公开(公告)号：CN109791890A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201780051638.X

申请日：2017-04-25

申请人： 胜高股份有限公司

发明人： 柾田亚由美

IPC分类号： H01L21/322 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L21/02694 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14687 ,  H01L29/16

摘要： 本发明提供一种通过发挥更高的吸杂能力而能够抑制金属污染的外延硅晶片及其制造方法。具有硅晶片(10)、硅晶片(10)上的第1硅外延层(12)、对第1硅外延层(12)的表层部注入碳而成的第1改性层(14)以及第1改性层(14)上的第2硅外延层(16)的外延硅晶片(100)的制造方法的特征在于：将形成第2硅外延层(16)之后的、第1改性层(14)中的氧浓度分布的峰浓度设为2×1017atoms/cm3以下，且将第2硅外延层(16)的氧浓度设为SIMS检测下限值以下。

公开(公告)号：CN109075038A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780012924.5

申请日：2017-02-27

申请人： 纽富来科技股份有限公司 ,  昭和电工株式会社 ,  一般财团法人电力中央研究所

发明人： 铃木邦彦 ,  池谷尚久 ,  深田启介 ,  伊藤雅彦 ,  镰田功穗 ,  土田秀一 ,  藤林裕明 ,  上东秀幸 ,  内藤正美 ,  原一都 ,  青木宏文 ,  小泽隆弘

IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/455

CPC分类号： H01L21/6719 ,  B01F3/028 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45587 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/205

摘要： 提供能够抑制气体的蔓延、能够抑制由沉积物的附着引起的颗粒的发生、能够防止形成的膜发生结晶缺陷的成膜装置。供给部(4)具备：第1隔壁(32)；第2隔壁(401)，以规定间隔设置于第1隔壁的下部；第3隔壁(402)，以规定间隔设置于第2隔壁的下部；第1流路(431)，设置在供第1气体导入的第1隔壁与第2隔壁之间；第2流路(432)，设置在供第2气体导入的第2隔壁与第3隔壁之间；第1配管(411)，从第2隔壁一直到第3隔壁的下方，与第1流路连通；第2配管(421)，设置为包围第1配管，从第3隔壁一直到第3隔壁的下方，与第2流路连通；以及凸部，设置在第1配管的外周面(411c)或第2配管的内周面(421b)，从第1配管的外周面以及第2配管的内周面的一方朝向另一方突出。

公开(公告)号：CN108701710A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780013987.2

申请日：2017-02-24

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 都永洛 ,  成演国

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L29/41 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L29/0669 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/76251 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41

摘要： 提供了制造纳米棒的方法。制造纳米棒的方法包括以下步骤：提供生长衬底和支承衬底；在生长衬底的一面上使纳米材料层外延生长；在支承衬底的一面上形成牺牲层；使纳米材料层与牺牲层结合；从纳米材料层分离生长衬底；使纳米材料层平坦化；对纳米材料层进行蚀刻以形成纳米棒；以及去除牺牲层以分离出纳米棒。

公开(公告)号：CN108699726A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780014638.2

申请日：2017-01-12

申请人： 株式会社电装

发明人： 杉山尚宏

IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L29/1608 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02293 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/205 ,  H01L29/8611

摘要： 本发明提供一种半导体基板，其具有SiC基板(1)及外延膜(2)，其中，使外延膜(2)的氢浓度相对于SiC基板(1)的氢浓度的浓度比成为0.2～5、优选0.5～2。由此，能够制成可抑制外延膜(2)与SiC基板(1)的边界位置处的氢的扩散、可抑制氢浓度的下降的半导体基板。因此，能够谋求使用半导体基板而形成的SiC半导体器件、例如pn二极管等双极器件的特性的提高。

公开(公告)号：CN108598233A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201810378693.6

申请日：2018-04-18

申请人： 湘能华磊光电股份有限公司

发明人： 徐平

IPC分类号： H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/04 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L33/12 ,  H01L21/205 ,  H01L33/04 ,  H01L33/32

摘要： 本申请公开了一种LED外延层生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长AlGaN/GaN超晶格层、交替生长InxGa(1-x)N/GaN发光层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层、交替生长InGaN/GaN超晶格层，降温冷却。本发明通过分别引入AlGaN/GaN超晶格和InGaN/GaN短周期超晶格结构，用来减少晶格失配带来的应力，提高发光层的晶格质量，提升LED器件的抗静电能力，并提高空穴的浓度，提高ITO与p-GaN之间欧姆接触性能，降低LED的正向电压。

公开(公告)号：CN108474136A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201780007532.X

申请日：2017-01-18

申请人： 住友电气工业株式会社 ,  住友电工硬质合金株式会社

发明人： 野原拓也 ,  辰巳夏生 ,  西林良树 ,  角谷均 ,  小林丰 ,  植田晓彦

IPC分类号： C30B29/04 ,  A44C27/00 ,  C01B32/26 ,  C23C16/01 ,  C23C16/27 ,  C30B25/08 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

CPC分类号： A44C27/00 ,  C01B32/26 ,  C23C16/01 ,  C23C16/27 ,  C30B25/08 ,  C30B25/20 ,  C30B29/04 ,  H01L21/205

摘要： 本发明提供一种制造单晶金刚石的方法、所述方法包括如下步骤：在辅助板的至少一部分表面上形成保护膜的步骤；准备金刚石籽晶衬底的步骤；将具有保护膜的辅助板和金刚石籽晶衬底布置在腔室内的步骤，在所述具有保护膜的辅助板中所述保护膜形成在所述辅助板上；以及在将含碳气体引入所述腔室内的同时通过化学气相沉积法在所述金刚石籽晶衬底的主面上生长单晶金刚石的步骤。

公开(公告)号：CN108290772A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201780004215.2

申请日：2017-01-05

申请人： 日本电气硝子株式会社

发明人： 齐藤敦己 ,  林昌宏

IPC分类号： C03C3/097 ,  H01L21/205

CPC分类号： C03C3/097 ,  H01L21/205

摘要： 本发明的玻璃，其特征在于，作为玻璃组成，以摩尔％计含有SiO2 60％～80％、Al2O3 12％～25％、B2O3 0％～3％、Li2O+Na2O+K2O 0％～3％、MgO+CaO+SrO+BaO 5％～25％、P2O5 0.1％～10％，且应变点高于730℃。

公开(公告)号：CN105088334B

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201410174353.3

申请日：2014-04-28

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 赵海洋

IPC分类号： C30B25/08

CPC分类号： C23C16/00 ,  H01L21/205

摘要： 本发明提供了一种顶盖装置及工艺设备，其顶盖装置包括喷水冷却部和上盖，喷水冷却部和上盖为分离式结构，喷水冷却部随上盖一起上下运动。其工艺设备包含石英腔和上述顶盖装置，顶盖装置安装在石英腔的上方。本发明顶盖装置及工艺设备，结构设计简单合理，保证石英腔不易损坏。

公开(公告)号：CN107438895A

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201680021625.3

申请日：2016-04-12

申请人： 株式会社EUGENE科技

发明人： 郑愚德 ,  诸成泰 ,  崔圭鎭 ,  韩星珉

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/2053 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/205 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67303 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67011

摘要： 本发明包含：管件，具有内空间；基板支撑件，多个基板在管件内以多级形式堆叠于基板支撑件上，基板支撑件个别地界定分别处理多个基板的多个处理空间；第一气体供应部件，经组态以将第一气体供应至所有多个处理空间中；第二气体供应部件，包括多个喷射器，多个喷射器经安置为分别对应于多个处理空间，使得将第二气体个别地供应至多个基板中的每一者上；以及排出部件，经组态以排出管件内的气体。因此，可将气体个别地供应至分别处理多个基板的处理空间中的每一者中。

公开(公告)号：CN107408511A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680013366.X

申请日：2016-01-14

申请人： 爱沃特株式会社

发明人： 深泽晓 ,  生川满久 ,  川村启介

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/267 ,  H01L29/452 ,  H01L29/475 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/812

摘要： 本发明提供一种能够提高耐压和结晶品质的化合物半导体基板。化合物半导体基板具备：Si(硅)基板、在Si基板的表面形成的SiC(碳化硅)层、在SiC层的表面形成的AlN(氮化铝)层、在AlN层的表面形成的复合层、以及在复合层的表面形成的GaN(氮化镓)层。复合层包含AlN(氮化铝)层以及在AlN层的表面形成的GaN层。在至少1个复合层中，GaN层中的C和Fe的平均浓度高于AlN层中的C和Fe的平均浓度。