公开(公告)号：CN106233437A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201480078152.1

申请日：2014-05-01

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 饭塚敏洋 ,  小山晋 ,  加藤芳健

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/338 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/0228 ,  H01L29/205 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78

摘要： 本发明提高半导体器件的特性。对于具有在氮化物半导体层CH上隔着栅极绝缘膜GI形成的栅电极GE的半导体器件(MISFET)而言，栅极绝缘膜GI以具有氮化物半导体层CH上形成的第1栅极绝缘膜(第1金属的氧化膜)GIa、第2栅极绝缘膜(第2金属的氧化膜)GIb的方式构成。第2金属(例如，Hf)比第1金属(例如，Al)的电负性低。使第2金属的电负性低于第1金属的电负性，负电荷通过界面极化而导入第1金属的氧化膜中，因此能够使平带电压向正方向偏移。由此，能够使由于第1金属的氧化膜的热处理而变为负的阈值电压向正方向偏移。

公开(公告)号：CN102683172A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210065366.8

申请日：2012-03-13

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 坂本美里 ,  加藤芳健 ,  山本阳一 ,  京野敬 ,  山本力 ,  本沢辉一 ,  前田实太 ,  伊藤广志

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/67253 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6875 ,  Y10S438/974

摘要： 公开了一种半导体器件制造方法。在台架被保持在受热状态的情况下，半导体晶圆被放置在台架上(步骤S10)。然后，在经过第一时间的情况下，控制器使真空腔室内的压力升高到高于第一压力的第二压力(步骤S40)。在半导体晶圆被放置在台架上之后，真空腔室内的压力与吸附端口内的压力之间的压力差被设置到不使半导体晶圆在凸起上滑动的最小值。此外，在步骤S40，也使压力差保持在不使半导体晶圆在凸起上滑动的最小值。

公开(公告)号：CN106663634B

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201580044044.7

申请日：2015-03-30

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 加藤芳健

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

摘要： 提高半导体器件的特性。对于具有在氮化物半导体层CH上隔着栅极绝缘膜GI形成的栅电极GE的半导体器件(MISFET)而言，栅极绝缘膜GI构成为具有在氮化物半导体层CH上形成的第一栅极绝缘膜(第一金属的氧化膜)GIa，和第二栅极绝缘膜(第二金属的氧化膜)GIb。并且，第二金属(例如，Hf)比第一金属(例如，Al)的电负性低。由此，通过与第一金属的电负性相比，第二金属的电负性更低，能够使阈值电压(Vth)向正方向偏移。另外，栅电极GE构成为具有在第二栅极绝缘膜GIb上形成的第一栅电极(第三金属的氮化膜)GEa，和第二栅电极(第四金属)GEb。由此，能够防止氧向栅极绝缘膜GI的扩散，降低阈值电压(Vth)的偏差。

公开(公告)号：CN102683172B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201210065366.8

申请日：2012-03-13

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 坂本美里 ,  加藤芳健 ,  山本阳一 ,  京野敬 ,  山本力 ,  本沢辉一 ,  前田实太 ,  伊藤广志

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/67253 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6875 ,  Y10S438/974

摘要： 公开了一种半导体器件制造方法。在台架被保持在受热状态的情况下，半导体晶圆被放置在台架上(步骤S10)。然后，在经过第一时间的情况下，控制器使真空腔室内的压力升高到高于第一压力的第二压力(步骤S40)。在半导体晶圆被放置在台架上之后，真空腔室内的压力与吸附端口内的压力之间的压力差被设置到不使半导体晶圆在凸起上滑动的最小值。此外，在步骤S40，也使压力差保持在不使半导体晶圆在凸起上滑动的最小值。

公开(公告)号：CN106663634A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580044044.7

申请日：2015-03-30

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 加藤芳健

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L29/513 ,  H01L21/28 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/408 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

摘要： 提高半导体器件的特性。对于具有在氮化物半导体层CH上隔着栅极绝缘膜GI形成的栅电极GE的半导体器件(MISFET)而言，栅极绝缘膜GI构成为具有在氮化物半导体层CH上形成的第一栅极绝缘膜(第一金属的氧化膜)GIa，和第二栅极绝缘膜(第二金属的氧化膜)GIb。并且，第二金属(例如，Hf)比第一金属(例如，Al)的电负性低。由此，通过与第一金属的电负性相比，第二金属的电负性更低，能够使阈值电压(Vth)向正方向偏移。另外，栅电极GE构成为具有在第二栅极绝缘膜GIb上形成的第一栅电极(第三金属的氮化膜)GEa，和第二栅电极(第四金属)GEb。由此，能够防止氧向栅极绝缘膜GI的扩散，降低阈值电压(Vth)的偏差。

公开(公告)号：CN104934423A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510121868.1

申请日：2015-03-19

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 坂本美里 ,  加藤芳健 ,  山本阳一 ,  笠井仁司 ,  伊藤聪

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L27/04 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L27/10808 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/3212 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10888 ,  H01L28/60 ,  H01L28/87 ,  H01L28/91

摘要： 本发明涉及一种半导体集成电路器件及其制作方法。本发明改进了电容元件的电特性。提供了一种电容元件，该电容元件在DRAM单元中构成并且具有下电极、形成在下电极上方的电容绝缘体膜、形成在电容绝缘体膜上方的上电极。上电极具有以下结构：从该电极的电容绝缘体膜侧，依次堆叠第一上电极、第二上电极和第三上电极。第三上电极是可包含杂质的钨膜。在第一上电极和第三上电极之间，插入第二上电极，第二上电极是用于防止第三上电极中的可能的杂质扩散到电容绝缘体膜中的阻挡膜。

公开(公告)号：CN102148228A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201110021014.8

申请日：2011-01-13

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 山本阳一 ,  服卷直美 ,  坂本美里 ,  加藤芳健

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/316 ,  H01L21/822

CPC分类号： H01L28/60 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/31 ,  H01L21/76856 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/91 ,  H01L29/517

摘要： 本发明提供一种半导体器件以及半导体器件的制造方法。该半导体器件具有电容器元件，其中，电容电介质膜被设置在上电极膜(上电极膜114、上电极膜116)与下电极膜之间，并且对于至少与电容电介质膜接触的部分，下电极膜具有多晶钛氮化物。