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公开(公告)号：CN113206120A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110488819.7
申请日：2021-04-30
Applicant: 深圳先进技术研究院 , 深圳市卓茂科技有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L31/032 , H01L31/08 , H01L31/18 , A61B6/00 , G01T1/20 , G01T1/202
Abstract: 本发明提供了一种多光谱型X射线探测器及其制备方法，该X射线探测器包括：信号采集基底，与光电转换单元电连接，用于采集光电转换单元的电信号；光电转换单元，设置于信号采集基底上，用于对闪烁体层转换出的荧光进行光电转换；闪烁体层，设置于光电转换单元上，用于将接收到的X射线转换为荧光并发射至光电转换单元；其中，所述光电转换单元中的光吸收层为铜铟镓硒光吸收层；所述闪烁体层中设置有接收X射线的入光面和发射荧光的出光面，所述出光面连接至所述光电转换单元，所述入光面为与出光面相交的侧面。本发明的多光谱型X射线探测器具有高灵敏度和高能谱分辨率的优良特性。
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公开(公告)号：CN113206120B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202110488819.7
申请日：2021-04-30
Applicant: 深圳先进技术研究院 , 深圳市卓茂科技有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L31/032 , H01L31/08 , H01L31/18 , A61B6/00 , G01T1/20 , G01T1/202
Abstract: 本发明提供了一种多光谱型X射线探测器及其制备方法，该X射线探测器包括：信号采集基底，与光电转换单元电连接，用于采集光电转换单元的电信号；光电转换单元，设置于信号采集基底上，用于对闪烁体层转换出的荧光进行光电转换；闪烁体层，设置于光电转换单元上，用于将接收到的X射线转换为荧光并发射至光电转换单元；其中，所述光电转换单元中的光吸收层为铜铟镓硒光吸收层；所述闪烁体层中设置有接收X射线的入光面和发射荧光的出光面，所述出光面连接至所述光电转换单元，所述入光面为与出光面相交的侧面。本发明的多光谱型X射线探测器具有高灵敏度和高能谱分辨率的优良特性。
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公开(公告)号：CN113036000A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110203322.6
申请日：2021-02-24
Applicant: 深圳先进技术研究院
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/101
Abstract: 本发明提供的宽波段近红外探测器，包括依次层叠设置、钼背电极、CCZTSe吸收层、CdS缓冲层及窗口层，所述CCZTSe吸收层底部掺杂有NaF或KF或LiF或RbF或CsF；和/或；所述CCZTSe吸收层中间掺杂NaF或KF或LiF或RbF或CsF；和/或；所述CCZTSe吸收层上表面蒸镀有NaF或KF或LiF或RbF或CsF，由于在CCZTSe吸收层不同部位同时蒸镀一定量NaF或KF或LiF或RbF或CsF，由于NaF或KF或LiF或RbF或CsF可以促进吸收层晶粒尺寸增大，减少缺陷及晶界，提高探测器效率。另外，本发明还提供了宽波段近红外探测器的制备方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112909125B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202110120601.6
申请日：2021-01-28
Applicant: 深圳先进技术研究院
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/072
Abstract: 本发明提供了一种光吸收层和近红外探测器的制备方法、太阳能电池，该光吸收层的制备方法包括：以下步骤：提供一衬底，在底上制备底电极；将衬底置于真空镀膜设备中，以Cu、Zn、Cd、Sn和Se为蒸镀材料同时蒸镀，在底电极上制备得到前驱体；将衬底进行第一次退火，然后使用抛光液进行抛光，再利用刻蚀液对前驱体进行刻蚀，最后再进行第二次退火，得到光吸收层。本发明的光吸收层的制备方法，通过对前驱体进行第一次退火、抛光、刻蚀和第二次退火，这样可使后续的CdS缓冲层更好的覆盖在前驱体表面，在一定程度上减少漏电流通道引起的载流子复合以及p‑n结之间的缺陷，进一步降低探测器的暗电流，提高探测器效率。
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公开(公告)号：CN113675299A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110959636.9
申请日：2021-08-19
Applicant: 深圳先进技术研究院 , 中国科学院深圳理工大学(筹)
IPC: H01L31/18 , H01L31/032
Abstract: 本发明提供了一种含锡的多元化合物光吸收层的制备方法，其包括：制备获得含锡的多元化合物光吸收层的前驱体材料层；使用脉冲激光对所述前驱体材料层进行激光热退火处理以使所述前驱体材料层发生重结晶，制备获得所述含锡的多元化合物光吸收层。本发明还公开了一种光电器件的制备方法，其中，所述光电器件中的光吸收层采用如上所述的含锡的多元化合物光吸收层的制备方法制备形成。本发明的技术方案，在含锡的多元化合物光吸收层的制备工艺中，引入了脉冲激光热处理工艺，利用脉冲激光热处理提高样品薄膜的瞬态温度，减少化合物薄膜材料在高温退火过程中的组分流失，特别是锡的流失，由此提高制备获得的光吸收层的品质。
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公开(公告)号：CN113571600B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202110748254.1
申请日：2021-07-01
Applicant: 深圳先进技术研究院
IPC: H01L31/18 , H01L31/115 , H01L31/0352
Abstract: 本发明提供的短波红外探测器的制备方法，包括下述步骤：在基底上制备底电极，在所述底电极上制备吸收层，在所述吸收层上制备缓冲层，在所述缓冲层上制备窗口层，其中，在所述吸收层上制备缓冲层，具体包括：将分散于有机溶液中的量子点溶液，滴在所述吸收层上，并进行旋涂后加热至100‑150摄氏度退火2‑3min，得到所述缓冲层，本申请提供的短波红外探测器的制备方法，通过量子点旋涂制备缓冲层，获得与前驱体、高阻层晶格更匹配的缓冲层，形成更优异的P‑N结，降低器件的暗电流，提高量子效率，获得性能更好的短波红外探测器。另外，本发明还提供了一种短波红外探测器。
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公开(公告)号：CN113571600A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110748254.1
申请日：2021-07-01
Applicant: 深圳先进技术研究院
IPC: H01L31/18 , H01L31/115 , H01L31/0352
Abstract: 本发明提供的短波红外探测器的制备方法，包括下述步骤：在基底上制备底电极，在所述底电极上制备吸收层，在所述吸收层上制备缓冲层，在所述缓冲层上制备窗口层，其中，在所述吸收层上制备缓冲层，具体包括：将分散于有机溶液中的量子点溶液，滴在所述吸收层上，并进行旋涂后加热至100‑150摄氏度退火2‑3min，得到所述缓冲层，本申请提供的短波红外探测器的制备方法，通过量子点旋涂制备缓冲层，获得与前驱体、高阻层晶格更匹配的缓冲层，形成更优异的P‑N结，降低器件的暗电流，提高量子效率，获得性能更好的短波红外探测器。另外，本发明还提供了一种短波红外探测器。
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公开(公告)号：CN112909125A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110120601.6
申请日：2021-01-28
Applicant: 深圳先进技术研究院
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/072
Abstract: 本发明提供了一种光吸收层和近红外探测器的制备方法、太阳能电池，该光吸收层的制备方法包括：以下步骤：提供一衬底，在底上制备底电极；将衬底置于真空镀膜设备中，以Cu、Zn、Cd、Sn和Se为蒸镀材料同时蒸镀，在底电极上制备得到前驱体；将衬底进行第一次退火，然后使用抛光液进行抛光，再利用刻蚀液对前驱体进行刻蚀，最后再进行第二次退火，得到光吸收层。本发明的光吸收层的制备方法，通过对前驱体进行第一次退火、抛光、刻蚀和第二次退火，这样可使后续的CdS缓冲层更好的覆盖在前驱体表面，在一定程度上减少漏电流通道引起的载流子复合以及p‑n结之间的缺陷，进一步降低探测器的暗电流，提高探测器效率。
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