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公开(公告)号：CN103474354B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201310343762.7
申请日：2009-11-27
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所 , 独立行政法人物质·材料研究机构
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/94
CPC classification number: H01L29/045 , H01L29/20 , H01L29/7833 , H01L29/78681
Abstract: 本发明公开一种半导体装置，包含具有闪锌矿型的结晶结构的3-5族化合物半导体；与3-5族化合物半导体的(111)面、(111)面的等效的面，或，具有从(111)面或(111)面的等效的面倾斜的倾斜角的面接触的绝缘性材料；和与绝缘性材料接触且含有金属传导性材料的MIS型电极。
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公开(公告)号：CN103384917B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201280009842.2
申请日：2012-03-02
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/78681 , H01L21/2007 , H01L21/76254 , H01L21/76256 , H01L29/2003 , H01L29/517 , H01L29/6631 , H01L29/66462 , H01L29/66742 , H01L29/778 , H01L29/7783 , H01L29/7786 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体基板及其制造方法，其目的在于提供一种在DWB法中的贴合时能够减小半导体层所受的损坏，将受到的损坏的影响以及界面能级的影响抑制得低且具有高的载流子迁移率的晶体管。本发明提供的半导体基板具有：基底基板(102)、第1绝缘体层(104)以及半导体层(106)，第1绝缘体层(102)由非晶状金属氧化物或非晶状金属氮化物构成，半导体层(106)包含第1结晶层(108)以及第2结晶层(110)，第1结晶层(108)的电子亲和力(Ea1)大于第2结晶层(110)的电子亲和力(Ea2)。
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公开(公告)号：CN103548133B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201280025380.3
申请日：2012-06-11
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/8238 , H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/762 , H01L27/08 , H01L27/092 , H01L27/095 , H01L27/12 , H01L29/417 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/0922 , H01L21/76256 , H01L21/823807 , H01L21/8252 , H01L21/8258 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L27/1207
Abstract: 形成于第一半导体晶体层上的第一沟道型的第一MISFET的第一源极和第一漏极以及形成于第二半导体晶体层上的第二沟道型的第二MISFET的第二源极和第二漏极由同一种导电物质构成，该导电物质的功函数ΦM满足式1及式2的至少之一的关系，(式1)(式2)且其中，表示N型半导体晶体层的电子亲和力、及Eg2表示P型半导体晶体层的电子亲和力及禁带宽度。
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公开(公告)号：CN103548133A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201280025380.3
申请日：2012-06-11
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/8238 , H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/762 , H01L27/08 , H01L27/092 , H01L27/095 , H01L27/12 , H01L29/417 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/0922 , H01L21/76256 , H01L21/823807 , H01L21/8252 , H01L21/8258 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L27/1207 , H01L21/76251
Abstract: 形成于第一半导体晶体层上的第一沟道型的第一MISFET的第一源极和第一漏极以及形成于第二半导体晶体层上的第二沟道型的第二MISFET的第二源极和第二漏极由同一种导电物质构成，该导电物质的功函数ΦM满足式1及式2的至少之一的关系，(式1)(式2)且其中，表示N型半导体晶体层的电子亲和力、及Eg2表示P型半导体晶体层的电子亲和力及禁带宽度。
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公开(公告)号：CN101978503A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980109236.6
申请日：2009-03-26
Applicant: 国立大学法人东京大学 , 住友化学株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/51 , H01L21/28264 , H01L29/20 , H01L29/66522 , H01L29/78 , H01L29/94
Abstract: 提供一种半导体-绝缘体界面的界面能级降低后的半导体基板及其制造方法以及半导体装置。提供的半导体基板具有：含砷的3至5族化合物的半导体层以及氧化物、氮化物或氮氧化物的绝缘层。其是在所述半导体层与所述绝缘层之间检测不出砷的氧化物的半导体基板。在该第一方案中，半导体基板可以是在以存在于所述半导体层与所述绝缘层之间的元素为对象的X射线光电子分光法的光电子强度分光观察中，在起因于砷的元素峰值的高结合能量侧检测不出起因于氧化的砷的氧化物峰值的半导体基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103367115A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310193940.2
申请日：2008-12-26
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/8258
CPC classification number: H01L21/8258 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02546 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/8252 , H01L29/66318
Abstract: 本发明使用廉价且散热性优异的Si基板，得到质量良好的GaAs系的结晶薄膜。本发明提供一种半导体基板，其具有：Si基板以及形成于基板上的、用于阻挡结晶生长的阻挡层，所述阻挡层具有：覆盖基板的一部分的覆盖区域和位于覆盖区域内部且不覆盖基板的开口区域，所述半导体基板还具有：在开口区域结晶生长的Ge层和在Ge层上结晶生长的功能层。在该半导体基板中，Ge层可以通过以结晶缺陷能够移动的温度及时间实施退火而形成。
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公开(公告)号：CN101897000A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200880119998.X
申请日：2008-12-26
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学
IPC: H01L21/20 , H01L21/331 , H01L29/737
CPC classification number: H01L21/8258 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/0245 , H01L21/02516 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L29/66242 , H01L29/66318 , H01L29/737 , H01L29/7786
Abstract: 本发明使用廉价而且散热性优良的Si基板，获得质量良好的GaAs系的结晶薄膜。本发明提供具有Si基板；在基板上结晶生长，且形成为孤立的岛状的Ge层；以及在Ge层上结晶生长的功能层的半导体基板。所述Ge层形成为岛状，所述岛状的大小不超过进行退火时在所述退火的温度及时间内结晶缺陷所移动的距离的2倍。所述Ge层形成为岛状，所述岛状的大小满足进行退火时在所述退火的温度下所述Ge层与所述Si基板之间的热膨胀系数的差异所产生的应力不会导致剥离发生的条件。
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公开(公告)号：CN103563069A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201280026103.4
申请日：2012-06-11
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/8238 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L27/08 , H01L27/092 , H01L29/417 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/092 , H01L21/02381 , H01L21/0254 , H01L21/823807 , H01L21/8252 , H01L21/8258 , H01L21/84 , H01L27/0605 , H01L27/1203 , H01L27/1207 , H01L29/78684
Abstract: 提供一种半导体器件，在Ge基板上形成的P沟道型MISFET的第一源极及第一漏极由以下化合物构成：Ge原子与镍原子的化合物；Ge原子与钴原子的化合物；或Ge原子、与镍原子和钴原子的化合物构成，在由III-V族化合物半导体构成的半导体晶体层上形成的N沟道型MISFET的第二源极及第二漏极由以下化合物构成：III族原子及V族原子、与镍原子的化合物；III族原子及V族原子、与钴原子的化合物；或III族原子及V族原子、与镍原子及钴原子的化合物构成。
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公开(公告)号：CN102239549B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN200980148632.X
申请日：2009-11-27
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所 , 独立行政法人物质·材料研究机构
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/94
CPC classification number: H01L29/045 , H01L29/20 , H01L29/7833 , H01L29/78681
Abstract: 本发明公开一种半导体装置，包含具有闪锌矿型的结晶结构的3-5族化合物半导体；与3-5族化合物半导体的(111)面、(111)面的等效的面，或，具有从(111)面或(111)面的等效的面倾斜的倾斜角的面接触的绝缘性材料；和与绝缘性材料接触且含有金属传导性材料的MIS型电极。
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公开(公告)号：CN101897004B
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN200880119996.0
申请日：2008-12-26
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学
IPC: H01L21/205 , H01L21/20 , H01L21/331 , H01L21/338 , H01L29/26 , H01L29/737 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L21/02516 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/0245 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L29/267 , H01L29/7371
Abstract: 本发明利用廉价且散热特性优良的Si基板来得到高质量的GaAs系的结晶薄膜。本发明提供一种半导体基板，其具有：单晶Si的基板；绝缘层，其形成在基板之上，并具有开口区域；Ge层，其外延生长在开口区域的基板上；以及GaAs层，其外延生长在Ge层上，其中，Ge层是通过将基板导入能够处于超高真空的减压状态的CVD反应室内，以能够热分解原料气体的第一温度来实施第一外延生长，以高于第一温度的第二温度来实施第二外延生长，以未达到Ge熔点的第三温度来对实施了第一和第二外延生长的外延层实施第一退火，以低于第三温度的第四温度来实施第二退火而形成的。
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