-
公开(公告)号：CN105390532A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510712168.X
申请日：2015-10-28
申请人： 大连理工大学 , 江苏新广联科技股份有限公司
CPC分类号： H01L29/0684 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/2003
摘要： 本发明提供一种带有InGaN插入层的非故意掺杂高阻GaN薄膜及其制备方法，本发明带有InGaN插入层的非故意掺杂高阻GaN薄膜包括自下而上依次设置的衬底、低温GaN成核层、GaN缓冲层、退火重构的InGaN插入层和高阻GaN层。本发明是通过引入InGaN插入层并高温退火，在不降低GaN生长压力并保证薄膜较高晶体质量的情况下，引入适量的刃位错，而少量增加螺位错，利用刃位错诱导反应室中的碳受主并入GaN薄膜，进而补偿背景电子，实现高阻GaN薄膜。
-
公开(公告)号：CN104979446A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510274602.0
申请日：2015-05-26
申请人： 江苏新广联科技股份有限公司 , 大连理工大学
摘要： 本发明提供一种SiC衬底GaN基紫外LED外延片、SiC衬底GaN基紫外LED器件及制备方法，SiC衬底GaN基紫外LED外延片包括自下而上设置的n型SiC衬底、缓冲层、导电的布拉格反射镜层(DBR)、n-AlxGa1-xN层、紫外发光多量子阱层和p-GaN层，所述X选自0-1，n型SiC衬底厚度小于等于100微米。本发明还公开了一种采用所述SiC衬底GaN基紫外LED外延片制备而成的器件。本发明所述外延片和器件利用导电的布拉格反射镜层将量子阱向衬底方向发射的光反射回表面方向，同时利用其导电特性，在解决SiC材料对紫外光吸收同时，也实现了外延片和器件的垂直电流输运、高光提取效率及高散热能力。
-
公开(公告)号：CN115911173A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211439666.8
申请日：2022-11-17
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： H01L31/115 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0312 , H01L31/18
摘要： 本发明属于半导体器件制备技术领域，公开了一种基于激光石墨化技术的新型碳化硅器件及制备方法，包括高阻碳化硅单晶片、二氧化硅保护层、金属电极、连接电极和引线电极；金属电极位于高阻碳化硅单晶片内部；二氧化硅保护层围绕金属电极周围布置，覆盖在非金属电极所在区域的高阻碳化硅单晶片的上表面，保证高阻碳化硅单晶片和金属电极在同一平面；连接电极位于金属电极上，保证连接电极与二氧化硅保护层在同一平面；引线电极位于连接电极和二氧化硅保护层上表面。本发明设计了一种新型碳化硅器件，并提出了一种有效而简便的工艺制造技术，解决了碳化硅基高能粒子与射线探测器的制备和性能难题，实现新型碳化硅辐射探测器的研制。
-
公开(公告)号：CN113514434B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202110441540.3
申请日：2021-04-23
申请人： 大连理工大学
摘要： 一种基于GaN基HEMT驱动LED发光的生物物质检测方法，在AlGaN/GaNHEMT和GaN基LED集成阵列结构的AlGaN/GaN HEMT的敏感区域进行生物识别物固化形成AlGaN/GaN HEMT生物传感器和GaN基LED集成阵列结构，施加5V‑10V的工作电压，AlGaN/GaN HEMT生物传感器驱动GaN基LED发光。本发明的检测方法具有高通量、高密度集成、并行快速检测特性。由于采用生物传感器驱动GaN基LED发光，生物传感器上固化的生物识别物质不需要携带荧光物质，简化了生物传感器固化生物识别物质的制备过程。在光信号采集过程中不需要提供额外的光源照射，简化了光信号采集系统。
-
公开(公告)号：CN112420759A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011243957.0
申请日：2020-11-10
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/374
摘要： 本发明涉及CMOS图像传感器技术领域，提供一种基于仿生视觉的CMOS图像传感器像素结构，包括：彩色信号收集单元、黑白信号收集单元、第三转移晶体管TG3、复位晶体管RST、源极跟随器SF和行选择晶体管RS；所述黑白信号收集单元，包括：第一钳位光电二极管PPD1、第一转移晶体管TG1和第一浮置扩散电容FD1；所述彩色信号收集单元，包括：第二钳位光电二极管PPD2、第二转移晶体管TG2和第二浮置扩散电容FD2。本发明能够在同一CMOS图像传感器中分别获得高灵敏度的黑白图像信号和彩色图像信号。
-
公开(公告)号：CN106876466B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201710072915.7
申请日：2017-02-16
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
摘要： 本发明属于半导体器件制备技术领域，提供了一种氧化镓基金属‑氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法。以半绝缘氧化镓单晶为基体，其表面依次为非掺杂氧化镓层、锡层和图形化锡层；未被图形化锡层覆盖的锡层表面为氧化物介质层，氧化物介质层与图形化锡层间形成开口，开口数量是成对的，开口区域小于图形化锡层区域；开口区域的表面依次为钛层和金层，分别作为源电极和漏电极；氧化物介质层表面依次为钛层和金层，作为栅电极。本发明提出了一种有效而简便的工艺制造技术，解决了高性能氧化镓基金属‑氧化物半导体场效应晶体管的制备难题，实现新型氧化镓基金属‑氧化物半导体场效应晶体管的研制。
-
公开(公告)号：CN103489967B
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201310399590.5
申请日：2013-09-05
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明涉及半导体材料制备领域，公开了一种氧化镓外延膜的制备方法及氧化镓外延膜，采用三甲基镓或三乙基镓作为镓源，以气态含氧物质作为氧源，以含氢的化合物作为辅助反应气体，进而制备氧化镓外延膜。本发明使用MOCVD系统且通过调节生长参数、加入辅助反应物和优化后续处理方法来制备氧化镓外延膜，该方法能够让有机源充分反应，且反应产物可以完全脱离，避免了碳及其相关化合物的再次沉积对氧化镓膜表面造成的污染；经本方法制备的氧化镓外延膜性能优异，符合未来工业化量产的需求。
-
公开(公告)号：CN103258930B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310167524.5
申请日：2013-05-09
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明涉及一种LED发光结构，尤其是一种GaN LED外延片结构及制备方法。一种GaN LED外延片结构及制备方法，包括GaN LED外延片结构层，和采用pGaN六角微米柱层（106）作为p型导电层的表面。与传统的平坦表面的LED相比，使用了pGaN六角微米棒技术的LED更高效，由全内反射造成的光损失最小。同时带有pGaN六角微米棒技术的LED性能稳定，电学性能和老化性能同传统平表面LED几乎没有区别。此外，带有pGaN六角微米棒技术的LED与传统平表面LED在制作成本上面也并没有提高。本发明简单紧凑，工艺简单，耐腐蚀，提高了LED器件的发光效率。
-
公开(公告)号：CN103469173A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310414275.5
申请日：2013-09-12
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： C23C16/40
摘要： 本发明提供一种空穴导电特性氧化镓膜的制备方法及空穴导电特性氧化镓膜，空穴导电特性氧化镓膜的制备方法包括以下步骤：将衬底置于密封反应室内的生长托盘上，加热托盘到高于氧化镓膜预期生长温度10-200℃，对衬底进行热处理；将托盘温度降到预定生长温度后，在预设压强范围内继续对反应室抽气；向反应室内通入镓源、氧源和掺杂源，实现氧化镓膜的外延生长；当氧化镓膜生长过程结束后，对氧化镓膜进行原位热处理或直接将氧化镓膜缓慢降温取样或取样后再进行热处理，得到空穴导电特性氧化镓膜。本发明步骤科学、合理，克服了现有技术的诸多问题，提供了一种有效的受主掺杂途径，能制备具有不同空穴浓度的氧化镓膜。
-
公开(公告)号：CN101236906A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810010103.0
申请日：2008-01-13
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： H01L21/477
摘要： 一种氮掺杂的ZnO的受主激活方法，属于半导体材料领域，特别涉及一种采用射频等离子体金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术作为氮掺杂ZnO后期退火技术。本发明的目的克服氮掺杂p型ZnO难以获得的缺点，提供一种利用射频等离子体退火技术，将氮掺杂的ZnO在氮的氧化物等离子体进行高温退火，从而获得高效稳定的p型ZnO掺杂方法。由于在气氛中形成高激活性的氮与氧，可以防止氮掺杂的ZnO中的氮逸出，同时也防止了ZnO中氧的脱附，又同时进行了氮掺杂ZnO中氮受主的激活，从而实现了p型ZnO的制备，进而可以制备出ZnO的pn结发光二极管器件。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
72 条记录 (耗时 0.063 秒)
