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公开(公告)号：CN113206120A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110488819.7
申请日：2021-04-30
Applicant: 深圳先进技术研究院 , 深圳市卓茂科技有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L31/032 , H01L31/08 , H01L31/18 , A61B6/00 , G01T1/20 , G01T1/202
Abstract: 本发明提供了一种多光谱型X射线探测器及其制备方法，该X射线探测器包括：信号采集基底，与光电转换单元电连接，用于采集光电转换单元的电信号；光电转换单元，设置于信号采集基底上，用于对闪烁体层转换出的荧光进行光电转换；闪烁体层，设置于光电转换单元上，用于将接收到的X射线转换为荧光并发射至光电转换单元；其中，所述光电转换单元中的光吸收层为铜铟镓硒光吸收层；所述闪烁体层中设置有接收X射线的入光面和发射荧光的出光面，所述出光面连接至所述光电转换单元，所述入光面为与出光面相交的侧面。本发明的多光谱型X射线探测器具有高灵敏度和高能谱分辨率的优良特性。
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公开(公告)号：CN113206120B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202110488819.7
申请日：2021-04-30
Applicant: 深圳先进技术研究院 , 深圳市卓茂科技有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L31/032 , H01L31/08 , H01L31/18 , A61B6/00 , G01T1/20 , G01T1/202
Abstract: 本发明提供了一种多光谱型X射线探测器及其制备方法，该X射线探测器包括：信号采集基底，与光电转换单元电连接，用于采集光电转换单元的电信号；光电转换单元，设置于信号采集基底上，用于对闪烁体层转换出的荧光进行光电转换；闪烁体层，设置于光电转换单元上，用于将接收到的X射线转换为荧光并发射至光电转换单元；其中，所述光电转换单元中的光吸收层为铜铟镓硒光吸收层；所述闪烁体层中设置有接收X射线的入光面和发射荧光的出光面，所述出光面连接至所述光电转换单元，所述入光面为与出光面相交的侧面。本发明的多光谱型X射线探测器具有高灵敏度和高能谱分辨率的优良特性。
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公开(公告)号：CN117913159B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410314952.4
申请日：2024-03-19
Applicant: 深圳先进技术研究院
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0749 , H01L31/0445 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于柔性铜铟镓硒的薄膜太阳能电池及其制备方法，该薄膜太阳能电池由下至上依次包括柔性衬底、背电极层、光吸收层、缓冲层、窗口层和透明导电层；其中，光吸收层为铜铟镓硒吸收层；透明导电层为银‑氧化石墨烯复合导电层；透明导电层的制备方法包括以下步骤：将透明导电层的前驱体分散液旋涂于窗口层的表面，固化后得到透明导电层；前驱体分散液的组分包括纳米银、氧化石墨烯、粘结剂、表面活性剂和水。本发明将掺杂了氧化石墨烯的银浆分散液制备薄膜太阳能电池的透明导电层，通过调整分散液的组分及含量调控透明导电层的性能，进而提升薄膜太阳能电池的光电性能。
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公开(公告)号：CN118213417A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410264810.1
申请日：2024-03-08
Applicant: 深圳先进技术研究院
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/032
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，本发明提供了一种CIGS太阳能电池栅电极、CIGS太阳能电池及其制备方法。本发明提供的CIGS太阳能电池栅电极的制备方法，利用丝网印刷法固化得到二维材料层(如氧化石墨烯层)，再固化得到导电银浆层，二维材料层(如氧化石墨烯层)作为导电银浆层与窗口层的界面层，从而可以避免银浆从多晶的晶界面处渗入直接与背电极Mo接触造成电池短路的问题；利用丝网印刷两步法制备栅电极，可以降低电阻，提升太阳能电池的开路电压和短路电流，并进一步提高载流子的收集能力以及填充因子FF值；且丝网印刷法制备栅电极成本低廉、工艺简单、制作周期短、节省原料。
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公开(公告)号：CN118166321A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410264811.6
申请日：2024-03-08
Applicant: 深圳先进技术研究院
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明涉及靶材生产加工技术领域。本发明提供了一种铜铟镓硒四元靶材的绑定工艺。本发明提供的铜铟镓硒四元靶材的绑定工艺，通过使用低熔点铟锡合金和高熔点铟双层材料对铜背板和四元材料靶材CIGS进行绑定，有效避免在加热过程中高熔点金属产生的残余应力对靶材造成的影响，大大提高了靶材绑定过程中的稳定性和准确性，有效消除了在使用过程中靶材开裂的可能性；同时避免了低熔点金属在溅射过程中出现熔化的问题，对靶材的使用造成不良的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117913159A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410314952.4
申请日：2024-03-19
Applicant: 深圳先进技术研究院
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0749 , H01L31/0445 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于柔性铜铟镓硒的薄膜太阳能电池及其制备方法，该薄膜太阳能电池由下至上依次包括柔性衬底、背电极层、光吸收层、缓冲层、窗口层和透明导电层；其中，光吸收层为铜铟镓硒吸收层；透明导电层为银‑氧化石墨烯复合导电层；透明导电层的制备方法包括以下步骤：将透明导电层的前驱体分散液旋涂于窗口层的表面，固化后得到透明导电层；前驱体分散液的组分包括纳米银、氧化石墨烯、粘结剂、表面活性剂和水。本发明将掺杂了氧化石墨烯的银浆分散液制备薄膜太阳能电池的透明导电层，通过调整分散液的组分及含量调控透明导电层的性能，进而提升薄膜太阳能电池的光电性能。
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公开(公告)号：CN117855033A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311695089.3
申请日：2023-12-11
Applicant: 深圳先进技术研究院
IPC: H01L21/268 , H01L21/683
Abstract: 本申请提供的晶圆微纳加工中临时键合胶的激光解键合方法，采用激光解键合法剥离临时键合胶，具有无接触、损伤小、效率高等优点，且衬底可以回收重复利用，不仅克服机械剥离、热滑移剥离、化学剥离等方法的缺点，还可以降低超薄晶圆的加工成本、提高良品率。
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公开(公告)号：CN117646181A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311553174.6
申请日：2023-11-17
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院 , 深圳市纳设智能装备股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体封装用二氧化硅薄膜及其制备方法，包括：提供一衬底；将衬底置于中频磁控溅射腔室内，向溅射腔室内通入溅射气体和反应气体；其中，溅射腔室内安装硅靶作为溅射靶，溅射气体为氩气，流量为350～400sccm，反应气体为氧气，流量为35～45sccm，腔室内气压为0.2～2.0Pa，溅射腔室内反应温度为150～160℃，中频的功率为5～7KW。本发明采用中频磁控溅射法制备二氧化硅薄膜，该方法具有操作简便、沉积速率快、对基板材料限制较少的优点，同时采用该制备方法得到的二氧化硅薄膜无需后处理，普适性强，同时得到的二氧化硅薄膜表面均匀性好。
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公开(公告)号：CN117241594A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311090086.7
申请日：2023-08-28
Applicant: 深圳先进技术研究院
Abstract: 本申请涉及太阳能电池制备技术领域，更具体地说，它涉及一种钙钛矿太阳能电池组件及大面积均匀钙钛矿薄膜的制备方法。所述的钙钛矿薄膜太阳能电池组件结构由下至上可分为衬底、空穴传输层、界面修饰层、钙钛矿吸收层、电子传输层、空穴阻挡层、背电极；所述钙钛矿吸收层通过增加DMF预浸润制得。解决了在p‑i‑n反式结构大面积钙钛矿薄膜溶液法制备过程中的薄膜均一性需求和孔洞缺陷问题。
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公开(公告)号：CN117144476A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311110666.8
申请日：2023-08-31
Applicant: 深圳先进技术研究院
Abstract: 本申请涉及钙钛矿单晶制备技术领域，更具体地说，它涉及一种溶液法在玻璃衬底上生长金属卤化钙钛矿单晶的方法。所述方法通过在氧化铟锡(ITO)玻璃衬底上旋涂聚[双(4‑苯基)(2,4,6‑三甲基苯基)胺](PTAA)薄膜，滴加卤化物钙钛矿溶液，进行温度调控，以生长出卤化物钙钛矿单晶，制得生长卤化物钙钛矿单晶。由于本申请中所生长出的是卤化物钙钛矿单晶，相较与卤化物钙钛矿多晶薄膜，缺陷会比后者低好几个数量级，大幅改善光电性能，直接在玻璃衬底上进行卤化物钙钛矿单晶的生长，以便于后续进行一系列的异质结调控。
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