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公开(公告)号：CN112701151A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201911013564.8
申请日：2019-10-23
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/24 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/265
Abstract: 本公开提供一种SiC MOSFET器件的制造方法及SiC MOSFET器件。该方法包括：提供SiC外延片，在所述SiC外延片表面沉积生长掩膜层；刻蚀所述掩膜层，在所述掩膜层上形成第一刻蚀槽；再次刻蚀所述掩膜层，在所述第一刻蚀槽内形成第二刻蚀槽；通过第一刻蚀槽和第二刻蚀槽构成的离子注入窗口，注入第一高能离子，形成阶梯状形貌的阱区；注入第二高能离子，形成源区。本公开通过阶梯状形貌的离子注入窗口，来实现自对准工艺，可以非常精确的实现对沟道长度和位置的控制，工艺简单稳定。同时，形成阶梯状形貌的P阱区，扩展了两个P阱区之间的JFET区，增大了JFET区电流横向输出路径，进一步提升器件大电流密度输出能力。
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公开(公告)号：CN111223755A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201811406017.1
申请日：2018-11-23
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明属于半导体工艺技术领域，具体公开了一种电阻芯片的制造方法及光掩膜版。该方法包括步骤：提供半导体衬底；基于预选的刻蚀图案，逐个光刻每一个电阻芯片单元保护层上的掩膜层，以将预选的刻蚀图案逐个地转移至对应的掩膜层；以及基于光刻后的掩膜层对保护层进行刻蚀，以暴露电阻薄层，所暴露的电阻薄层区域具有预选的刻蚀图案，刻蚀图案的尺寸定义电阻芯片单元的实际电阻。本发明能够保障半导体器件电学性能参数的一致性，确保同一生产批次，以及不同生产批次的半导体器件，都能具有相同的电学性能参数。
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公开(公告)号：CN109664768A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201710953413.5
申请日：2017-10-13
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种过压斩波能耗均衡控制方法，包括：获取列车网络中所有动车的中间电压，计算得到电压均值；计算目标动车的中间电压与电压均值的差值，得到校准压差；其中目标动车为列车网络中任一动车；当列车网络满足调整条件，在原始斩波开通、关断门槛电压上均加上校准压差，得到调整后的斩波门槛电压。本发明中，考虑列车网络中所有的中间电压与目标动车的中间电压的差值，根据该差值调节斩波门槛电压，消除了采样过程中的中间电压误差，避免了因过压斩波不均衡而导致的制动电阻、功率元件烧损等问题，而且本方法适用于各种工况，控制方法实时性高，工程容易实现。本申请还公开了相应的过压斩波能耗均衡控制系统、装置及可读存储介质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112701151B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN201911013564.8
申请日：2019-10-23
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/24 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/265
Abstract: 本公开提供一种SiC MOSFET器件的制造方法及SiC MOSFET器件。该方法包括：提供SiC外延片，在所述SiC外延片表面沉积生长掩膜层；刻蚀所述掩膜层，在所述掩膜层上形成第一刻蚀槽；再次刻蚀所述掩膜层，在所述第一刻蚀槽内形成第二刻蚀槽；通过第一刻蚀槽和第二刻蚀槽构成的离子注入窗口，注入第一高能离子，形成阶梯状形貌的阱区；注入第二高能离子，形成源区。本公开通过阶梯状形貌的离子注入窗口，来实现自对准工艺，可以非常精确的实现对沟道长度和位置的控制，工艺简单稳定。同时，形成阶梯状形貌的P阱区，扩展了两个P阱区之间的JFET区，增大了JFET区电流横向输出路径，进一步提升器件大电流密度输出能力。
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公开(公告)号：CN109664768B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201710953413.5
申请日：2017-10-13
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种过压斩波能耗均衡控制方法，包括：获取列车网络中所有动车的中间电压，计算得到电压均值；计算目标动车的中间电压与电压均值的差值，得到校准压差；其中目标动车为列车网络中任一动车；当列车网络满足调整条件，在原始斩波开通、关断门槛电压上均加上校准压差，得到调整后的斩波门槛电压。本发明中，考虑列车网络中所有的中间电压与目标动车的中间电压的差值，根据该差值调节斩波门槛电压，消除了采样过程中的中间电压误差，避免了因过压斩波不均衡而导致的制动电阻、功率元件烧损等问题，而且本方法适用于各种工况，控制方法实时性高，工程容易实现。本申请还公开了相应的过压斩波能耗均衡控制系统、装置及可读存储介质。
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公开(公告)号：CN110957214A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201811121879.X
申请日：2018-09-26
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/308
Abstract: 本发明提供了一种沟槽及其蚀刻方法，上述沟槽形成在SiC衬底中，上述刻蚀方法包括：提供SiC材质衬底，在衬底表面形成硬掩膜层；在硬掩膜层表面形成光刻胶；图案化光刻胶，干法刻蚀硬掩膜层以在硬掩膜层上形成沟槽图案；以及去除光刻胶，经由硬掩膜层上的沟槽图案干法刻蚀衬底，以在衬底中形成沟槽；其中，采用特殊的刻蚀气体组合，化学腐蚀与物理轰击相结合的方法刻蚀SiC衬底材料，且刻蚀衬底所采用的组合气体的气体流量大于刻蚀硬掩膜层所采用的气体流量，刻蚀衬底所设定的射频源功率和偏压功率均大于刻蚀硬掩膜层所设定的射频源功率和偏压功率。根据本发明所提供的蚀刻方法所刻蚀的沟槽底部和顶角圆滑，侧壁陡直，能够满足后续器件的电学特性要求。
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公开(公告)号：CN111128717A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201811273390.4
申请日：2018-10-30
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/308 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅沟槽结构的制造方法，包括如下步骤，在碳化硅晶圆表面上生长第一刻蚀掩膜层；在碳化硅晶圆待制作沟槽区域的上方形成光刻胶；生长覆盖第一刻蚀掩膜层和光刻胶的第二刻蚀掩膜层；去除位于光刻胶上的部分第二刻蚀掩膜层和光刻胶，并形成第二刻蚀掩膜层的沟槽刻蚀窗口；利用带有沟槽刻蚀窗口的第二刻蚀掩膜层对第一刻蚀掩膜层进行刻蚀，形成第一刻蚀掩膜层的沟槽刻蚀窗口；分别以带有沟槽刻蚀窗口的第一、二刻蚀掩膜层为掩膜进行初步刻蚀和二次刻蚀，以形成目标沟槽。本发明实现了高深宽比、侧壁垂直且底部圆滑的碳化硅沟槽结构的制造，同时还实现了高速率刻蚀。
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公开(公告)号：CN110828398A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810895822.9
申请日：2018-08-08
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/427
Abstract: 本申请提供了用于功率半导体模块封装的一体化均热基板及其制造方法，该一体化均热基板包括均热板本体、均热板上板、绝缘陶瓷层和上覆金属层，其中，均热版主体包括金属槽，且均热板本体、均热板上板、绝缘陶瓷层和上覆金属层为一体化构造。通过本申请的一体化均热基板及其制造方法，克服了使用传统焊料层连接所带来的模块热阻较大、可靠性降低、工艺复杂的问题，同时由于该均热板主体包括金属槽，使得其具有较轻的重量，达到了低热阻、均热性好以及重量轻的效果。
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