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公开(公告)号：CN111385953A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811616746.X
申请日：2018-12-28
申请人： 核工业西南物理研究院 , 成都同创材料表面科技有限公司
摘要： 本发明属于离子束控制技术领域，具体涉及一种射频感应耦合线性离子源，包括离子源屏蔽外壳、射频耦合天线、用于传输射频功率并隔离放电室和天线室的电介质耦合窗、用于容纳放电等离子体的等离子体放电室侧壁、用于从等离子体放电室中抽取离子束的多栅极离子束引出系统、向放电室内提供初始电子和向离子束及基材中提供中和电子的射频中和器；它能在较大尺寸范围内产生高均匀性大面积窄长线状离子束流，适用于大面积基材的离子束清洗、刻蚀、薄膜沉积等工艺。
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公开(公告)号：CN109979794A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201711446538.5
申请日：2017-12-27
申请人： 核工业西南物理研究院 , 成都同创材料表面科技有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明属于低温等离子体技术领域，具体涉及一种射频感应耦合等离子体中和器。本发明包括用于容纳放电等离子体的等离子体放电腔、高压绝缘气路装置、射频耦合天线、用于收集离子和屏蔽射频容性耦合的阴极、屏蔽外壳和用于从等离子体放电腔中抽取电子束的阳极，该射频感应耦合等离子体中和器结构一方面可有效屏蔽射频耦合天线和放电等离子体间的容性耦合，降低射频容性耦合效应对等离子体放电腔内壁的溅射，减少放电等离子体中的杂质污染，同时也可有效减少射频感应耦合等离子体中和器陶瓷绝缘件上的污染，提高射频感应耦合等离子体中和器的寿命和稳定性，具有结构简单、无电极污染、引出电子束洁净、寿命长、工作稳定、束流强度及能量易控等优点。
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公开(公告)号：CN209676564U
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201822222482.1
申请日：2018-12-28
申请人： 核工业西南物理研究院 , 成都同创材料表面科技有限公司
摘要： 本实用新型属于离子束控制技术领域，具体涉及一种射频感应耦合线性离子源，包括离子源屏蔽外壳、射频耦合天线、用于传输射频功率并隔离放电室和天线室的电介质耦合窗、用于容纳放电等离子体的等离子体放电室侧壁、用于从等离子体放电室中抽取离子束的多栅极离子束引出系统、向放电室内提供初始电子和向离子束及基材中提供中和电子的射频中和器；它能在较大尺寸范围内产生高均匀性大面积窄长线状离子束流，适用于大面积基材的离子束清洗、刻蚀、薄膜沉积等工艺。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207993797U
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201721863054.6
申请日：2017-12-27
申请人： 核工业西南物理研究院 , 成都同创材料表面科技有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本实用新型属于低温等离子体技术领域，具体涉及一种射频感应耦合等离子体中和器。本实用新型包括用于容纳放电等离子体的等离子体放电腔、高压绝缘气路装置、射频耦合天线、用于收集离子和屏蔽射频容性耦合的阴极、屏蔽外壳和用于从等离子体放电腔中抽取电子束的阳极，该射频感应耦合等离子体中和器结构一方面可有效屏蔽射频耦合天线和放电等离子体间的容性耦合，降低射频容性耦合效应对等离子体放电腔内壁的溅射，减少放电等离子体中的杂质污染，同时也可有效减少射频感应耦合等离子体中和器陶瓷绝缘件上的污染，提高射频感应耦合等离子体中和器的寿命和稳定性，具有结构简单、无电极污染、引出电子束洁净、寿命长、工作稳定、束流强度及能量易控等优点。
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公开(公告)号：CN117542718A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311487217.5
申请日：2023-11-09
申请人： 核工业西南物理研究院
摘要： 本发明公开了一种用于等离子刻蚀的中性粒子束产生装置，包括放电仓和中性粒子束产生机构，放电仓外设有射频天线，射频天线连有脉冲射频电源，以使放电仓内形成等离子体；中性粒子束产生机构包括气路电极、引出产生栅极及偏压电源组，气路电极和引出产生栅极通过偏压电源组连接，并分别设于放电仓相对的两侧，以对等离子体中的负离子加速，使负离子通过引出产生栅极射出形成中性粒子束；引出产生栅极能够对负离子进行减速及中性化处理。其能够解决等离子刻蚀时会使基片表面产生损伤或缺陷的问题。
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公开(公告)号：CN114302546B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202111489702.7
申请日：2021-12-08
申请人： 核工业西南物理研究院
IPC分类号： H05H1/24
摘要： 本发明属于等离子体源技术领域，具体涉及一种高效率低污染等离子体源，包括同轴放置的阴极、水冷阳极和磁轭底座，以及设于磁轭底座中心处的内磁钢、套装在内磁钢外的内屏蔽、磁轭底座的外沿上方固定安装的外磁钢和外屏蔽；所述的磁轭底座位于阴极内；所述的水冷阳极与阴极绝缘连接；所述的内磁钢和外磁钢磁力方向相反；所述的阴极、水冷阳极之间连接放电电源A。等离子体源的内、外磁极处于悬浮电位或相对于工件或真空室地分别施加不同偏压的方式，通过设计放电通道，使其电势分布，因此可以降低和控制放电等离子体对壁自溅射，从而达到提高放电电流利用率和引出离子能量目的。
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公开(公告)号：CN114346767B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202111496449.8
申请日：2021-12-09
申请人： 核工业西南物理研究院
IPC分类号： B24B1/00 , H01J37/305 , H01J37/08
摘要： 本发明属于离子束加工技术领域，具体涉及一种高效率低损伤缺陷表面的离子束抛光设备和方法。设备包括离子束抛光设备腔室、离子源系统，工件安装在离子束抛光设备腔室；离子源系统与射频电源、偏压电源和引出电源连接；方法选用熔石英作为工件固定后，工件被加工面法向与离子束入射方向平行，封闭设备腔室并抽真空，通入工作气体，并将其激发电离，产生高密度等离子体，同时启动偏压电源和引出电压，利用交替引出的正、负离子构成的多组分离子束轰击工件表面。利用线性射频离子源，通过多维运动工件架使工件相对于离子源做扫描运动，实现大尺寸元件均匀一致抛光，提高离子束抛光控制精度，提升加工速率。
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公开(公告)号：CN116180187A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211411580.4
申请日：2022-11-11
申请人： 核工业西南物理研究院 , 中广核研究院有限公司
IPC分类号： C25D11/26
摘要： 本发明公开了一种微弧氧化电解液和反应堆锆合金表面涂层的制备方法，微弧氧化电解液包括溶剂和电解质，其中：溶剂的电导率为0～5μs/cm；电解质包括氢氧化锂和/或硼酸锂，氢氧化锂的浓度为3～10g/L，硼酸锂的浓度为3～10g/L；一种反应堆锆合金表面涂层的制备方法，包括：对反应堆锆合金表面进行预处理，使得反应堆锆合金表面的粗糙度Ra
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公开(公告)号：CN114288962A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111496907.8
申请日：2021-12-09
申请人： 核工业西南物理研究院
IPC分类号： B01J19/08
摘要： 本发明属于热等离子体应用技术领域，具体涉及一种热等离子体合成纳米氮化物粉体的装置及方法，该装置包括氮化物坩埚、金属物料投入口、氮化物蒸汽出口和直流电弧热等离子体炬，氮化物坩埚顶部设有金属物料投入口和氮化物蒸汽出口，氮化物坩埚的内腔与金属物料投入口和氮化物蒸汽出口连通，除金属物料投入口和氮化物蒸汽出口，氮化物坩埚的顶部为封闭式；氮化物坩埚的外周均匀设置有若干个直流电弧等离子体炬。本发明有效克服了现有氮化物粉体材料制备工艺的技术瓶颈，通过本发明方法合成的纳米氮化物粉体的平均粒度在200nm以下，形貌为球形或线形，具有合成效率高及生产成本低等特点。
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公开(公告)号：CN117684140A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311713739.2
申请日：2023-12-13
申请人： 核工业西南物理研究院
摘要： 本发明公开了一种多元纳米复合涂层制备设备，涉及低温等离子体技术领域，包括真空室；所述真空室内带有旋转工件架，所述真空室底部带有用于带动所述旋转工件架旋转的旋转电机；所述真空室顶部带有真空室盖，沿所述真空室盖的环向，所述真空室盖上带有若干磁控溅射靶和若干射频等离子体源，所述磁控溅射靶伸入所述真空室内，并向所述旋转工件架上的样品溅射金属粒子；所述射频等离子体源用于向所述旋转工件架上的样品发射活性粒子。采用本方案，可选择性的采用一个或若干个磁控溅射靶提供高纯金属粒子和等离子体源产生的高活性粒子，实现工件涂层沉积和清洗、反应沉积，实现多元不同组分复合涂层或多层梯度涂层制备，避免了高成本复合靶研制成本。
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