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    一种太赫兹波光控调制器及其制备方法
    5.
    发明授权
    一种太赫兹波光控调制器及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN111399256B

    公开(公告)日：2023-06-23

    申请号：CN202010246540.3

    申请日：2020-03-31

    申请人： 深圳先进技术研究院

    发明人： 姚琳 ,  李伟民 ,  杨春雷 ,  杨兵 ,  许述达 ,  谢芳梅 ,  王忠国

    IPC分类号： G02F1/01

    摘要： 本发明公开了一种太赫兹波光控调制器的制备方法，包括：提供一介质基板；在所述介质基板上制作一层二硒化锡材料，形成附着于所述介质基板表面的薄膜。本发明还提供了一种太赫兹波光控调制器，包括介质基板和附着于所述介质基板表面的薄膜，所述介质基板用于透过太赫兹波，所述薄膜为二硒化锡材料，用于受太赫兹光激发产生光生载流子。本发明的太赫兹波调制器基于二硒化锡薄膜进行制备，泵浦光源照射太赫兹波调制器时能激发二硒化锡产生光生载流子，通过改变光强可以控制激发的载流子数，从而实现了光控太赫兹波的开关效应。

    光电探测器阵列及其制备方法、光电探测器及其制备方法
    6.
    发明授权
    光电探测器阵列及其制备方法、光电探测器及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN112054074B

    公开(公告)日：2023-04-14

    申请号：CN202010908886.5

    申请日：2020-09-02

    申请人： 深圳先进技术研究院

    发明人： 王忠国 ,  陈明 ,  王宗朋 ,  王政焱 ,  易成汉 ,  徐国良 ,  贾美玲 ,  汪智伟 ,  周长著 ,  刘宇 ,  杨春雷

    IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

    摘要： 本发明提供了一种光电探测器阵列及其制备方法、光电探测器及其制备方法，光电探测器包括衬底以及依次层叠设置于衬底上的背电极、CIGS吸收层、缓冲层、窗口层及透明电极层，CIGS吸收层中Cu元素的物质的量与Ga、In元素物质的量之和的比例为0.7～1；和/或CIGS吸收层中Ga元素的物质的量与Ga、In元素物质的量之和的比例为0.48～0.52，通过将CIGS材料作为吸收层的材料并通过调节CIGS吸收层中Cu元素和/或Ga元素的物质的量与Ga、In元素物质的量之和的比例来降低光电探测器的暗电流，从而提升光电探测器的性能。本申请的光电探测器阵列通过对整面探测器基片进行刻蚀获得阵列设置的多个光电探测器，相对于整面探测器降低了有效接触面积，进一步提升了光电探测性能。

    具有微结构的柔性压力传感器
    7.
    发明授权
    具有微结构的柔性压力传感器 有权

    公开(公告)号：CN112033582B

    公开(公告)日：2022-02-15

    申请号：CN202010929587.X

    申请日：2020-09-07

    申请人： 深圳先进技术研究院

    发明人： 李鑫 ,  陈明 ,  王宗朋 ,  刘奥星 ,  徐国良 ,  王忠国 ,  贾美玲 ,  杨春雷

    IPC分类号： G01L1/14 ,  G01L9/12

    摘要： 本发明公开了一种具有微结构的柔性压力传感器，包括朝向彼此且间隔设置的上基板与下基板以及位于二者之间的绝缘的微结构阵列，所述微结构阵列包括若干阵列地设于所述上基板的内表面的微结构，所述微结构朝向下基板延伸，用于在受压过程中与下基板接触而发生形变；所述微结构包括设置在上基板的内表面的第一部分和连接于第一部分自由端的第二部分，所述第一部分为棱台，第二部分的端面为与所述第一部分相切的柱面，且所述第二部分的弹性模量小于所述第一部分的弹性模量。本发明的微结构被设计为具有相互连接的第一部分和第二部分，这两部分具有不同的形状构造和弹性模量，使得微结构兼具高灵敏度和宽线性响应范围，拓宽了压力传感器的应用范围。

    一种直接型电磁辐射探测器及制备方法
    8.
    发明公开
    一种直接型电磁辐射探测器及制备方法 有权

    公开(公告)号：CN113035900A

    公开(公告)日：2021-06-25

    申请号：CN202110216562.X

    申请日：2021-02-26

    申请人： 深圳先进技术研究院

    发明人： 宁德 ,  陈明 ,  杨春雷 ,  张琛 ,  王伟 ,  王忠国 ,  侯玉欣 ,  胡明珠 ,  郑雪 ,  李伟民 ,  钟国华

    IPC分类号： H01L27/30 ,  G01T1/24

    摘要： 本发明适用于电磁辐射探测器领域，公开了一种直接型电磁辐射探测器及制备方法，直接型电磁辐射探测器包括电极层、封装层、N型半导体层、吸光层、P型半导体层、透明导电层和基底，透明导电层、P型半导体层、吸光层、N型半导体层、封装层和电极层从下至上依次设于基底上，透明导电层沿垂直于电磁辐射的入射方向划分为若干个间隔设置的像素区域，电极层沿平行于电磁辐射的入射方向划分为若干个间隔设置的光电信号采集区域，透明导电层和电极层电性连接，该探测器能够同时利用若干个光电信号采集区域同时对若干个像素区域进行信息采集，从而能够提高探测器的灵敏度，因此，只需要少量的电磁辐射的使用剂量就能够实现高灵敏度探测。

    光电探测器阵列及其制备方法、光电探测器及其制备方法
    9.
    发明公开
    光电探测器阵列及其制备方法、光电探测器及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN112054074A

    公开(公告)日：2020-12-08

    申请号：CN202010908886.5

    申请日：2020-09-02

    申请人： 深圳先进技术研究院

    发明人： 王忠国 ,  陈明 ,  王宗朋 ,  王政焱 ,  易成汉 ,  徐国良 ,  贾美玲 ,  汪智伟 ,  周长著 ,  刘宇 ,  杨春雷

    IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

    摘要： 本发明提供了一种光电探测器阵列及其制备方法、光电探测器及其制备方法，光电探测器包括衬底以及依次层叠设置于衬底上的背电极、CIGS吸收层、缓冲层、窗口层及透明电极层，CIGS吸收层中Cu元素的物质的量与Ga、In元素物质的量之和的比例为0.7～1；和/或CIGS吸收层中Ga元素的物质的量与Ga、In元素物质的量之和的比例为0.48～0.52，通过将CIGS材料作为吸收层的材料并通过调节CIGS吸收层中Cu元素和/或Ga元素的物质的量与Ga、In元素物质的量之和的比例来降低光电探测器的暗电流，从而提升光电探测器的性能。本申请的光电探测器阵列通过对整面探测器基片进行刻蚀获得阵列设置的多个光电探测器，相对于整面探测器降低了有效接触面积，进一步提升了光电探测性能。

    光电探测器
    10.
    发明公开
    光电探测器 有权

    公开(公告)号：CN111312836A

    公开(公告)日：2020-06-19

    申请号：CN202010112946.2

    申请日：2020-02-24

    申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  中国科学院深圳先进技术研究院

    发明人： 杜建华 ,  关峰 ,  高宇鹏 ,  袁广才 ,  王忠国 ,  徐国良 ,  王政焱 ,  陈明 ,  杨春雷

    IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/105

    摘要： 本申请提供一种光电探测器。所述光电探测器包括衬底、形成于所述衬底上的第一电极层、形成于所述第一电极层上的具有第一导电类型的光吸收层、形成于所述光吸收层上的隧穿结层、形成于所述隧穿结层上的具有第二导电类型的半导体层及形成于所述半导体层上的透明的第二电极层。其中，所述隧穿结层的材料为硫化镁与硫化锌的混合物。本申请提供的光电探测器，可提高光电探测器膜结构的阻抗，有效降低光电探测器的暗电流，并可使得隧穿结在反向偏压下具有极好的光电倍增效应，提高光电探测器的灵敏度。