公开(公告)号：CN108933177A

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201810509445.0

申请日：2018-05-24

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 宫本广信 ,  中山达峰 ,  冈本康宏 ,  壶井笃司

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/778 ,  H01L29/20 ,  H01L21/335 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。使用氮化物半导体的半导体器件的特性得到改善。本发明的半导体器件包括缓冲层、沟道层、势垒层、台面型2DEG溶解层、源电极、漏电极、形成在台面型2DEG溶解层上的栅极绝缘膜、以及上覆栅电极。半导体器件的栅极绝缘膜包括形成在台面型2DEG溶解层上的溅射膜以及形成在溅射膜上的CVD膜。溅射膜是通过使用包括绝缘体的靶材的溅射处理在非氧化气氛中形成的。这使得可以降低MOS界面处和栅极绝缘膜中的正电荷量并且增加阈值电压，并且从而改善常关特性。

公开(公告)号：CN107658334A

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201710536496.8

申请日：2017-06-26

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 宫本广信 ,  中山达峰 ,  壶井笃司 ,  冈本康宏 ,  川口宏

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/1087 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5286 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/0684

摘要： 本申请涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。提高了半导体器件的性能。半导体器件被配置为包括：在衬底之上依次形成的电压钳位层、沟道下层、沟道层和阻挡层；在穿过阻挡层的同时延伸到沟道层中部的沟槽；布置在沟槽内的栅极电极，在栅极电极和沟槽之间具有栅极绝缘膜；形成在栅极电极的两侧上的阻挡层之上的源极电极和漏极电极；以及第四电极，电耦合到电压钳位层。第四电极与源极电极电隔离，并且施加到第四电极的电压与施加到源极电极的电压不同。因此，可以执行阈值控制。例如，可以增加MISFET的阈值。