公开(公告)号：CN104229760A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201310262637.3

申请日：2013-06-18

申请人： 气体产品与化学公司

发明人： 修国华 ,  张鹏

IPC分类号： C01B21/22

摘要： 本发明旨在通过包括但不限于湿法涤气、吸附、液化、闪蒸或带有回流的连续蒸馏的单元操作的组合从含有N2O的气流回收和纯化一氧化二氮，以生产不同等级的一氧化二氮。

公开(公告)号：CN102122121A

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN201110030242.1

申请日：2005-03-18

申请人： 气体产品与化学公司

发明人： 张鹏 ,  D·M·K·库尔滋 ,  E·J·小卡瓦基 ,  L·C·巴伯

IPC分类号： G03F7/32 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  G03F7/42

摘要： 将含有一种或多种表面活性剂的处理溶液用于减少半导体器件制造过程中的缺陷数量。在某些实施方案中，当该处理溶液在图案化的光致显影剂层的显影过程中或之后用作冲洗液时，其可减少显影后的缺陷，例如图案损坏或线宽粗糙度。还公开了一种使用本发明的处理溶液，使涂覆了光致抗蚀剂的多个基底上的缺陷数量减少的方法，该缺陷例如为图案损坏和/或线宽粗糙度。

公开(公告)号：CN1699530B

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200510067628.4

申请日：2005-03-18

申请人： 气体产品与化学公司

发明人： 张鹏 ,  D·M·K·库尔滋 ,  E·J·小卡瓦基 ,  L·C·巴伯

IPC分类号： C11D1/26 ,  G03F7/42 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/32 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/091 ,  G03F7/16 ,  G03F7/168 ,  G03F7/3021 ,  G03F7/322 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  G03F7/425

摘要： 将含有一种或多种表面活性剂的处理溶液用于减少半导体器件制造过程中的缺陷数量。在某些实施方案中，当该处理溶液在图案化的光致显影剂层的显影过程中或之后用作冲洗液时，其可减少显影后的缺陷，例如图案损坏或线宽粗糙度。还公开了一种使用本发明的处理溶液，使涂覆了光致抗蚀剂的多个基底上的缺陷数量减少的方法，该缺陷例如为图案损坏和/或线宽粗糙度。

公开(公告)号：CN1648773A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200510054221.8

申请日：2005-01-21

申请人： 气体产品与化学公司

发明人： 张鹏 ,  B·M·布德赫拉尔 ,  G·E·帕里斯 ,  L·C·巴伯

IPC分类号： G03F7/004

CPC分类号： G03F7/2041

摘要： 本发明公开了可以添加到沉浸流体中的合适添加剂，包含选自水流体、非水流体和其混合物的至少一种载体介质的沉浸流体，和包含至少一种载体介质和至少一种添加剂的沉浸流体，该至少一种添加剂在140nm到365nm的工作波长下可用于进行沉浸式石印。

公开(公告)号：CN104229760B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310262637.3

申请日：2013-06-18

申请人： 气体产品与化学公司

发明人： 修国华 ,  张鹏

IPC分类号： C01B21/22

摘要： 本发明旨在通过包括但不限于湿法涤气、吸附、液化、闪蒸或带有回流的连续蒸馏的单元操作的组合从含有N2O的气流回收和纯化一氧化二氮，以生产不同等级的一氧化二氮。

公开(公告)号：CN100582935C

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200510054221.8

申请日：2005-01-21

申请人： 气体产品与化学公司

发明人： 张鹏 ,  B·M·布德赫拉尔 ,  G·E·帕里斯 ,  L·C·巴伯

IPC分类号： G03F7/004

CPC分类号： G03F7/2041

摘要： 本发明公开了可以添加到沉浸流体中的合适添加剂，包含选自水流体、非水流体和其混合物的至少一种载体介质的沉浸流体，和包含至少一种载体介质和至少一种添加剂的沉浸流体，该至少一种添加剂在140nm到365nm的工作波长下可用于进行沉浸式石印。

公开(公告)号：CN101430509A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200810178027.4

申请日：2005-01-21

申请人： 气体产品与化学公司

发明人： 张鹏 ,  B·M·布德赫拉尔 ,  G·E·帕里斯 ,  L·C·巴伯

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/00

CPC分类号： G03F7/2041

摘要： 本发明公开了沉浸式石印流体，以及可以添加到沉浸流体中的合适添加剂，包含选自水流体、非水流体和其混合物的至少一种载体介质的沉浸流体，和包含至少一种载体介质和至少一种添加剂的沉浸流体，该至少一种添加剂在140nm到365nm的工作波长下可用于进行沉浸式石印。

公开(公告)号：CN101063818A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200710100643.3

申请日：2007-02-25

申请人： 气体产品与化学公司

发明人： S·J·韦格尔 ,  张鹏 ,  T·A·布雷默 ,  G·E·帕里斯

IPC分类号： G03F7/16 ,  G03F7/075 ,  G03F7/00

CPC分类号： G03F7/0752 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041

摘要： 本发明提供一种表面涂层组合物，该表面涂层组合物包括由至少一种硅源的水解反应和缩合反应而制备的含硅聚合物、溶剂、任选的催化剂和任选的水，其中含硅聚合物在暴露到水性含碱溶液时，发生解聚反应。

公开(公告)号：CN1699530A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200510067628.4

申请日：2005-03-18

申请人： 气体产品与化学公司

发明人： 张鹏 ,  D·M·K·库尔滋 ,  E·J·小卡瓦基 ,  L·C·巴伯

IPC分类号： C11D1/26 ,  G03F7/42 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/32 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/091 ,  G03F7/16 ,  G03F7/168 ,  G03F7/3021 ,  G03F7/322 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  G03F7/425

摘要： 将含有一种或多种表面活性剂的处理溶液用于减少半导体器件制造过程中的缺陷数量。在某些实施方案中，当该处理溶液在图案化的光致显影剂层的显影过程中或之后用作冲洗液时，其可减少显影后的缺陷，例如图案损坏或线宽粗糙度。还公开了一种使用本发明的处理溶液，使涂覆了光致抗蚀剂的多个基底上的缺陷数量减少的方法，该缺陷例如为图案损坏和/或线宽粗糙度。

公开(公告)号：CN101430509B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN200810178027.4

申请日：2005-01-21

申请人： 气体产品与化学公司

发明人： 张鹏 ,  B·M·布德赫拉尔 ,  G·E·帕里斯 ,  L·C·巴伯

IPC分类号： G03F7/004

CPC分类号： G03F7/2041

摘要： 本发明公开了沉浸式石印流体，以及可以添加到沉浸流体中的合适添加剂，包含选自水流体、非水流体和其混合物的至少一种载体介质的沉浸流体，和包含至少一种载体介质和至少一种添加剂的沉浸流体，该至少一种添加剂在140nm到365nm的工作波长下可用于进行沉浸式石印。