株式会社田村制作所 , 国立大学法人东京农工大学
IPC: C30B29/16 , C23C16/40 , C30B25/20 , H01L21/205
Abstract: 提供一种具有β‑Ga2O3系单晶膜的晶体层叠结构体，该β‑Ga2O3系单晶膜在整个晶体包含能够在宽广的范围内设定浓度的掺杂物。作为一个实施方式，提供晶体层叠结构体(1)，其包含：Ga2O3系基板(10)；以及β‑Ga2O3系单晶膜(12)，其通过外延晶体生长形成在Ga2O3系基板(10)的主面(11)上，含有Cl和掺杂物，该掺杂物是与晶体生长并行地掺杂的，浓度是1×1013atoms/cm3以上且5.0×1020atoms/cm3以下。
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公开(公告)号：CN106471163B
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201580024046.X
申请日：2015-05-11
Applicant: 株式会社田村制作所 , 国立大学法人东京农工大学
IPC: C30B29/16 , C23C16/40 , C30B25/20 , H01L21/205 , H01L21/365
Abstract: 提供一种能够采用HVPE法以高生长率生长由β－Ga2O3单晶构成的外延层且由β－Ga2O3单晶构成的半导体衬底、具有该半导体衬底和外延层的外延片以及该外延片的制造方法。作为一种实施方式，提供一种半导体衬底(11)，其被用作通过HVPE法进行外延晶体生长用的基底衬底，该半导体衬底由β－Ga2O3系单晶构成，并以平行于β－Ga2O3系单晶的[0 1 0]轴的面为主面。
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公开(公告)号：CN107078063A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580046341.5
申请日：2015-08-18
Applicant: 株式会社田村制作所 , 国立研究开发法人情报通信研究机构 , 国立大学法人东京农工大学
IPC: H01L21/338 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/24 , H01L21/02414 , H01L21/02433 , H01L21/02483 , H01L21/02565 , H01L21/02576 , H01L21/02581 , H01L29/045 , H01L29/105 , H01L29/36 , H01L29/517 , H01L29/812
Abstract: 提供能抑制沟道层的高电阻化的半导体元件和能用于该元件制造的晶体层叠结构体。作为一实施方式，提供一种Ga2O3系半导体元件(10)，其具有：包括包含受主杂质的β‑Ga2O3系单晶的高电阻基板(11)；高电阻基板(11)上的包括β‑Ga2O3系单晶的缓冲层(12)；以及缓冲层(12)上的包括包含施主杂质的β‑Ga2O3系单晶的沟道层(13)。
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公开(公告)号：CN113832544A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111128251.4
申请日：2014-09-18
Applicant: 株式会社田村制作所 , 国立大学法人东京农工大学
Abstract: 提供能够高效生长出高质量且大口径的β‑Ga2O3系单晶膜(β‑Ga2O3‑based single crystal film)的β‑Ga2O3系单晶膜的生长方法和具有通过该生长方法生长出的β‑Ga2O3系单晶膜的晶体层叠结构体。一实施方式提供一种β‑Ga2O3系单晶膜的生长方法，包含如下工序：将Ga2O3系基板(10)暴露于包括氯化镓系气体和含氧气体的混合气体；以及在Ga2O3系基板(10)的主面(11)上使β‑Ga2O3系单晶膜(12)以900℃以上的生长温度外延生长，其中，上述氯化镓系气体和上述含氧气体由从包括N2、Ar和He的组中选择的惰性气体来载带。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105992841B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201480053760.7
申请日：2014-09-18
Applicant: 株式会社田村制作所 , 国立大学法人东京农工大学
IPC: C30B29/16 , C23C16/40 , C23C16/448 , C30B25/14 , H01L21/365
Abstract: 提供能够高效生长出高质量且大口径的β‑Ga2O3系单晶膜(β‑Ga2O3‑based single crystal film)的β‑Ga2O3系单晶膜的生长方法和具有通过该生长方法生长出的β‑Ga2O3系单晶膜的晶体层叠结构体。一实施方式提供一种β‑Ga2O3系单晶膜的生长方法，其是利用HVPE法的β‑Ga2O3系单晶膜的生长方法，包含将Ga2O3系基板10暴露于氯化镓系气体和含氧气体，在Ga2O3系基板10的主面11上使β‑Ga2O3系单晶膜12以900℃以上的生长温度生长的工序。
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公开(公告)号：CN107532326A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680016988.8
申请日：2016-02-17
Applicant: 株式会社田村制作所 , 国立大学法人东京农工大学
IPC: C30B29/16 , C23C16/40 , C30B25/20 , H01L21/205
Abstract: 提供一种具有β‑Ga2O3系单晶膜的晶体层叠结构体，该β‑Ga2O3系单晶膜在整个晶体包含能够在宽广的范围内设定浓度的掺杂物。作为一个实施方式，提供晶体层叠结构体(1)，其包含：Ga2O3系基板(10)；以及β‑Ga2O3系单晶膜(12)，其通过外延晶体生长形成在Ga2O3系基板(10)的主面(11)上，含有Cl和掺杂物，该掺杂物是与晶体生长并行地掺杂的，浓度是1×1013atoms/cm3以上且5.0×1020atoms/cm3以下。
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公开(公告)号：CN106471163A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201580024046.X
申请日：2015-05-11
Applicant: 株式会社田村制作所 , 国立大学法人东京农工大学
IPC: C30B29/16 , C23C16/40 , C30B25/20 , H01L21/205 , H01L21/365
Abstract: 提供一种能够采用HVPE法以高生长率生长由β－Ga2O3单晶构成的外延层且由β－Ga2O3单晶构成的半导体衬底、具有该半导体衬底和外延层的外延片以及该外延片的制造方法。作为一种实施方式，提供一种半导体衬底(11)，其被用作通过HVPE法进行外延晶体生长用的基底衬底，该半导体衬底由β－Ga2O3系单晶构成，并以平行于β－Ga2O3系单晶的[0 1 0]轴的面为主面。
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公开(公告)号：CN107534062B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201680016834.9
申请日：2016-03-09
Applicant: 株式会社田村制作所 , 国立研究开发法人情报通信研究机构 , 国立大学法人东京农工大学
IPC: H01L29/872 , C23C16/40 , C30B29/16 , H01L21/329 , H01L29/24 , H01L29/47
Abstract: 提供一种耐压特性优异的Ga2O3系的高耐压肖特基势垒二极管。作为一实施方式，提供高耐压肖特基势垒二极管(1)，其具有：第一层(10)，其包含第一Ga2O3系单晶，有效施主浓度为1×1013cm‑3以上且6.0×1017cm‑3以下，上述第一Ga2O3系单晶含有第一IV族元素和浓度为5×1016cm‑3以下的Cl；第二层(12)，其包含第二Ga2O3系单晶，与第一层(10)相比有效施主浓度高，层叠于第一层(10)，上述第二Ga2O3系单晶含有第二IV族元素；阳极电极(14)，其形成在第一层(10)上；以及阴极电极(15)，其形成在第二层(12)上。
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公开(公告)号：CN107078063B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201580046341.5
申请日：2015-08-18
Applicant: 株式会社田村制作所 , 国立研究开发法人情报通信研究机构 , 国立大学法人东京农工大学
IPC: H01L21/338 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/812
Abstract: 提供能抑制沟道层的高电阻化的半导体元件和能用于该元件制造的晶体层叠结构体。作为一实施方式，提供一种Ga2O3系半导体元件(10)，其具有：包括包含受主杂质的β‑Ga2O3系单晶的高电阻基板(11)；高电阻基板(11)上的包括β‑Ga2O3系单晶的缓冲层(12)；以及缓冲层(12)上的包括包含施主杂质的β‑Ga2O3系单晶的沟道层(13)。
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