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公开(公告)号：CN106057652B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201510821645.6
申请日：2015-11-24
申请人： 爱思开海力士有限公司
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/02 , B81C1/00
摘要： 一种形成图案的方法，包括：在层叠在刻蚀目标层上的底层上形成柱的阵列；在柱上形成分隔壁层以提供覆盖柱的侧壁的分隔壁；在分隔壁层上形成嵌段共聚物层；对嵌段共聚物层退火以形成位于柱之间的第一域以及围绕并隔离第一域的第二域；选择性地去除第一域以形成第二开口；选择性地去除柱以形成第四开口；形成从第二开口和第四开口延伸的第五开口以穿透底层；形成密封图案，密封图案覆盖并密封第五开口之中的虚设开口；以及形成第七开口以穿透刻蚀目标层，第七开口从通过密封图案暴露的第五开口延伸。
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公开(公告)号：CN107221492B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201610829332.X
申请日：2016-09-18
申请人： 爱思开海力士有限公司
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/311
摘要： 一种形成精细图案的方法包括：在底层之上形成以行和列排列的柱体，并且在底层之上形成间隔件以覆盖柱体。分别覆盖排列在每个行或者每个列中的柱体的间隔件层的部分彼此接触，以提供设置在沿着行方向和列方向之间的对角线方向排列的柱体之间的第一间隙空间，并且以在平面图中第一间隙空间的每个的拐角处设置裂隙。愈合层形成在间隔件层上,以填充第一间隙空间的裂隙。愈合层形成为提供分别位于第一间隙空间中的第二间隙空间，并且包括聚合物材料。
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公开(公告)号：CN105895577A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201510037511.5
申请日：2015-01-26
申请人： 爱思开海力士有限公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 一种根据本发明的一个实施例的制造互连结构的方法，包括：将介电层图案化以形成第一凹陷区，第一凹陷区包括第一巢形凹陷区和第一线形凹陷区，第一巢形凹陷区具有第一宽度，第一线型凹陷区具有第二宽度，第二宽度小于第一宽度。在第一凹陷区的侧壁上形成引导间隔件层，以在所述第一巢形凹陷区中提供包括第二巢形凹陷区的第二凹陷区。形成自组装嵌段共聚物材料以填充第二巢形凹陷区。将自组装嵌段共聚物材料退火以形成聚合物嵌段区域和聚合物嵌段基体，聚合物嵌段基体包围聚合物嵌段区域。去除聚合物嵌段区域以暴露出介电层的一部分。刻蚀介电层的暴露部分以形成通孔腔。
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公开(公告)号：CN106206261A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510210383.X
申请日：2015-04-29
申请人： 爱思开海力士有限公司
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： C09D153/00 , C08F293/00 , C08L53/005 , G03F7/0002 , G03F7/002 , G03F7/091 , G03F7/11 , G03F7/165 , G03F7/322 , G03F7/325 , G03F7/40 , H01L21/0276 , H01L21/0337 , H01L21/31058 , H01L21/31144 , H01L21/32139
摘要： 一种形成图案的方法包括：在下面层上形成引导图案，在引导图案和下面层上形成自组装嵌段共聚物(BCP)层，将自组装BCP层退火以形成被交替地且重复地排列的第一聚合物嵌段域和第二聚合物嵌段域，以及选择性地去除第一聚合物嵌段域。引导图案由可显影抗反射材料形成。另外，引导图案彼此间隔开，使得引导图案中的每个的宽度小于引导图案之间的距离。
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公开(公告)号：CN106910670B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201610506207.5
申请日：2016-06-30
申请人： 爱思开海力士有限公司
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/8239
摘要： 一种用于形成图案的方法包括在底层上形成椭圆形柱体。椭圆形柱体具有细长的特征，并且包括突出侧以及与突出侧连接的长侧，并且四个椭圆形柱体在分离空间的周围形成菱形阵列。附接至椭圆形柱体的侧面的引导晶格形成为在分离空间内打开第一窗口。通过选择性地去除椭圆形柱体，而在引导晶格内形成第二窗口。嵌段共聚物层形成为填充第一窗口和第二窗口。将嵌段共聚物层相分离，以在第一窗口内形成第一区域和第一矩阵以及在第二窗口内形成多个第二区域和第二矩阵。选择性地去除第一区域和第二区域，以形成第一开口和第二开口。
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公开(公告)号：CN103545193B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201210539495.6
申请日：2012-12-13
申请人： 爱思开海力士有限公司
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L21/4846 , H01L21/28132 , H01L21/3086 , H01L27/11531 , H01L2924/0002
摘要： 本发明公开一种使用双重间隔物图案化技术（SPT）工序形成半导体器件的精细图案的方法，通过应用包括负型SPT工序的双重SPT工序，能够实现具有均一精细线宽的线距图案。该方法包括第一SPT工序和第二SPT工序，并且第二SPT工序包括负型SPT工序。
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公开(公告)号：CN104681717A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410171189.0
申请日：2014-04-25
申请人： 爱思开海力士有限公司
IPC分类号： H01L45/00 , H01L21/8239 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/31144 , H01L21/76816
摘要： 提供了制造纳米级结构的方法。所述方法包括以下步骤：在密集区中形成与第一开口相对应的第一硬掩模图案；在第一硬掩模图案上与第一开口对准形成第一引导元件；以及在稀疏区中形成第二硬掩模图案以提供隔离图案。在稀疏区中形成阻挡层以覆盖第二硬掩模图案。利用嵌段共聚物层的相分离而在密集区中形成第一畴和第二畴。也提供了相关的纳米级结构。
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公开(公告)号：CN106206261B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201510210383.X
申请日：2015-04-29
申请人： 爱思开海力士有限公司
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： C09D153/00 , C08F293/00 , C08L53/005 , G03F7/0002 , G03F7/002 , G03F7/091 , G03F7/11 , G03F7/165 , G03F7/322 , G03F7/325 , G03F7/40 , H01L21/0276 , H01L21/0337 , H01L21/31058 , H01L21/31144 , H01L21/32139
摘要： 一种形成图案的方法包括：在下面层上形成引导图案，在引导图案和下面层上形成自组装嵌段共聚物(BCP)层，将自组装BCP层退火以形成被交替地且重复地排列的第一聚合物嵌段域和第二聚合物嵌段域，以及选择性地去除第一聚合物嵌段域。引导图案由可显影抗反射材料形成。另外，引导图案彼此间隔开，使得引导图案中的每个的宽度小于引导图案之间的距离。
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公开(公告)号：CN104681717B
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201410171189.0
申请日：2014-04-25
申请人： 爱思开海力士有限公司
IPC分类号： H01L45/00 , H01L21/8239 , H01L21/027
摘要： 提供了制造纳米级结构的方法。所述方法包括以下步骤：在密集区中形成与第一开口相对应的第一硬掩模图案；在第一硬掩模图案上与第一开口对准形成第一引导元件；以及在稀疏区中形成第二硬掩模图案以提供隔离图案。在稀疏区中形成阻挡层以覆盖第二硬掩模图案。利用嵌段共聚物层的相分离而在密集区中形成第一畴和第二畴。也提供了相关的纳米级结构。
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公开(公告)号：CN103545193A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201210539495.6
申请日：2012-12-13
申请人： 爱思开海力士有限公司
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L21/4846 , H01L21/28132 , H01L21/3086 , H01L27/11531 , H01L2924/0002
摘要： 本发明公开一种使用双重间隔物图案化技术（SPT）工序形成半导体器件的精细图案的方法，通过应用包括负型SPT工序的双重SPT工序，能够实现具有均一精细线宽的线距图案。该方法包括第一SPT工序和第二SPT工序，并且第二SPT工序包括负型SPT工序。
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