公开(公告)号：CN106233437A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201480078152.1

申请日：2014-05-01

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 饭塚敏洋 ,  小山晋 ,  加藤芳健

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/338 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/0228 ,  H01L29/205 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78

摘要： 本发明提高半导体器件的特性。对于具有在氮化物半导体层CH上隔着栅极绝缘膜GI形成的栅电极GE的半导体器件(MISFET)而言，栅极绝缘膜GI以具有氮化物半导体层CH上形成的第1栅极绝缘膜(第1金属的氧化膜)GIa、第2栅极绝缘膜(第2金属的氧化膜)GIb的方式构成。第2金属(例如，Hf)比第1金属(例如，Al)的电负性低。使第2金属的电负性低于第1金属的电负性，负电荷通过界面极化而导入第1金属的氧化膜中，因此能够使平带电压向正方向偏移。由此，能够使由于第1金属的氧化膜的热处理而变为负的阈值电压向正方向偏移。