公开(公告)号：CN103155130B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201180049000.5

申请日：2011-11-01

申请人： 田中电子工业株式会社

发明人： 千叶淳 ,  手岛聪 ,  小林佑 ,  安德优希

IPC分类号： H01L21/60 ,  C22C5/06

CPC分类号： C22C5/06 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/431 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01062 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/01205 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/00013

摘要： 本发明的目的是提高用于在高温和高湿度环境中使用的半导体的接合线键合至铝焊点的可靠性。解决方式是一种用于半导体装置的Ag-Au-Pd三元合金接合线，所述接合线由4-10质量％的具有99.999质量％以上的纯度的金，2-5质量％的具有99.99质量％以上的纯度的钯和剩余质量％的具有99.999质量％以上的纯度的银制成。这种用于半导体的接合线包含15-70重量ppm的氧化性非贵金属元素，并且在通过模具连续拉伸之前经过热退火，且在通过模具连续拉伸之后经过热回火，并且这种接合线在氮氛中进行球焊。在铝焊点与线之间的界面处的Ag2Al金属间化合物层与Ag-Au-Pd三元合金线之间的腐蚀由Au2Al和富Pb层抑制。

公开(公告)号：CN102422404B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201080019191.6

申请日：2010-07-16

申请人： 新日铁住金高新材料株式会社 ,  日铁住金新材料股份有限公司

发明人： 寺岛晋一 ,  宇野智裕 ,  山田隆 ,  小田大造

IPC分类号： H01L21/60 ,  C22C5/02 ,  C22C5/04 ,  C22C5/06

CPC分类号： C22C5/04 ,  C22C5/02 ,  C22C5/06 ,  C22C9/00 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4516 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/4851 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2224/85564 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/20654 ,  H01L2924/20652 ,  H01L2924/20655 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01033

摘要： 本发明提供即使对于镀钯的引线框也能够确保良好的楔接合性、耐氧化性优异的以铜或铜合金为芯线的半导体用接合线。该半导体用接合线的特征在于，具有由铜或铜合金构成的芯线、在该芯线的表面的具有10～200nm的厚度的含有钯的被覆层和在该被覆层的表面的具有1～80nm的厚度的含有贵金属和钯的合金层，所述贵金属为银或金，所述合金层中的所述贵金属的浓度为10体积％～75体积％。

公开(公告)号：CN101689519B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN200880024022.4

申请日：2008-12-02

申请人： 新日铁住金高新材料株式会社 ,  日铁住金新材料股份有限公司

发明人： 宇野智裕 ,  木村圭一 ,  山田隆

IPC分类号： H01L21/60 ,  C22C5/02 ,  C22C5/04 ,  C22C5/06 ,  C22C9/00

CPC分类号： C22C5/04 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/30 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/302 ,  C22C5/02 ,  C22C5/06 ,  C22C9/00 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/45673 ,  H01L2224/45676 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4851 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/851 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/859 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3861 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/20652 ,  H01L2924/20656 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2224/45655 ,  H01L2224/45657 ,  H01L2224/45671 ,  H01L2224/45666 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/20658 ,  H01L2924/20654 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01006

摘要： 本发明涉及半导体装置用接合引线。本发明的目的在于提供引线的表面性状、环路的直线性、环路高度的稳定性、引线的接合形状的稳定化优良也适用于细线化、窄间距化、长跨度化、三维安装等的半导体安装技术的高性能的接合引线。作为具有包括导电性金属的芯材、和在该芯材上以与芯材不相同的面心立方晶格的金属为主要成分的表皮层的半导体装置用接合引线，特征为：所述表皮层的表面中的长度方向的晶体取向 中， 所占的比例为50％以上。

公开(公告)号：CN102800602A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201210167092.3

申请日：2012-05-23

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 关原真彦 ,  古川正树

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/85 ,  B23K20/007 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/495 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/4383 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/781 ,  H01L2224/78268 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/8503 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01001

摘要： 本发明涉及一种制造半导体器件的方法。更具体而言，提供了如下一种技术，该技术在使用易于氧化的传导接线形成初始焊球和将初始焊球按压在焊盘上以形成经按压键合的焊球中，抑制初始焊球具有形状缺陷，从而减少对焊盘的损伤。为了实现该目的，焊球形成单元装配有用于排出抗氧化剂气体的气体出口部分，并且在与引入抗氧化剂气体进入焊球形成部分的方向不同的方向上放置通过该气体出口部分的排出路径。这种结构加宽了用于排出抗氧化剂气体的区域，从而使得可以防止从焊球形成部分的一侧表面的侧部供应的气流被与该一侧表面相对的另一侧表面反射，并且因而可以防止形成湍流。

公开(公告)号：CN101897012B

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN200880120041.7

申请日：2008-10-07

申请人： 株式会社新川 ,  国立大学法人东北大学

发明人： 前田徹 ,  歌野哲弥 ,  寺本章伸

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/85 ,  B23K20/007 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/781 ,  H01L2224/78268 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/7865 ,  H01L2224/78744 ,  H01L2224/85009 ,  H01L2224/85013 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/00

摘要： 在焊接装置(10)中，包括：内部保持惰性气体气氛的室(12)；第一等离子枪(20)，安装在室(12)中，将等离子化气体照射置于室(12)内的衬底(41)和半导体芯片(42)，进行焊接点和电极的表面处理；第二等离子枪(30)，安装在室(12)中，将等离子化气体照射位于室(12)内的毛细管(17)前端的初始球(19)或引线(18)，进行初始球(19)或引线(18)的表面处理；焊接处理部(100)，在室(12)内将经表面处理的初始球(19)、引线(18)焊接在经表面处理的焊接点及电极上。由此，有效地进行电极、焊接点及引线双方的表面清洁。

公开(公告)号：CN1497661A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN200310100025.0

申请日：2003-10-08

申请人： 先进科技新加坡有限公司

发明人： 黄任武 ,  关家胜 ,  段荣 ,  芮照伢

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/495 ,  H05K3/00 ,  H05K13/00

CPC分类号： H01L24/78 ,  B23K20/005 ,  B23K20/14 ,  B23K2101/40 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/78268 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/78703 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00015

摘要： 本发明提供一种防止电子器件在加热时氧化的装置和方法，如半导体引线框。该装置包括所述器件被加热的区域，和提供相对的惰性气体到所述区域的进气部件。特别地，该装置包含一个多孔的分配部件，惰性气体从进气部件经过分配部件到达所述区域，用以防止电子器件在该区域氧化。

公开(公告)号：CN107041160B

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201580002609.5

申请日：2015-06-05

申请人： 日铁住金新材料股份有限公司 ,  新日铁住金高新材料株式会社

发明人： 小田大造 ,  江藤基稀 ,  山田隆 ,  榛原照男 ,  大石良 ,  宇野智裕 ,  小山田哲哉

IPC分类号： H01L21/60 ,  C22C9/00 ,  C22F1/08

CPC分类号： H01L24/45 ,  C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/43125 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45005 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45109 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45609 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85054 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/8509 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1576 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20656 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01033

摘要： 本发明提供一种适合车载用装置的接合线，其是在表面具有Pd被覆层的Cu接合线，改善了高温高湿环境下的球接合部的接合可靠性。一种半导体装置用接合线，具有Cu合金芯材、和在所述Cu合金芯材的表面形成的Pd被覆层，该接合线包含0.011～1.2质量％的In，Pd被覆层的厚度为0.015～0.150μm。因此，能够提高高温高湿环境下的球接合部的接合寿命并改善接合可靠性。当Cu合金芯材含有分别为0.05～1.2质量％的Pt、Pd、Rh、Ni中的1种以上时，能够提高在175℃以上的高温环境下的球接合部可靠性。另外，当在Pd被覆层的表面进一步形成Au表皮层时，楔接合性改善。

公开(公告)号：CN105023902B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201510431505.8

申请日：2010-07-16

申请人： 新日铁住金高新材料株式会社 ,  日铁住金新材料股份有限公司

发明人： 寺岛晋一 ,  宇野智裕 ,  山田隆 ,  小田大造

IPC分类号： H01L23/49 ,  H01L21/60 ,  C22C5/02

CPC分类号： C22C5/04 ,  C22C5/02 ,  C22C5/06 ,  C22C9/00 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4516 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/4851 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2224/85564 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/20654 ,  H01L2924/20652 ,  H01L2924/20655 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01033

摘要： 本发明提供即使对于镀钯的引线框也能够确保良好的楔接合性、耐氧化性优异的以铜或铜合金为芯线的半导体用接合线。根据一个实施方式的半导体用接合线，其特征在于，具有：由铜或铜合金构成的芯线；形成于该芯线的表面的具有10～200nm的厚度的含有钯的被覆层；和形成于该被覆层的表面的具有1～80nm的厚度的含有金和钯的合金层，所述合金层中的金的浓度为10体积％～75体积％，在测定接合线表面的结晶取向所得到的测定结果中，相对于拉丝方向的倾斜为15度以下的结晶取向 的晶粒的面积比为40％～100％。

公开(公告)号：CN101971314B

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN200980108276.9

申请日：2009-06-08

申请人： 库力索法工业公司

发明人： 加里·S·吉洛蒂 ,  斯坦利·什切希利亚克 ,  彼得·J·范·艾默里奇

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/85 ,  B23K20/007 ,  B23K2101/42 ,  H01L24/45 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/78268 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/78703 ,  H01L2224/85043 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015

摘要： 提供了一种引线接合机。该引线接合机包括接合工具和电极，电极用于在穿过接合工具延伸的引线的端部上形成无空气球，这里，该无空气球形成在引线接合机的无空气球形成区。该引线接合机还包括接合位置区，接合位置区用于在引线接合操作过程中保持半导体器件。该引线接合机还包括输气机构，输气机构被设置成将保护气体提供至：(1)接合位置区，由此保护气体穿过输气机构的至少一个孔眼喷射到接合位置区；以及(2)无空气球形成区。

公开(公告)号：CN102013406B

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201010250558.7

申请日：2010-08-10

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 黄凯麟 ,  杜嘉秦

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/603

CPC分类号： B23K20/007 ,  B23K2101/42 ,  H01L24/45 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3025

摘要： 本发明公开一种打线机台及适用于打线机台的遮蔽气体供应装置。该打线机台包括一主体、一夹块、一固定块、一气体供应管、一遮蔽气体供应装置、一毛细工具以及一电极。夹块具有一限定于其中的腔室以及一形成于夹块的一侧壁且连通腔室的中心孔。固定块具有一向上延伸以固定于主体上的定位构件以及一向下延伸至夹块的腔室的电极夹持构件。遮蔽气体供应装置具有限定于其中的一连续气体通道以及一孔洞。保护气体流入一稳定流场中，其环绕于遮蔽气体供应装置的连续气体通道的孔洞区域内，以使结球形成与结球接合过程中具有较佳的结球形成。