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    高掷数RF开关
    1.
    发明公开
    高掷数RF开关 有权

    公开(公告)号：CN108781079A

    公开(公告)日：2018-11-09

    申请号：CN201680083387.9

    申请日：2016-12-15

    申请人： 派赛公司

    发明人： 埃里克·S·夏皮罗 ,  佩曼·尚贾尼

    IPC分类号： H03K17/693 ,  H04B1/04 ,  H04B1/48

    CPC分类号： H03K17/693 ,  H03K17/62 ,  H03K17/76 ,  H03K2017/066 ,  H04B1/0458 ,  H04B1/48 ,  H04B2001/485

    摘要： 一种基于高掷数多极FET的RF开关架构，其在插入损耗、返回损耗、隔离、线性度和功率处理方面提供了良好的RF性能。公共端口RFC沿公共路径耦接到多个端口RFn。实施方式引入了由状态相关逻辑控制的另外的公共RF路径分支隔离开关。分支隔离开关帮助将未使用的分支端口RFn和公共路径的未使用部分与公共路径的起作用的部分相隔离，并由此降低了可归因于这样的分支的电抗性负载，该电抗性负载使“较靠近”公共端口RFC的端口RFn的RF性能降级。还可以使用分支隔离开关来针对多路复用功能而重新配置开关架构以及出于可重新配置性目的、调谐或改变开关掷数和封装选项而重新配置单独的开关路径组。

    开关FET体电流管理装置和方法
    4.
    发明公开
    开关FET体电流管理装置和方法 审中-公开

    公开(公告)号：CN116134731A

    公开(公告)日：2023-05-16

    申请号：CN202180062403.7

    申请日：2021-07-28

    申请人： 派赛公司

    发明人： 阿尔佩尔·根茨 ,  埃里克·S·夏皮罗

    IPC分类号： H03K17/693

    摘要： 公开了减少RF开关堆叠中的栅极感应漏极泄漏电流的方法和设备。描述的设备利用多个放电路径和/或负得少的体偏置电压，而不损害功率开关的非线性性能和功率处理能力。此外，具有较小空间量的更紧凑的偏置电压产生电路可以被实现为所公开的设备的一部分。

    用于RF FET开关堆叠的栅极电阻器旁路
    6.
    发明公开
    用于RF FET开关堆叠的栅极电阻器旁路 审中-实审

    公开(公告)号：CN117795854A

    公开(公告)日：2024-03-29

    申请号：CN202280055401.X

    申请日：2022-06-22

    申请人： 派赛公司

    发明人： 阿尔佩尔·根茨 ,  弗莱明·拉姆 ,  埃里克·S·夏皮罗 ,  拉文德拉纳特·什里瓦斯塔瓦

    IPC分类号： H03K17/16

    摘要： 一种用于FET开关的堆叠布置的公共栅极电阻器旁路布置，该布置包括跨公共栅极电阻器的nMOS晶体管和pMOS晶体管的串联组合。在FET开关的堆叠布置的转变状态的至少转变部分期间，nMOS晶体管和pMOS晶体管都处于导通状态并且旁路公共栅极电阻器。另一方面，在FET开关的堆叠布置的导通稳定状态和关断稳定状态的至少稳定状态部分期间，nMOS晶体管和pMOS晶体管中的一个晶体管处于关断状态，并且nMOS晶体管和pMOS晶体管中的另一个晶体管处于导通状态，因此不旁路公共栅极电阻器。

    高掷数RF开关
    8.
    发明授权
    高掷数RF开关 有权

    公开(公告)号：CN108781079B

    公开(公告)日：2022-04-05

    申请号：CN201680083387.9

    申请日：2016-12-15

    申请人： 派赛公司

    发明人： 埃里克·S·夏皮罗 ,  佩曼·尚贾尼

    IPC分类号： H03K17/693 ,  H04B1/04 ,  H04B1/48

    摘要： 一种基于高掷数多极FET的RF开关架构，其在插入损耗、返回损耗、隔离、线性度和功率处理方面提供了良好的RF性能。公共端口RFC沿公共路径耦接到多个端口RFn。实施方式引入了由状态相关逻辑控制的另外的公共RF路径分支隔离开关。分支隔离开关帮助将未使用的分支端口RFn和公共路径的未使用部分与公共路径的起作用的部分相隔离，并由此降低了可归因于这样的分支的电抗性负载，该电抗性负载使“较靠近”公共端口RFC的端口RFn的RF性能降级。还可以使用分支隔离开关来针对多路复用功能而重新配置开关架构以及出于可重新配置性目的、调谐或改变开关掷数和封装选项而重新配置单独的开关路径组。

    具有电荷控制元件的RF开关堆叠
    9.
    发明公开
    具有电荷控制元件的RF开关堆叠 审中-实审

    公开(公告)号：CN113810034A

    公开(公告)日：2021-12-17

    申请号：CN202110662394.7

    申请日：2021-06-15

    申请人： 派赛公司

    发明人： 埃里克·S·夏皮罗 ,  西蒙·爱德华·威拉德

    IPC分类号： H03K17/687

    摘要： 本发明涉及具有电荷控制元件的RF开关堆叠。公开了解决关断状态下跨开关堆叠的不期望DC电压分布的方法和设备。所公开的设备包括电荷控制元件，该电荷控制元件对RF信号进行采样以在开关堆叠偏置电路的特定点处生成叠加电压。所提供的电压通过供应由堆叠晶体管的漏极/源极端子汲取的电流以及/或者通过吸收离开这样的晶体管的体端子的体泄漏电流，来帮助减少堆叠内的晶体管的漏极/源极/体端子上的下降电压。还公开了教导如何在偏置电路中提供合适的分接点以对RF信号进行采样的方法和技术。