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公开(公告)号：CN107946271B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201711120572.3
申请日：2017-11-14
Applicant: 汕头市骏码凯撒有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体封装用银合金线及其制造方法，银合金线包括：含0‑1％钯的银合金线主体；以及在银合金线主体上涂敷的一层包含纳米钯钌银合金和稳定剂的复合膜。稳定剂优选采用高分子聚乙烯吡咯烷酮，复合膜的厚度在11‑18纳米之间。纳米钯钌银合金中纳米颗粒中的钌、钯、银的原子比为1：1：2，纳米钯钌银合金中钯、钌、银可以采用液体还原法还原钯盐、钌盐和银盐获得，其中含有钯、钌、银的纳米颗粒的大小在2‑15nm之间。本发明提供了一种低电阻率、低硬度、高可靠性的银合金线，能够在高端封装领域取代金线，并降低封装成本。
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公开(公告)号：CN109411591B
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201811071469.9
申请日：2018-09-14
Applicant: 汕头市骏码凯撒有限公司
Abstract: 本发明公开了一种LED封装用银合金线及其制作方法，LED封装用银合金线包括银合金键合丝、包覆在银合金键合丝外的第一混合层以及包覆在所述第一混合层外的第二混合层，所述第一混合层按重量计钯含量大于50％，其余为高熔点金属；所述第二混合层按重量计高熔点金属含量大于50％，其余为钯。本发明的银合金线由于高熔点金属在钯中有一定的溶解性，而正是这种溶解使得钯在烧球过程中向银球内扩散的过程受到了制约，从而促使钯和高熔点金属都均匀地分布于自由空气球的表面。另一方面，由于钯和高熔点金属的密度都高于银，所以使得钯和高熔点金属会优先富集在自由空气球的底部，从而可以延缓铝垫上的铝向自由空气球扩散，从而提高产品的可靠性。
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公开(公告)号：CN109411437A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811071478.8
申请日：2018-09-14
Applicant: 汕头市骏码凯撒有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有表面复合膜的银合金线及其制作方法，包括银合金键合丝和包覆在所述银合金键合丝外的复合钯膜，所述银合金键合丝按重量计含有0.8％-1.2％的铟；所述复合钯膜由纳米钯颗粒和高分子聚乙烯吡咯烷酮组成。本发明通过向银合金键合丝中加入0.8％-1.2％的铟，这样在烧球过程中，由于铟会向自由空气球表面富集而不能扩散到铝层内，在球焊后富集于银铝界面的铟能有效地阻止铝向银主体的扩散，使得IMC的形成速率下降，可靠性提升。而且复合钯膜由纳米钯颗粒和高分子聚乙烯吡咯烷酮组成，因此本发明的银合金线的导电性比常规在银合金键合丝外镀3-4％钯的银合金线的高，且硬度会大幅度下降。
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公开(公告)号：CN105161476B
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201510347022.X
申请日：2015-06-19
Applicant: 汕头市骏码凯撒有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于细间距IC封装的键合铜丝，该键合铜丝由纯度为4N以上且主体氧含量≤5ppm（重量）的铜制成，该键合铜丝的晶体大小呈正态分布，晶体平均粒径为1.6－1.8微米。优选键合铜丝内的孪晶密度小于35%。本发明还提供上述用于细间距IC封装的键合铜丝的制造方法。本发明的键合铜丝硬度极低，并且球焊时得到的变形球的真圆度高，可靠性高，适合于芯片细间距封装的需要。
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公开(公告)号：CN107946271A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711120572.3
申请日：2017-11-14
Applicant: 汕头市骏码凯撒有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体封装用银合金线及其制造方法，银合金线包括：含0-1％钯的银合金线主体；以及在银合金线主体上涂敷的一层包含纳米钯钌银合金和稳定剂的复合膜。稳定剂优选采用高分子聚乙烯吡咯烷酮，复合膜的厚度在11-18纳米之间。纳米钯钌银合金中纳米颗粒中的钌、钯、银的原子比为1：1：2，纳米钯钌银合金中钯、钌、银可以采用液体还原法还原钯盐、钌盐和银盐获得，其中含有钯、钌、银的纳米颗粒的大小在2-15nm之间。本发明提供了一种低电阻率、低硬度、高可靠性的银合金线，能够在高端封装领域取代金线，并降低封装成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105296789B
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201510785736.9
申请日：2015-11-13
Applicant: 汕头市骏码凯撒有限公司
CPC classification number: H01L2224/43 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2924/00011 , H01L2924/01046 , H01L2924/01079 , H01L2924/0102 , H01L2924/01026 , H01L2924/01029 , H01L2924/01014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01049 , H01L2924/01004 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755
Abstract: 本发明提供一种用于BBOS、BSOB打线方式的高可靠性银合金键合丝及其制造方法，该线材中含有重量比为2‑4.0％的Pd、6.5‑11％的Au、85％‑90％的Ag，还含有浓度在5‑55ppm之间、用以改进线材机械性能的Ca、Fe、Cu、Si等添加元素中的一种或多种的组合；存在长轴晶区并且其位于以线材中心轴线为对称线，半径为1/3R‑1/2R范围内的圆柱体内。长轴晶的面积比率占60％以上。线材在制造过程中在0.0633～0.0384mm时进行一次中间退火，退火温度为500～610℃，退火速率为80～120m/min；最后退火温度为450～550℃，退火速率为90～130m/min；退火过程中的张力设定保持在0.2～0.7g之间。
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公开(公告)号：CN104073676B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410336644.8
申请日：2014-07-15
Applicant: 汕头市骏码凯撒有限公司
CPC classification number: H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/48463 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2924/00011 , H01L2924/01001 , H01L2924/01046 , H01L2924/01007 , H01L2924/01204 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/0102 , H01L2924/01039 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01012 , H01L2924/01083 , H01L2924/01026 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/01049 , H01L2924/00012 , H01L2924/01005
Abstract: 本发明提供了一种半导体用键合银合金丝及其制造方法，通过向含钯的银质线材中引入一定量的氢气，并结合合金技术和伸线技术来改善银合金线的材料性能，提升线材抗硫化、氧化能力，提高在N2气氛下的球焊时的结合面积和结合强度，从而提高线材的导电能力和可靠性。
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公开(公告)号：CN104073676A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410336644.8
申请日：2014-07-15
Applicant: 汕头市骏码凯撒有限公司
CPC classification number: H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/48463 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2924/00011 , H01L2924/01001 , H01L2924/01046 , H01L2924/01007 , H01L2924/01204 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/0102 , H01L2924/01039 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01012 , H01L2924/01083 , H01L2924/01026 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/01049 , H01L2924/00012 , H01L2924/01005
Abstract: 本发明提供了一种半导体用键合银合金丝及其制造方法，通过向含钯的银质线材中引入一定量的氢气，并结合合金技术和伸线技术来改善银合金线的材料性能，提升线材抗硫化、氧化能力，提高在N2气氛下的球焊时的结合面积和结合强度，从而提高线材的导电能力和可靠性。
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公开(公告)号：CN109411591A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811071469.9
申请日：2018-09-14
Applicant: 汕头市骏码凯撒有限公司
Abstract: 本发明公开了一种LED封装用银合金线及其制作方法，LED封装用银合金线包括银合金键合丝、包覆在银合金键合丝外的第一混合层以及包覆在所述第一混合层外的第二混合层，所述第一混合层按重量计钯含量大于50％，其余为高熔点金属；所述第二混合层按重量计高熔点金属含量大于50％，其余为钯。本发明的银合金线由于高熔点金属在钯中有一定的溶解性，而正是这种溶解使得钯在烧球过程中向银球内扩散的过程受到了制约，从而促使钯和高熔点金属都均匀地分布于自由空气球的表面。另一方面，由于钯和高熔点金属的密度都高于银，所以使得钯和高熔点金属会优先富集在自由空气球的底部，从而可以延缓铝垫上的铝向自由空气球扩散，从而提高产品的可靠性。
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公开(公告)号：CN107978577A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201711170734.4
申请日：2017-11-22
Applicant: 汕头市骏码凯撒有限公司
Abstract: 一种低阻抗、高可靠性的复合钯钌铜线，其特征在于包括芯线、包覆在芯线外面的钯层以及包覆在钯层外面的钯钌复合膜；所述芯线为纯铜线；所述钯钌复合膜主要由纳米钯钌合金和高分子稳定剂组成，其中高分子稳定剂为聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇、聚乙烯亚胺和聚丙烯酸中的一种；所述钯层的厚度为0-15纳米，所述钯钌复合膜的厚度为11-18纳米。本发明还提供上述复合钯钌铜线的一种制造方法。本发明的复合钯钌铜线可用于半导体封装，具有低阻抗、高可靠性的优点。
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