一种真空环境下自动切换透光玻璃机构及工作方法

    公开(公告)号:CN115513078A

    公开(公告)日:2022-12-23

    申请号:CN202110691084.8

    申请日:2021-06-22

    IPC分类号: H01L21/66

    摘要: 本发明公开了一种真空环境下自动切换透光玻璃机构,包括密封腔、光路、玻璃圆盘和旋转机构;所述光路和所述玻璃圆盘均布设在所述密封腔中;所述光路轴向的一端连接真空腔体,所述光路轴向的另一端连接测光部;所述玻璃圆盘的盘面中心固定连接所述旋转机构;所述玻璃圆盘的盘面上布设有多个透光工位,所述多个透光工位绕盘面中心呈圆周状且间隔布置,所述多个透光工位均靠近所述玻璃转盘的外边缘布置;通过所述旋转机构带动所述玻璃圆盘旋转,所述光路中的光束依次穿过多个透光工位;通过在玻璃圆盘上设置多个个让光路穿过的透光工位,避免了由于透光性衰减带来光强信号偏差性,提高采集到的光强信号准确性。

    一种机械手臂装置及其使用方法、基片处理系统

    公开(公告)号:CN114378787A

    公开(公告)日:2022-04-22

    申请号:CN202011129932.8

    申请日:2020-10-21

    IPC分类号: B25J5/04 B25J18/00

    摘要: 本发明提出了一种机械手臂装置及其使用方法、基片处理系统,该机械手臂装置位于一用于放置基片的传输真空腔室内,包括由上到下依次平行设置的手臂本体、升降导轨和磁耦式无杆气缸;磁耦式无杆气缸固定于传输真空腔室且连接竖直设置的导向杆,所有导向杆均套设于固定块上;固定块朝向通孔的一侧连接手臂本体;导向杆位于升降导轨的外侧;升降导轨的一端套设于一支撑杆,另一端与一升降气缸的气缸杆连接;升降导轨位于传输真空腔室外;固定块的底面固定一连接杆,连接杆的下端固定一滚动轮;滚动轮与升降导轨接触。本发明可实现取片和放片工序,避免了顶针提升机构对基片造成的摩擦,且运行平稳,降低了基片的损坏率。

    一种具有终点检测功能的离子束刻蚀系统

    公开(公告)号:CN114373665A

    公开(公告)日:2022-04-19

    申请号:CN202111585443.8

    申请日:2021-12-22

    摘要: 本发明公开了一种具有终点检测功能的离子束刻蚀系统,离子束刻蚀系统包括载台和聚焦环;载台包括晶圆承载面、厂务连接板和载台座,聚焦环包括固定部、环体和台阶部,环体通过固定部固定于载台上,台阶部下表面与环体外径相连,台阶部上表面高于晶圆上表面;终点检测装置包括信号收集探头、信号传输线和信号处理器;信号收集探头的采集端放置在台阶部的孔内,信号收集探头的数据输出端与信号传输线连接,信号收集探头对临近晶圆处的实时光谱信号进行实时采集,并将采集结果经由信号传输线发送至信号处理器,信号处理器根据实时光谱信号计算得到相应的产物基团浓度。本发明能够提高终点检测信号强度、稳定性和重复性,并且不会影响腔室内真空。

    一种等离子腔体清洗组件、等离子体处理系统及清洗方法

    公开(公告)号:CN115513021A

    公开(公告)日:2022-12-23

    申请号:CN202110630132.2

    申请日:2021-06-07

    IPC分类号: H01J37/32 B08B7/00 B08B9/08

    摘要: 本发明属于刻蚀工艺技术领域,具体涉及一种等离子腔体清洗组件、等离子体处理系统及清洗方法,其中:等离子腔体清洗组件包括第一金属电极组、第二金属电极组以及绝缘介质层,第一金属电极组与第二金属电极组相对设置,绝缘介质层设置于第一金属电极组与第二金属电极组之间;等离子腔体清洗组件用于清洗经过刻蚀或镀膜工艺后在腔室内衬内壁上堆积的沉积物。具有等离子腔体清洗组件的等离子体处理系统,向等离子腔体清洗组件引入射频功率,从而使得等离子气体直接撞击在腔室侧壁进行清洗;一种等离子体处理系统的清洗方法,有效去除腔室侧壁上的沉积,从而减少设备的维护时间和成本,提高设备的工艺稳定性和重复性。

    用于半导体真空设备的防护窗及半导体真空设备

    公开(公告)号:CN116469742A

    公开(公告)日:2023-07-21

    申请号:CN202210026128.X

    申请日:2022-01-11

    IPC分类号: H01J37/18

    摘要: 本发明公开了一种用于半导体真空设备的防护窗及半导体真空设备,半导体真空设备包括:真空腔体,真空腔体上设有抽气口;分子泵,分子泵安装在抽气口处用于抽出真空腔室内的气流;开关阀,开关阀设在分子泵和抽气口之间以打开或者关闭抽气口;防护窗,防护窗设在抽气口处且位于开关阀的朝向真空腔体的一侧,防护窗包括边框和多个叶片,边框的形状和抽气口的形状一致,多个叶片以边框中心为中心沿径向向外均匀间隔开布置,在垂直于防护窗所在平面的轴向截面上每个叶片的两个边呈预定角度α,在径向上相邻的两个叶片之间设有与预定角度相对应的预定重叠区a。根据本发明的实施例的防护窗,可以保证抽气速度,防止刻蚀产物或溅射物进入分子泵内。

    一种具有自清理功能的静电颗粒收集系统和方法

    公开(公告)号:CN115692260A

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202211260074.X

    申请日:2022-10-14

    IPC分类号: H01L21/67 B03C3/04 B03C3/80

    摘要: 本发明提出了一种具有自清理功能的静电颗粒收集系统和方法,包括中压闸阀、静电吸附网、氮气管路、静电发生器、压力计、真空发生器和控制器;静电吸附网水平安装在腔室本体和APC阀之间的通道内,腔室本体临近静电吸附网的底部上安装有中压闸阀,中压闸阀用于根据控制器的控制指令切换腔室本体和通道之间的连通状态;静电发生器与静电吸附网连接,为静电吸附网提供不同等级的静电电压;压力计安装在通道内,用于实时检测通道内的气压值,将检测到的气压值反馈给控制器;真空发生器和氮气管路分别连通至通道。本发明能够有效消除悬浮颗粒,有效提高芯片品质,就提高芯片生产的良率,给芯片生产企业带来更大的利润。

    一种可控制多进气管路组合进气装置及刻蚀方法

    公开(公告)号:CN115206824A

    公开(公告)日:2022-10-18

    申请号:CN202110381259.5

    申请日:2021-04-09

    摘要: 本发明公开了一种可控制多进气管路组合进气装置及刻蚀方法,进气管路设置于真空腔室之上,包括总进气机构、分流进气机构和上腔盖;上腔盖盖合于真空腔室之上,且上腔盖上设有多个分支进气口,利用上腔室不同位置进气,从而使腔室内部不同位置气体浓度不同,通过控制气体在腔室不同位置的浓度,来控制射频启用时气体在腔室内被高频电场电离产生的等离子体浓度不同,产生的等离子体与晶圆表面刻蚀层物质发生反应进行刻蚀或等离子体之间生成某种物质沉积在晶圆表面,通过控制腔室不同位置气体浓度及生成等离子体浓度不同,从而控制晶圆各位置在腔室内刻蚀或沉积镀膜速度不同,达到控制调节刻蚀与镀膜的均匀性。

    一种托液装置
    8.
    实用新型

    公开(公告)号:CN216646395U

    公开(公告)日:2022-05-31

    申请号:CN202121869948.2

    申请日:2021-08-10

    IPC分类号: G01N33/00

    摘要: 本实用新型公开一种托液装置,包括装置本体和托臂,所述托臂安装于所述装置本体,所述托臂设有凹陷部,用于对扫描液滴进行承接。采用这种方案,本实用新型所提供托液装置的托臂设置有凹陷部,可以对扫描液滴进行承接,能够较大程度地避免扫描液滴的掉落;这样,当该托液装置配合气相分解金属沾污收集系统中的其他部件进行使用时,可以较好地完成对待测试样边缘部的扫描取样,使得对于待测试样的边缘部的采样检测成为可能。