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公开(公告)号：CN102893189A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201180023430.X
申请日：2011-04-08
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： G02B6/12
CPC分类号： G02B6/124 , G02B6/12007 , G02B6/1347
摘要： 描述了可擦除的离子注入的光耦合器。在一个示例中，一种方法包括：将离子注入衬底，以在光器件的波导中形成光栅，该光栅将光信号耦合进出该波导并通过光栅；以及在通过波导耦合光信号之后，对衬底退火以去除光栅。
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公开(公告)号：CN104321849A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201380027000.4
申请日：2013-04-16
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： G02B6/1347 , G02B6/12 , G02B2006/12061 , G02F1/025 , G02F2201/063 , G02F2201/15 , G02F2202/06 , G02F2202/105
摘要： 一种用于制造光调制器的方法包括：形成n型层，所述n型层的一部分上的第一氧化物部、以及所述n型层的第二部分上的第二氧化物部；在所述第一氧化物部、所述n型层的平面表面的部分、以及所述第二氧化物部的部分之上图案化第一掩蔽层；在所述n型层中注入p型掺杂剂以形成第一p型区和第二p型区；去除所述第一掩蔽层；在所述第一氧化物部、所述第一p型区的一部分、以及所述n型层的一部分之上图案化第二掩蔽层；以及在所述n型层的暴露部、所述第一p型区的暴露部、以及被设置在所述衬底与所述第二氧化物部之间的所述n型层和所述第二p型区的区域中注入p型掺杂剂。
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公开(公告)号：CN1264032C
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN01821401.0
申请日：2001-12-21
申请人： 离子射线服务公司
CPC分类号： G02F1/011 , G02B6/122 , G02B6/1347 , G02B6/30 , G02B2006/1208 , G02B2006/121 , G02B2006/12142 , G02F1/0147 , G02F2001/0113 , H01S5/204 , H01S5/223 , H01S5/50
摘要： 本发明涉及一光有源装置，所述装置包括在光衬底(11，15，20)上的一光波导通道芯及一控制元件(32-33，37，40)。所述芯有一通道(12，17，25，31，35-36，38-39)和至少一个与通道相连的激活层(13，18，22)，所述通道的折射指数及激活层的折射指数大于衬底的折射率。所述光衬底(11，15，20)中的活动离子浓度小于0.01%。有利地是，它还包括沉积在激活层(13，18，22)上的一覆盖层(14，19，23)，所述覆盖层的指数低于激活层及通道(12，17，25，31，35-36，38-39)的指数。
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公开(公告)号：CN1238766C
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN02809717.3
申请日：2002-07-19
申请人： JSR株式会社
CPC分类号： G02B6/13 , G02B6/122 , G02B6/1221 , G02B6/1347 , G02B6/138 , G02B2006/12097 , G02B2006/121 , G03F7/0045 , G03F7/0755 , G03F7/0757
摘要： 本发明的正型辐射敏感性组合物含有下述(A)～(C)成分：(A)由以下述通式(1)(R1)pSi(X)4-p表示的水解性硅烷化合物、其水解物及其缩合物组成的组中选出的至少一种化合物，式中，R1是碳数1～12的非水解性的有机基团，X是水解性基团，及p是0～3的整数；(B)光酸发生剂；(C)碱性化合物。通过采用本发明的组合物，可得图形精度等优越的固化物。本发明的组合物可用作形成光波导路的材料。
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公开(公告)号：CN1685254A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN03822565.4
申请日：2003-07-03
申请人： 英特尔公司
发明人： 安德斯·格鲁那特-杰普森 , 艾伦·约翰逊 , 约翰·斯威策
IPC分类号： G02B6/12
CPC分类号： G02B6/124 , G02B6/12007 , G02B6/1228 , G02B6/125 , G02B6/132 , G02B6/134 , G02B6/1347 , G02B6/136 , G02B2006/12078 , G02B2006/12176
摘要： 在单个平面光波线路平台(750)中制造多个布拉格光栅(712、714、716、718、720)。这些光栅具有名义上相等的光栅间距，但是具有不同的中心波长，这些光栅是使用受控的照相平版印刷术工艺和/或受控的掺杂处理而制造出来的，用以控制光栅的有效折射率。这些光栅相互之间的距离可以小于用来刻写所述光栅的UV光图案的高度。
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公开(公告)号：CN1483151A
公开(公告)日：2004-03-17
申请号：CN01821401.0
申请日：2001-12-21
申请人： 离子射线服务公司
CPC分类号： G02F1/011 , G02B6/122 , G02B6/1347 , G02B6/30 , G02B2006/1208 , G02B2006/121 , G02B2006/12142 , G02F1/0147 , G02F2001/0113 , H01S5/204 , H01S5/223 , H01S5/50
摘要： 本发明涉及一光有源装置，所述装置包括在光衬底(11，15，20)上的一光波导通道芯及一控制元件(32－33，37，40)。所述芯有一通道(12，17，25，31，35－36，38－39)和至少一个与通道相连的激活层(13，18，22)，所述通道的折射指数及激活层的折射指数大于衬底的折射率。所述光衬底(11，15，20)中的活动离子浓度小于0.01％。有利地是，它还包括沉积在激活层(13，18，22)上的一覆盖层(14，19，23)，所述覆盖层的指数低于激活层及通道(12，17，25，31，35－36，38－39)的指数。
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公开(公告)号：CN109477936A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780042757.9
申请日：2017-07-13
申请人： 洛克利光子有限公司
IPC分类号： G02B6/12 , G02B6/43 , G02B6/13 , G02B6/122 , H01L21/762 , H01S5/026 , H01L25/16 , H01S5/343 , G02B6/132 , G02B6/134 , H01L27/12 , G02B6/42 , G02B6/136
CPC分类号： G02B6/12 , G02B6/12004 , G02B6/1223 , G02B6/131 , G02B6/132 , G02B6/1347 , G02B6/136 , G02B6/42 , G02B2006/12038 , G02B2006/12061 , G02B2006/12097 , G02B2006/121 , G02B2006/12147 , G02B2006/12152 , G02B2006/12176 , G02B2006/12178 , G02B2006/12195 , H01L21/76224 , H01L21/7624 , H01L21/76264 , H01L21/823821 , H01L21/8258 , H01S5/021 , H01S5/0216
摘要： 一种用于使用具有CMOS线和光子线的制造系统制造集成结构的方法，包括以下步骤：在所述光子线中，在硅晶片中制造第一光子部件；将所述晶片从所述光子线转移到所述CMOS线；以及在所述CMOS线中，在所述硅晶片中制造CMOS部件。另外，一种单片集成结构包括其中形成有波导和CMOS部件的硅晶片，其中所述波导结构包括远离所述硅晶片的上表面而延伸的隆脊。还提供一种单片集成结构，所述单片集成结构具有形成于其中的光子部件和CMOS部件，所述光子部件包括宽度为0.5μm至13μm的波导。
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公开(公告)号：CN104321849B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201380027000.4
申请日：2013-04-16
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： G02B6/1347 , G02B6/12 , G02B2006/12061 , G02F1/025 , G02F2201/063 , G02F2201/15 , G02F2202/06 , G02F2202/105
摘要： 一种用于制造光调制器的方法包括：形成n型层，所述n型层的一部分上的第一氧化物部、以及所述n型层的第二部分上的第二氧化物部；在所述第一氧化物部、所述n型层的平面表面的部分、以及所述第二氧化物部的部分之上图案化第一掩蔽层；在所述n型层中注入p型掺杂剂以形成第一p型区和第二p型区；去除所述第一掩蔽层；在所述第一氧化物部、所述第一p型区的一部分、以及所述n型层的一部分之上图案化第二掩蔽层；以及在所述n型层的暴露部、所述第一p型区的暴露部、以及被设置在所述衬底与所述第二氧化物部之间的所述n型层和所述第二p型区的区域中注入p型掺杂剂。
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公开(公告)号：CN1486440A
公开(公告)日：2004-03-31
申请号：CN01822152.1
申请日：2001-12-14
申请人： 离子射线服务公司
发明人： 斯特凡·迪塞兰 , 劳郎·鲁克斯 , 弗兰克·托雷格罗萨 , 弗郎索瓦·弗劳里 , 路德维克·埃斯库巴斯 , 埃曼努埃尔·德鲁阿德
IPC分类号： G02B6/134
CPC分类号： G02B6/122 , G02B6/1347 , G02B2006/121
摘要： 本发明展现一种波导，其中有在光学衬底11上面的一个通道12，通道12的折射率大于衬底的折射率，在这个波导中至少还有一个在通道上安排的波导层13，波导层13的折射率也大于衬底的折射率，而且通道12是集成在衬底11上的。通常，这个波导中还有一层在波导层13上沉积的覆盖层14，这个覆盖层的折射率小于波导层的折射率和通道的折射率。本发明还在于一种制造这种波导的方法。
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公开(公告)号：CN107408589A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680004837.0
申请日：2016-01-05
申请人： 纽约州立大学研究基金会
IPC分类号： H01L31/0232 , H01L31/028 , G02B6/12 , G02B6/13 , G02B6/132 , G02B6/134 , G02B6/136 , H01L27/146
CPC分类号： G02B6/13 , G02B6/12002 , G02B6/132 , G02B6/1347 , G02B6/136 , G02B6/43 , G02B2006/121 , G02B2006/12104 , G02B2006/12123 , G02B2006/12169 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02505 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/2033 , H01L21/2053 , H01L27/14625 , H01L27/14629 , H01L31/022408 , H01L31/0232 , H01L31/02327 , H01L31/028 , H01L31/105 , H01L31/1808 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , G02B6/131
摘要： 光子器件结构在一个方面可包括通过将适于传播光能的波导材料图案化形成的一个或多个波导。这种波导材料可包括硅(单晶硅、多晶硅、或非晶线硅)和氮化硅的一种或多种。
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