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公开(公告)号:CN103415576A
公开(公告)日:2013-11-27
申请号:CN201280012284.5
申请日:2012-01-12
Applicant: 株式会社艾迪科
IPC: C09D1/00 , C07C69/72 , C07C211/09 , C07C211/65 , C07F3/06 , H01B5/14 , H01B13/00
CPC classification number: C09D5/24 , C07C211/65 , C07F3/06 , C09D1/00 , C23C14/086 , C23C18/1216 , C23C18/42
Abstract: 本发明提供一种含有下述通式(1)(在通式(1)中,R1及R2彼此独立地表示碳原子数1~4的烷基)所示的锌化合物作为必需成分的氧化锌系膜形成用组合物、氧化锌系膜的制造方法及锌化合物。根据上述本发明,可提供一种氧化锌系膜形成用组合物,其可在300℃以下的低温下形成具有透明性、均质性及导电性的高品质的氧化锌系膜。
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公开(公告)号:CN101848917A
公开(公告)日:2010-09-29
申请号:CN200880114793.2
申请日:2008-10-22
Applicant: 株式会社艾迪科
CPC classification number: C23C16/45553 , C07F7/003 , C23C16/308 , C23C16/34 , C23C16/40
Abstract: 本发明涉及一种由下述通式(1)表示的新型金属化合物、含有其的化学气相沉积用原料以及基于使用了该原料的化学气相沉积法的含有金属的薄膜的制造方法。作为该金属化合物,优选下述通式(1)中X为氯原子的化合物,这是因为原料便宜,挥发性高;当M为钛原子时,优选m为1的化合物,这是因为挥发温度(蒸汽温度)与薄膜沉积温度(反应温度)之差较大,可获得较宽的制程范围。下述式中,M表示钛、锆或铪,X表示卤原子,m表示1或2,
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公开(公告)号:CN101848917B
公开(公告)日:2013-02-27
申请号:CN200880114793.2
申请日:2008-10-22
Applicant: 株式会社艾迪科
CPC classification number: C23C16/45553 , C07F7/003 , C23C16/308 , C23C16/34 , C23C16/40
Abstract: 本发明涉及一种由下述通式(1)表示的新型金属化合物、含有其的化学气相沉积用原料以及基于使用了该原料的化学气相沉积法的含有金属的薄膜的制造方法。作为该金属化合物,优选下述通式(1)中X为氯原子的化合物,这是因为原料便宜,挥发性高;当M为钛原子时,优选m为1的化合物,这是因为挥发温度(蒸汽温度)与薄膜沉积温度(反应温度)之差较大,可获得较宽的制程范围。下述式中,M表示钛、锆或铪,X表示卤原子,m表示1或2,
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公开(公告)号:CN101130860A
公开(公告)日:2008-02-27
申请号:CN200710141711.0
申请日:2007-08-21
Applicant: 株式会社艾迪科
IPC: C23C16/30 , C23C16/448
Abstract: 本发明提供一种适合制造含有锌的薄膜的原料以及通过使用该原料的化学气相沉积法的薄膜的制造方法。由相对于1000ml不具有羟基的有机溶剂溶解有0.1~1摩尔作为必须成分的双(戊烷-2,4-二酮基)锌无水合物的溶液形成薄膜形成用原料,以及向基体上导入含有将该薄膜形成用原料气化而得到的含有双(戊烷-2,4-二酮基)锌无水合物的蒸汽,并使其分解和/或发生化学反应而在基体上形成含锌原子的薄膜。
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公开(公告)号:CN103415576B
公开(公告)日:2016-03-30
申请号:CN201280012284.5
申请日:2012-01-12
Applicant: 株式会社艾迪科
IPC: C09D1/00 , C07C69/72 , C07C211/09 , C07C211/65 , C07F3/06 , H01B5/14 , H01B13/00
CPC classification number: C09D5/24 , C07C211/65 , C07F3/06 , C09D1/00 , C23C14/086 , C23C18/1216 , C23C18/42
Abstract: 本发明提供一种含有下述通式(1)(在通式(1)中,R1及R2彼此独立地表示碳原子数1~4的烷基)所示的锌化合物作为必需成分的氧化锌系膜形成用组合物、氧化锌系膜的制造方法及锌化合物。根据上述本发明,可提供一种氧化锌系膜形成用组合物,其可在300℃以下的低温下形成具有透明性、均质性及导电性的高品质的氧化锌系膜。
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公开(公告)号:CN102257579A
公开(公告)日:2011-11-23
申请号:CN201080003603.7
申请日:2010-01-06
Applicant: 株式会社艾迪科
CPC classification number: H01L39/2425 , C04B35/4508 , C04B35/6263 , C04B35/6264 , C04B35/6325 , C04B2235/3215 , C04B2235/3225 , C04B2235/449 , C04B2235/6562 , C23C18/1216 , C23C18/1295
Abstract: 本发明的氧化物超导电厚膜用组合物的特征在于,其是用于形成RE-Ba-Cu(RE是选自由Y、Nd、Sm、Gd、Eu、Yb、Pr及Ho组成的组中的至少1种以上的元素)系氧化物超导电厚膜的组合物,其含有作为RE成分的碳原子数为4~8的酮酸的RE盐、作为Ba成分的三氟乙酸钡、作为Cu成分的选自由碳原子数为6~16的支链饱和脂肪族羧酸的铜盐及碳原子数为6~16的脂环族羧酸的铜盐组成的组中的1种以上的铜盐、以及溶解这些金属盐成分的有机溶剂作为必需成分,RE与Ba与Cu的摩尔比为1∶1.3~2.2∶2.4~3.6,有机溶剂的含量为25~80重量%。
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公开(公告)号:CN101052615B
公开(公告)日:2010-07-14
申请号:CN200580037753.9
申请日:2005-10-26
Applicant: 株式会社艾迪科
IPC: C07C215/08 , C23C16/40 , H01L21/285 , H01L21/316 , C07F9/00
CPC classification number: C07C215/08 , C07F9/005 , C23C16/40 , H01L21/3141 , H01L21/31637
Abstract: 本发明的金属化合物是用下述通式(I)表示的化合物,特别适合用作具有包括ALD法的CVD法等气化工序的薄膜制造方法的前体。通式(I)中,M表示钽或铌;R1表示碳原子数为1~4的烷基;R2和R3分别独立地表示氢原子、甲基或者乙基。
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公开(公告)号:CN101052615A
公开(公告)日:2007-10-10
申请号:CN200580037753.9
申请日:2005-10-26
Applicant: 株式会社艾迪科
IPC: C07C215/08 , C23C16/40 , H01L21/285 , H01L21/316 , C07F9/00
CPC classification number: C07C215/08 , C07F9/005 , C23C16/40 , H01L21/3141 , H01L21/31637
Abstract: 本发明的金属化合物是用下述通式(I)表示的化合物,特别适合用作具有包括ALD法的CVD法等气化工序的薄膜制造方法的前体。通式(I)中,M表示钽或铌;R1表示碳原子数为1~4的烷基;R2和R3分别独立地表示氢原子、甲基或者乙基。
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